一种用于存储器差错控制的多级译码方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于存储器差错控制的多级译码方法和装置。其中的用于存储器差错控制的多级译码装置包括：读写控制器和纠错编码迭代译码器。通过使用上述的用于存储器差错控制的多级译码方法和装置，可以减少不必要的迭代译码，降低译码的时延，提高译码吞吐率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于存储器差错控制的多级译码方法和装置
本申请涉及存储器
，尤其涉及一种用于存储器差错控制的多级译码方法和装置。
技术介绍
NAND闪存(NANDFlash)是近年来发展迅猛的一种非易失性随机访问存储介质。随着电子技术的发展，单位面积上容纳的存储单元越来越多，单元之间的间距越来越小，因此也导致了差错率的增加。NAND闪存中的误码主要是由擦写次数增加引起的老化、相邻单元写入干扰、泄露电流的影响、长时间存储电荷流失、读操作分布等效应而引起的。差错率的增加也大大降低了NAND闪存的使用寿命，例如，当所有差错控制手段都无法保证10-15的误码率的情况下，NAND闪存就将被当成失效。前向纠错编码是NAND系统最重要的差错控制编码，其通过产生一定的冗余比特，与信息比特形成校验关系，可以有效地对产生的误码进行纠正。为了尽可能地增加NAND闪存的使用寿命，减少误码，现代的NAND闪存中一般都采用强大的可逼近性能限的纠错编码，如LDPC码或Polar码等。为了获得更好的纠错性能，译码往往采用软输入似然比的迭代译码算法来获得逼近性能限的性能。因此，获得精确的译码软输入似然比值(Likeliho本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于存储器差错控制的多级译码方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤A，读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；步骤B，读写控制器根据所读取的电压值进行硬判决译码；步骤C，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤K；否则，执行步骤D；步骤D，读写控制器根据所读取的电压值，计算得到译码软值；步骤E，将译码软值输入纠错编码迭代译码器进行一次软判决迭代译码；步骤F，在译码过程中根据参数的变化情况判断当前级的译码的收敛性，是否满足停止准则，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤G；步骤G，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤K；否则，执行步骤H；步骤H，判断当前的迭代次...

【技术特征摘要】
1.一种用于存储器差错控制的多级译码方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤A，读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；步骤B，读写控制器根据所读取的电压值进行硬判决译码；步骤C，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤K；否则，执行步骤D；步骤D，读写控制器根据所读取的电压值，计算得到译码软值；步骤E，将译码软值输入纠错编码迭代译码器进行一次软判决迭代译码；步骤F，在译码过程中根据参数的变化情况判断当前级的译码的收敛性，是否满足停止准则，如果是，则执行步骤I；否则，执行步骤G；步骤G，判断是否正确译码，如果是，则执行步骤K；否则，执行步骤H；步骤H，判断当前的迭代次数是否为最大迭代次数，如果是，则执行步骤I；否则，返回执行步骤E；步骤I，判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数，如果是，则执行步骤K；否则，执行步骤J；步骤J，将当前的参考电压的级数增加一级，再使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的电压值进行读取；返回执行步骤D；步骤K，输出译码结果作为读出数据。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在译码过程中根据参数的变化情况判断当前级的译码的收敛性，是否满足停止准则包括：当使用低密度奇偶校验码进行软判决迭代译码时，如果在译码过程中出现了陷阱集，则判断当前级的译码的收敛性满足停止准则。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：通过统计译码过程中不满足校验方程的校验节点的数目来判断译码过程中是否出现了陷阱集。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在译码过程中根据参数的变化情况判断当前级的译码的收敛性，是否满足停止准则包括：当使用低密度奇偶校验码进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：马征，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：四川,51