一种硅环的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种硅环的加工方法。该方法包括以下步骤：(1)硅环腐蚀后，将硅环固定在加工中心平台上，加工中心刀柄上装有羊毛轮磨头，在羊毛轮磨头上加入研磨膏；(2)通过调整羊毛轮磨头的自转速度，调整卡槽表面去除量；(3)对研磨抛光后的硅环进行清洗。通过本发明专利技术的加工方法，可以快速有效地对卡槽表面进行抛光，不用手工加工，可以大大提高加工效率，简单并且高效。

【技术实现步骤摘要】
一种硅环的加工方法
本专利技术涉及一种硅环的加工方法，具体来说是是使用加工中心对硅环的卡槽进行抛光，达到所需要的表面，属于半导体材料制造领域。
技术介绍
一般在制造半导体集成电路的时候，需要对硅晶片上形成的层间绝缘层(SiO2)进行刻蚀工艺。为了对带有绝缘层的硅片进行刻蚀，要使用等离子刻蚀装置。在该等离子刻蚀装置中，刻蚀气体通过设置于硅电极板的贯穿细孔朝向硅片并同时施加高频电压，从而在等离子体刻蚀用硅电极板和硅片之间产生了等离子体，该等离子体作用于硅片，从而实现对硅片表面绝缘层的刻蚀。在该过程中，硅片被置于载片台上。由于工艺或硅片尺寸的不同，载片台的结构也各不相同，统称为硅环。在等离子体刻蚀硅片时，承载硅片的硅部件也会受到等离子体的刻蚀作用，若硅部件的表面存在损伤的话，在刻蚀过程中会产生各种杂质，对待刻蚀的硅片造成沾污，影响最终产品的良率，因此一般需要硅部件的表面为抛光表面。硅部件整体结构一般使用加工中心完成，之后采用腐蚀和化学机械抛光方法获得完美表面。由于硅环的卡槽为异形，一般使用砂纸及抛光布进行手工打磨和抛光，效率低，抛光表面不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅环的加工方法，利用改进后的加工方法对硅环进行加工，提高硅环的表面质量。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种硅环的加工方法，包括以下步骤：(1)硅环腐蚀后，将硅环固定在加工中心平台上，加工中心刀柄上装有羊毛轮磨头，在羊毛轮磨头上加入研磨膏；(2)通过调整羊毛轮磨头的自转速度，调整卡槽表面去除量；(3)对研磨抛光后的硅环进行清洗。在所述步骤(1)中，硅环可以使用夹持工装固定在加工中心平台上。在所述步骤(1)中，研磨膏使用金刚砂研磨膏，目数为100～10000目。在所述步骤(2)中，羊毛轮磨头的自转速度为1～20000转/分，优选为2000～6000转/分。本专利技术的优点在于：通过本专利技术的加工方法，可以快速有效地对卡槽表面进行抛光，不用手工加工，可以大大提高加工效率，简单并且高效。附图说明图1为显示硅环加工的结构示意图。具体实施方式以下通过结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明，但本专利技术并不仅限于此。如图1所示，本专利技术使用加工中心1对硅环的卡槽进行抛光，实现硅环的加工。硅环2被固定在加工中心平台上，加工中心刀柄上装有羊毛轮磨头3，在羊毛轮磨头3上加入研磨膏4；通过调整加工中心刀柄的转速来调整调整羊毛轮磨头3的自转速度，从而能够调整卡槽表面去除量。实施例使用本专利技术的加工方法，在加工中心上进行卡槽研磨抛光，抛光后使用粗糙度仪测量卡槽表面的精糙度。工艺参数及测试结果如下表所示。羊毛轮磨头的自转速度(转/分)020004000加工时间(分钟)0715去除量(微米)035外径粗糙度(微米)1.1370.150.07从结果中可以看出，使用本专利技术可以高效率地对硅环的卡槽进行研磨抛光，可以通过调整自转速度来调节抛光的去除量，从而得到高质量的硅环产品。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅环的加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)硅环腐蚀后，将硅环固定在加工中心平台上，加工中心刀柄上装有羊毛轮磨头，在羊毛轮磨头上加入研磨膏；(2)通过调整羊毛轮磨头的自转速度，调整卡槽表面去除量；(3)对研磨抛光后的硅环进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种硅环的加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)硅环腐蚀后，将硅环固定在加工中心平台上，加工中心刀柄上装有羊毛轮磨头，在羊毛轮磨头上加入研磨膏；(2)通过调整羊毛轮磨头的自转速度，调整卡槽表面去除量；(3)对研磨抛光后的硅环进行清洗。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，硅环使用夹持工装固定在加工中心平...

【专利技术属性】
技术研发人员：库黎明，朱秦发，夏青，白杜娟，孟雪莹，鲁进军，闫志瑞，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11