一种稳压电路及稳压芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种稳压电路，包括：偏置电路，用于提供稳定的第一电流和第二电流；控制电路，具有第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和功率管，用于对功率管的输出电流进行推挽式控制，实现输出电流的快速调节；负载电路，具有电容和电阻。本发明专利技术的稳压电路能够实现推挽式瞬时响应，其响应速度快。

【技术实现步骤摘要】
一种稳压电路及稳压芯片
本专利技术涉及稳压
，尤其涉及一种稳压电路。
技术介绍
稳压电路是指在输入电压、负载、环境温度、电路参数等发生变化时，仍然能保持输出电压恒定的电路，其能提供稳定的直流电源，被广泛应用于各种电子设备中。如图1所示，是现有的线性稳压电路的结构示意图。其包括误差放大器EA、功率管MP、第一电阻R1和第二电阻R2，其中，误差放大器EA的反相输入端用于输入参考电压，输出端与功率管MP的栅极连接；功率管MP的源极连接至电源VDD，漏极通过串联的第一电阻R1和第二电阻R2接地；误差放大器EA的同相输入端连接至第一电阻R1与第二电路R2的连接点。误差放大器EA通过在第一电阻R1与第二电阻R2的连接点处采样，得到与输出电压Vout成比例的反馈电压，并将反馈电压与基准电压Vref进行比较，输出误差放大信号，从而控制功率管MP的栅极电压，实现对功率管MP输出电流的调节，使输出电压Vout稳定。然而，由于现有的线性稳压电路中通过误差放大信号来对功率管输出电流进行线性调节，其调节速度慢，且存在瞬间响应速度慢的问题。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的一种稳压电路及稳压芯片，能够有效提升瞬时响应速度，能对功率管输出电流进行快速调节。为解决上述技术问题，本专利技术的一种稳压电路，包括：偏置电路，用于提供第一电流和第二电流；控制电路，具有第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和功率管；负载电路，具有电容和电阻；其中，所述第一NMOS管的漏极与栅极连接并用于输入所述第一电流，所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接，源极接地；所述第二NMOS管的漏极与栅极连接并用于输入所述第二电流，所述第二NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，源极接地；所述第三NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的源极连接，源极接地；所述第四NMOS管的栅极分别与所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极连接，漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第五NMOS管的栅极分别与所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的漏极连接，漏极与所述第三PMOS管的漏极连接；所述第一PMOS管的源极与所述功率管的漏极连接；所述功率管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极连接至电源；所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，源极连接至所述电源；第三PMOS管的栅极与漏极连接，源极连接至所述电源；所述第六NMOS管的栅极分别与漏极、所述电容的第一端、所述第七NMOS管的栅极和输出电压端连接，所述第六NMOS管的漏极与所述功率管的漏极连接，源极与所述第七NMOS管的漏极连接；所述电容的第二端和所述第七NMOS管的源极均接地；所述第七NMOS管的栅极与所述输出电压端连接；所述电阻的第一端与所述电容的第一端连接，第二端接地。作为上述方案的改进，所述偏置电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第九PMOS管；其中，所述第四PMOS管的漏极用于输入基准电压并与栅极连接，源极与所述第五PMOS管的漏极连接；所述第五PMOS管的栅极与漏极连接，源极连接至所述电源；所述第六PMOS管的栅极与所述第五PMOS管的栅极连接，源极连接至所述电源，漏极与所述第七PMOS管的源极连接；所述第七PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接，漏极与所述第一NMOS管的漏极连接；所述第八PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的栅极连接，源极连接至所述电源，漏极与所述第九PMOS管的源极连接；所述第九PMOS管的栅极与所述第七PMOS管的栅极连接，漏极与所述第二NMOS管的漏极连接。作为上述方案的改进，所述第四PMOS管的导电常数K24、所述第五PMOS管的导电常数K25、所述第六PMOS管的导电常数K26和所述第七PMOS管的导电常数K27满足：本专利技术还提供一种稳压芯片，包括上述任一种稳压电路。与现有技术相比，本专利技术的稳压电路及芯片，由于通过第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和功率管构成推挽式的控制电路，能够对功率管的输出电流进行快速调节，进而可有效提升稳压电路的瞬时响应速度。附图说明图1是现有技术中线性稳压电路的结构示意图。图2是本专利技术实施例1的一种稳压电路的结构示意图。具体实施方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。下面结合具体实施例和附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述。请参见图2，是本专利技术的一种稳压电路的结构示意图。如图2所示，该稳压电路包括：偏置电路1，用于提供第一电流和第二电流；控制电路2，具有第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7和功率管MP；负载电路3，具有电容CL和电阻RL；其中，所述第一NMOS管N1的漏极与栅极连接并用于输入所述第一电流，所述第一NMOS管N1的栅极与所述第三NMOS管N3的栅极连接，源极接地；所述第二NMOS管N2的漏极与栅极连接并用于输入所述第二电流，所述第二NMOS管N2的栅极与所述第一PMOS管P1的栅极连接，源极接地；所述第三NMOS管N3的漏极分别与所述第一PMOS管P1的栅极和所述第四NMOS管N4的源极连接，源极接地；所述第四NMOS管N4的栅极分别与所述第五NMOS管N5的漏极和所述第三PMOS管P3的漏极连接，漏极与所述第二PMOS管P2的漏极连接，源极与所述第一PMOS管P1的漏极连接；所述第五NMOS管N5的栅极分别与所述第六NMOS管N6的源极和所述第七NMOS管N7的漏极连接，漏极与所述第三PMOS管P3的漏极连接；所述第一PMOS管P1的源极与所述功率管MP的漏极连接；所述功率管MP的栅极与所述第二PMOS管P2的漏极连接，源极连接至电源；所述第二PMOS管P2的栅极与所述第三PMOS管P3的栅极连接，源极连接至所述电源；第三PMOS管P3的栅极与漏极连接，源极连接至所述电源；所述第六NMOS管N6的栅极分别与漏极、所述电容CL的第一端、所述第七NMOS管N7的栅极和输出电压端连接，所述第六NMOS管N6的漏极与所述功率管MP的漏极连接，源极与所述第七NMOS管N7的漏极连接；所述电容CL的第二端和所述第七NMOS管N7的源极均接地；所述第七NMOS管N7的栅极与所述输出电压端连接；所述电阻RL的第一端与所述电容CL的第一端连接，第二端接地。在本专利技术的稳压电路中，设定功率管MP的漏极与第一PMOS管P1的源极的连接点为第一连接点A，由于第一连接点A处的电压与输出电压的电位相同，因而当输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稳压电路，其特征在于，包括：偏置电路，用于提供第一电流和第二电流；控制电路，具有第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和功率管；负载电路，具有电容和电阻；其中，所述第一NMOS管的漏极与栅极连接并用于输入所述第一电流，所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接，源极接地；所述第二NMOS管的漏极与栅极连接并用于输入所述第二电流，所述第二NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，源极接地；所述第三NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的源极连接，源极接地；所述第四NMOS管的栅极分别与所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极连接，漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第五NMOS管的栅极分别与所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的漏极连接，漏极与所述第三PMOS管的漏极连接，源极接地；所述第一PMOS管的源极与所述功率管的漏极连接；所述功率管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极连接至电源；所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，源极连接至所述电源；第三PMOS管的栅极与漏极连接，源极连接至所述电源；所述第六NMOS管的栅极分别与漏极、所述电容的第一端、所述第七NMOS管的栅极和输出电压端连接，所述第六NMOS管的漏极与所述功率管的漏极连接，源极与所述第七NMOS管的漏极连接；所述电容的第二端和所述第七NMOS管的源极均接地；所述第七NMOS管的栅极与所述输出电压端连接；所述电阻的第一端与所述电容的第一端连接，第二端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种稳压电路，其特征在于，包括：偏置电路，用于提供第一电流和第二电流；控制电路，具有第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和功率管；负载电路，具有电容和电阻；其中，所述第一NMOS管的漏极与栅极连接并用于输入所述第一电流，所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接，源极接地；所述第二NMOS管的漏极与栅极连接并用于输入所述第二电流，所述第二NMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，源极接地；所述第三NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的源极连接，源极接地；所述第四NMOS管的栅极分别与所述第五NMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极连接，漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极与所述第一PMOS管的漏极连接；所述第五NMOS管的栅极分别与所述第六NMOS管的源极和所述第七NMOS管的漏极连接，漏极与所述第三PMOS管的漏极连接，源极接地；所述第一PMOS管的源极与所述功率管的漏极连接；所述功率管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极连接至电源；所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，源极连接至所述电源；第三PMOS管的栅极与漏极连接，源极连接至所述电源；所述第六NMOS管的栅极分别与漏极、所述电容的第一端、所述第七NMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：段志奎，赵晓萌，苏志宏，胡建国，黄若浩，鲁纬，
申请(专利权)人：佛山市顺德区德雅军民融合创新研究院，广东顺德军民融合产业园有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44