液晶取向剂、液晶取向膜及液晶表示元件制造技术

一种液晶取向剂，其含有下述(A)成分和下述(B)成分。需要说明的是，下述式(1)～下述式(3)中的记号的定义如说明书中所记载。(A)成分：四羧酸二酐成分与二胺成分反应而得到的聚酰胺酸，所述四羧酸二酐成分包含含有芳香族结构的四羧酸二酐，所述二胺成分包含选自结构中具有下述(1)～(3)中任一者的二胺和对苯二胺中的至少一种二胺，(B)成分：末端具有选自由环氧基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、脲基、巯基、异氰酸酯基组成的组中的基团的烷氧基硅烷化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶取向剂、液晶取向膜及液晶表示元件
本专利技术涉及形成液晶取向膜时使用的液晶取向剂、液晶取向膜及使用了其的液晶表示元件。
技术介绍
液晶表示元件作为表示装置现在被广泛使用。作为液晶表示元件的构成构件的液晶取向膜为均匀地排列液晶的膜，近年的液晶表示元件高品质化中，要求各种特性提高。例如为了得到高的表示品质的液晶表示元件，表现出高的亮度是重要的。因此，对于液晶取向膜要求更高的透过率。另外，若在液晶取向膜电荷蓄积则也存在在液晶表示元件产生残影这种问题。作为缩短直至残影消失为止的时间的方法，提出了使用专利文献1那样的体积电阻率低的取向膜、专利文献2那样的体积电阻率不易根据液晶表示元件的背光源变化的液晶取向膜的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2004/053583号专利文献2：国际公开第2013/008822号
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，利用上述方法得到的液晶取向膜具有不易产生液晶表示元件的残影的优点，另一方面，在液晶表示元件的制造工序中，摩擦后的洗涤工序中，产生水的排斥、气刀干燥时的水滴产生等，膜表面局部地进行不均匀的洗涤，所得到的液晶表示元件中，产生沿着气刀方向的线状的表示不均。本专利技术是鉴于上述事情而提出的，其目的在于，提供用于得到液晶取向性、取向限制力、摩擦耐性、电荷蓄积特性等各种残影特性优异，并且在带液晶取向膜的基板的洗涤时不会产生不均的液晶取向膜的液晶取向剂、液晶取向膜、以及使用其的液晶表示元件。用于解决问题的方案本专利技术人等为了达成上述目的而进行深入研究，结果发现，通过含有末端具有特定基团的烷氧基硅烷化合物的液晶取向剂，能够达成上述目的。如此，本专利技术鉴于上述现有技术的问题而提出，将下述作为主旨。用于解决上述问题的本专利技术的第1方式为一种液晶取向剂，其含有下述(A)成分和下述(B)成分。(A)成分：四羧酸二酐成分与二胺成分反应而得到的聚酰胺酸，所述四羧酸二酐成分包含含有芳香族结构的四羧酸二酐，所述二胺成分包含选自结构中具有下述式(1)～下述式(3)中任一者的二胺和对苯二胺中的至少一种二胺。(式(1)中，m1为2～18的整数，m1为3～18的整数的情况下，碳-碳键之间任选存在-O-。)(式(2)中，苯环上的1个或多个任意氢原子任选被伯氨基以外的1价有机基团取代，m2为1～8的整数。)(式(3)中，苯环上的1个或多个任意氢原子任选被伯氨基以外的1价有机基团取代，m3为1～4的整数。)(B)成分：末端具有选自由环氧基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、脲基、巯基、异氰酸酯基组成的组中的基团的烷氧基硅烷化合物。用于解决上述问题的本专利技术的第2方式为第1方式的液晶取向剂，其中，上述(A)成分中使用的二胺成分还包含含有下述式(4)的结构的二胺。(式(4)中，X1为氧原子或硫原子，A1～A3各自独立地为氢原子或碳数1～3的烃基，碳数的总计为1～9。另外，*表示与其它原子的键合。)用于解决上述问题的本专利技术的第3方式为第1方式或第2方式的液晶取向剂，其还含有下述(C)成分。(C)成分：作为四羧酸二酐成分与二胺成分的反应产物的聚酰胺酸，所述二胺成分包含含有下述式(13)或下述式(14)所示的结构的二胺中的至少一种。用于解决上述问题的本专利技术的第4方式为第3方式的液晶取向剂，其中，上述(C)成分中的四羧酸二酐成分含有下述式(16)所示的四羧酸的二酐。用于解决上述问题的本专利技术的第5方式为第3方式的液晶取向剂，其中，上述(C)成分中的四羧酸二酐成分还含有选自下述式(17)～下述式(19)所示的四羧酸中的至少一种化合物的二酐。(式(18)中，R1、R2、R3、R4各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基。)用于解决上述问题的本专利技术的第6方式为第1方式的液晶取向剂，其中，上述(A)成分中，具有芳香族结构的四羧酸二酐相对于全部四羧酸二酐成分为20摩尔％～100摩尔％用于解决上述问题的本专利技术的第7方式为第1方式的液晶取向剂，其中，上述(A)成分中，具有芳香族结构的四羧酸二酐为选自均苯四甲酸二酐和3,3’,4,4’-联苯四羧酸二酐中的至少一种。用于解决上述问题的本专利技术的第8方式为第1方式的液晶取向剂，其中，上述(B)成分中，含有Si上的取代基为三烷氧基的烷氧基硅烷化合物。用于解决上述问题的本专利技术的第9方式为第8方式的液晶取向剂，其含有上述三烷氧基为三乙氧基的烷氧基硅烷化合物。用于解决上述问题的本专利技术的第10方式为一种液晶取向膜，其由第1方式～第9方式中任一项的液晶取向剂得到。用于解决上述问题的本专利技术的第11方式为一种液晶表示元件，其具备第10方式的液晶取向膜。专利技术的效果通过使用本专利技术的液晶取向剂，能够提供用于得到液晶取向性、取向限制力、摩擦耐性、电压保持特性、电荷蓄积特性等各种特性优异，并且在带液晶取向膜的基板的洗涤时不会产生不均的液晶取向膜的液晶取向剂、液晶取向膜、以及使用其的液晶表示元件。具体实施方式以下对于本专利技术进行详细说明。本专利技术的液晶取向剂的特征在于，其为用于形成液晶取向膜的组合物，其含有四羧酸二酐成分与二胺成分反应而得到的聚酰胺酸(以下也称为特定聚合物(A))和烷氧基硅烷化合物(以下也称为特定化合物(B))，所述四羧酸二酐成分包含含有芳香族结构的四羧酸二酐，所述二胺成分包含选自结构中具有下述(1)～下述(3)中任一者的二胺和对苯二胺中的至少一种二胺，所述烷氧基硅烷化合物在末端具有选自由环氧基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、脲基、巯基、异氰酸酯基组成的组中的基团。以下对于各构成条件进行详细说明。＜特定聚合物(A)＞特定聚合物(A)的特征在于，其为高取向成分的聚酰胺酸，其为使四羧酸二酐成分与二胺成分反应而得到的，所述四羧酸二酐成分包含含有芳香族结构的四羧酸二酐，所述二胺成分包含选自结构中具有下述(1)～下述(3)中任一者的二胺和对苯二胺中的至少一种二胺(以下也称为特定二胺)。含有这些结构的液晶取向膜的液晶取向性、取向限制力优异。上述式(1)中，m1为2～18的整数，但是从液晶的取向性和耐热性的观点考虑，优选为3～12、更优选4～8。需要说明的是，m1为3～18的整数的情况下，在碳-碳键之间任选存在-O-。另外，结构中具有上述式(1)的2价有机基团优选还含有芳香环，作为其具体例，可列举出下述式(5)～下述式(10)所示的结构，但是不限于它们。上述式(5)～上述式(8)、上述式(10)中，m1为2～18的整数、优选3～12、更优选4～8。上述式(9)中，m1各自独立地为2～18的整数、优选各自独立地为2～12、更优选各自独立地为2～8。另外，上述式(7)和上述式(10)中，m2为单键或1～8的整数，但是从电压保持特性的观点考虑，优选为1～3、更优选1或2。上述式(2)中，m2为1～8的整数，但是从电压保持特性的观点考虑优选为1～3、更优选1或2。上述式(3)中，m2为1～4的整数，但是从聚酰胺酸溶液的稳定性的观点考虑，优选为1或2。结构中具有上述式(1)～上述式(3)中的任一者的二胺和对亚苯基中，苯环上的1个或多个任意氢原子可以被伯氨基以外的1价有机基团取代。作为这种1价有机基团，可列举出碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的含氟烷基、碳数2～20的含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶取向剂，其含有下述(A)成分和下述(B)成分，(A)成分：四羧酸二酐成分与二胺成分反应而得到的聚酰胺酸，所述四羧酸二酐成分包含含有芳香族结构的四羧酸二酐，所述二胺成分包含选自结构中具有下述式(1)～下述式(3)中任一者的二胺和对苯二胺中的至少一种二胺，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.13 JP 2016-1788501.一种液晶取向剂，其含有下述(A)成分和下述(B)成分，(A)成分：四羧酸二酐成分与二胺成分反应而得到的聚酰胺酸，所述四羧酸二酐成分包含含有芳香族结构的四羧酸二酐，所述二胺成分包含选自结构中具有下述式(1)～下述式(3)中任一者的二胺和对苯二胺中的至少一种二胺，式(1)中，m1为2～18的整数，m1为3～18的整数的情况下，碳-碳键之间任选存在-O-，式(2)中，苯环上的1个或多个任意氢原子任选被伯氨基以外的1价有机基团取代，m2为1～8的整数，式(3)中，苯环上的1个或多个任意氢原子任选被伯氨基以外的1价有机基团取代，m3为1～4的整数，(B)成分：末端具有选自由环氧基、乙烯基、苯乙烯基、甲基丙烯酰基、丙烯酰基、脲基、巯基、异氰酸酯基组成的组中的基团的烷氧基硅烷化合物。2.根据权利要求1所述的液晶取向剂，其中，所述(A)成分中使用的二胺成分还包含含有下述式(4)的结构的二胺，式(4)中，X1为氧原子或硫原子，A1～A3各自独立地为氢原子或碳数1～3的烃基，碳数的总计为1～9，另外，*表示与其它原子的键合。3.根据权利要求1或2所述的液晶取向剂，其还含有下述(C)成分，(C)...

【专利技术属性】
技术研发人员：中原翔一朗，金信郁，石川和典，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP