光电转换元件、摄像元件和摄像设备制造技术

本发明专利技术提供一种光电转换元件，其包括阳极、阴极和在所述阳极与所述阴极之间配置的光电转换层，其特征在于：所述光电转换层包含第一有机化合物和第二有机化合物；所述第一有机化合物的氧化电位低于所述第二有机化合物的氧化电位；由下述式(A)表示的ΔE满足式(B)；并且所述第一有机化合物为通式[1]的化合物、荧蒽衍生物或金属配合物。ΔE＝(第一有机化合物的氧化电位)‑(第二有机化合物的还原电位)   (A)ΔE≥1.5[V]   (B)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电转换元件、摄像元件和摄像设备
本专利技术涉及光电转换元件、摄像元件和摄像设备。
技术介绍
近年来，已经进行了具有配置在信号读取基板上的其中有机化合物用于光电转换层的结构的固体状态的摄像元件的开发。用于改善光电转换元件中的暗电流的各种构成是已知的。PTL1记载了一种有机光电转换元件，其中在光电转换层与阳极之间配置电子阻隔层并且其中通过规定光电转换层与电子阻隔层之间的能级关系和规定电子阻隔层的层厚度来减少暗电流。PTL2记载了一种有机光电转换元件，其中在光电转换层与阴极之间配置空穴阻隔层并且其中通过规定光电转换层与空穴阻隔层之间的能级关系来减少暗电流。除了从阳极和阴极流入的电流以外，光电转换元件中的暗电流还包括光电转换层内产生的暗电流。PTL1和2既没有记载也没有暗示光电转换层内的p型有机半导体材料与n型有机半导体材料之间产生的暗电流。因此，光电转换元件中的暗电流的减少是不足的。因此，本专利技术的目的是提供光电转换元件中光电转换层内的p型有机半导体材料与n型有机半导体材料之间产生的暗电流减少的有机光电转换元件。引用列表专利文献PTL1：日本专利特开No.2010-183060PTL2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件，其特征在于，其包括阳极、阴极和在所述阳极与所述阴极之间配置的光电转换层，其中所述光电转换层包含第一有机化合物和第二有机化合物，所述第一有机化合物的氧化电位低于所述第二有机化合物的氧化电位，由下述式(A)表示的ΔE满足下述式(B)，ΔE＝第一有机化合物的氧化电位‑第二有机化合物的还原电位(A)ΔE≥1.5V   (B)并且所述第一有机化合物由下述通式[1]至[5]中的任一者表示，[化学式1]

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.11 JP 2016-220717;2017.09.15 JP 2017-177881.一种光电转换元件，其特征在于，其包括阳极、阴极和在所述阳极与所述阴极之间配置的光电转换层，其中所述光电转换层包含第一有机化合物和第二有机化合物，所述第一有机化合物的氧化电位低于所述第二有机化合物的氧化电位，由下述式(A)表示的ΔE满足下述式(B)，ΔE＝第一有机化合物的氧化电位-第二有机化合物的还原电位(A)ΔE≥1.5V(B)并且所述第一有机化合物由下述通式[1]至[5]中的任一者表示，[化学式1]在通式[1]中，R1表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的氨基、或氰基，n1和n2各自表示0至4的整数，X1至X3各自表示氮原子、硫原子、氧原子、或碳原子，所述碳原子可以具有取代基，Ar1和Ar2各自选自取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂环基，当包括多个符号Ar1时，它们可以彼此相同或不同，当包括多个符号Ar2时，它们可以彼此相同或不同，并且当X2或X3为碳原子时，Ar1和Ar2可以通过彼此结合而形成环，并且Z1表示卤素原子、氰基、取代或未取代的杂芳基、或由下述通式[1-1]至[1-9]表示的任意取代基，在通式[1-1]至[1-9]中，R521至R588各自选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的氨基、和氰基，[化学式2]在通式[2]中，R20至R29各自选自氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、取代或未取代的乙烯基、取代或未取代的氨基、和氰基，并且R20至R29中的彼此相邻的两个可以通过彼此结合而形成环，[化学式3]在通式[3]至[5]中，M表示金属原子，所述金属原子可以具有氧原子或卤素原子作为取代基，L1至L9各自表示与金属M配位的配体，所述配体由取代或未取代的芳基或者取代或未取代的杂环基构成，L1至L9中的彼此相邻的两个可以...

【专利技术属性】
技术研发人员：盐原悟，山田直树，高桥哲生，镰谷淳，西出洋祐，宫下广和，山口智奈，岩胁洋伸，大类博挥，梶本典史，板桥真澄，伊藤健太郎，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP