一种搭桥式触摸屏制造技术

本实用新型专利技术公开了一种搭桥式触摸屏，包括盖板玻璃、边框油墨层和桥式触摸电极层，所述边框油墨层设于所述盖板玻璃背面的非可视区上，还包括IM消影层，所述IM消影层设于所述盖板玻璃背面的可视区上，所述桥式触摸电极层设于所述IM消影层和边框油墨层上。该搭桥式触摸屏提高了可视区上的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种搭桥式触摸屏
本技术涉及触摸技术，尤其涉及一种搭桥式触摸屏。
技术介绍
搭桥式触摸屏由于直接将触摸电极层制作于盖板玻璃的背面上，在反射外界光线时由于ITO区域和空白区域之间的反射率存在差异，会形成肉眼可见的底影问题，而且在触摸电极层的搭桥处由于具有两层OC绝缘桥体，OC胶和ITO之间的反射率也存在差异，在反射外界光线时也会形成肉眼可见的桥点，影响到可视区上的显示效果。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本技术提供一种搭桥式触摸屏，提高了可视区上的显示效果。本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种搭桥式触摸屏，包括盖板玻璃、边框油墨层和桥式触摸电极层，所述边框油墨层设于所述盖板玻璃背面的非可视区上，还包括IM消影层，所述IM消影层设于所述盖板玻璃背面的可视区上，所述桥式触摸电极层设于所述IM消影层和边框油墨层上。进一步地，所述IM消影层的厚度为75-78nm。进一步地，所述IM消影层包括设于所述盖板玻璃上的五氧化二铌膜层和设于所述五氧化二铌膜层上的二氧化硅膜层。进一步地，所述五氧化二铌膜层的厚度为4.8-6.0nm。进一步地，所述二氧化硅膜层的厚度为66-72nm。进一步地，所述桥式触摸电极层包括设于所述IM消影层上的触摸电极层、设于所述触摸电极上的整面绝缘层和设于所述整面绝缘层上的搭桥体，所述触摸电极层包括沿第一方向的多条第一电极和沿第二方向的多条第二电极，多条第一电极和多条第二电极之间相互交错，其中，所述第一电极在交错处连续延伸走线，所述第二电极在交错处断开并通过所述整面绝缘层上对应的通孔与位于交错处上方的所述搭桥体搭接走线。进一步地，所述整面绝缘胶层为OC胶层或二氧化硅膜层，在交错处开设有对应于所述第二电极的通孔。进一步地，所述桥式触摸电极层还包括设于所述搭桥体上的绝缘桥体。进一步地，所述绝缘桥为OC胶桥体或二氧化硅桥体。进一步地，所述搭桥体为ITO桥。本技术具有如下有益效果：该搭桥式触摸屏采用IM消影层来对所述桥式触摸电极层进行消影，所述IM消影层能够使得整个可视区的反射率与所述桥式触摸电极层的ITO反射率相一致，使得所述桥式触摸电极层的ITO区域和非ITO区域之间的反射率差异不会引起底影问题；该搭桥式触摸屏在所述触摸电极层和搭桥体之间设置有一层整面绝缘层，以代替现有的第一绝缘桥体，所述整面绝缘层能够降低所述触摸电极层的桥体位和非桥体位之间反射率差异，以消除肉眼可见的桥点问题。附图说明图1为本技术提供的搭桥式触摸屏的层叠结构示意图；图2为本技术提供的桥式触摸电极层中触摸电极层的示意图；图3为本技术提供的桥式触摸电极层中整面绝缘层的示意图；图4为本技术提供的桥式触摸电极层中搭桥体的示意图；图5为本技术提供的桥式触摸电极层中绝缘桥体的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明。如图1所示，一种搭桥式触摸屏，包括盖板玻璃1、边框油墨层2和桥式触摸电极层4，所述边框油墨层2设于所述盖板玻璃1背面的非可视区上，还包括IM消影层3，所述IM消影层3设于所述盖板玻璃1背面的可视区上，所述桥式触摸电极层4设于所述IM消影层3和边框油墨层2上。该搭桥式触摸屏采用IM消影层3来对所述桥式触摸电极层4进行消影，所述IM消影层3能够使得整个可视区的反射率与所述桥式触摸电极层4的ITO反射率相一致，使得所述桥式触摸电极层4的ITO区域和非ITO区域之间的反射率差异不会引起底影问题。所述IM消影层3的厚度为75-78nm。本实施例中，所述IM消影层3包括设于所述盖板玻璃1上的五氧化二铌膜层和设于所述五氧化二铌膜层上的二氧化硅膜层，其中，所述五氧化二铌膜层的厚度为4.8-6.0nm，所述二氧化硅膜层的厚度为66-72nm。所述IM消影层3的厚度最优与所述边框油墨层2的厚度相等，使得所述IM消影层3与所述边框油墨层2的表面平齐，以防两者上面镀的ITO膜由于高度差异而产生断裂等不良情况。如图2-5所示，所述桥式触摸电极层4包括设于所述IM消影层3上的触摸电极层、设于所述触摸电极上的整面绝缘层43和设于所述整面绝缘层43上的搭桥体44，所述触摸电极层包括沿第一方向的多条第一电极41和沿第二方向的多条第二电极42，多条第一电极41和多条第二电极42之间相互交错，其中，所述第一电极41在交错处连续延伸走线，所述第二电极42在交错处断开并通过所述整面绝缘层43上对应的通孔431与位于交错处上方的所述搭桥体44搭接走线。该搭桥式触摸屏在所述触摸电极层和搭桥体44之间设置有一层整面绝缘层43，以代替现有的第一绝缘桥体45，所述整面绝缘层43能够降低所述触摸电极层的桥体位和非桥体位之间反射率差异，以消除肉眼可见的桥点问题。所述触摸电极层为ITO电极；所述整面绝缘胶层为OC胶层或二氧化硅膜层，在交错处开设有对应于所述第二电极42的通孔431；所述搭桥体44为ITO桥。所述桥式触摸电极层4还包括设于所述搭桥体44上的绝缘桥体45，所述绝缘桥体45完全覆盖住所述搭桥体44；所述绝缘桥为OC胶桥体或二氧化硅桥体。所述桥式触摸电极层4还包括设于所述边框油墨层2上的外围引线，所述外围引线的一端电连接至所述触摸电极层，另一端延伸至非可视区上的绑定位，以绑定FPC和驱动IC；所述外围引线为金属引线，采用Mo-Al-Mo复合引线结构。以上所述实施例仅表达了本技术的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种搭桥式触摸屏，包括盖板玻璃、边框油墨层和桥式触摸电极层，所述边框油墨层设于所述盖板玻璃背面的非可视区上，其特征在于，还包括IM消影层，所述IM消影层设于所述盖板玻璃背面的可视区上，所述桥式触摸电极层设于所述IM消影层和边框油墨层上。

【技术特征摘要】
1.一种搭桥式触摸屏，包括盖板玻璃、边框油墨层和桥式触摸电极层，所述边框油墨层设于所述盖板玻璃背面的非可视区上，其特征在于，还包括IM消影层，所述IM消影层设于所述盖板玻璃背面的可视区上，所述桥式触摸电极层设于所述IM消影层和边框油墨层上。2.根据权利要求1所述的搭桥式触摸屏，其特征在于，所述IM消影层的厚度为75-78nm。3.根据权利要求1或2所述的搭桥式触摸屏，其特征在于，所述IM消影层包括设于所述盖板玻璃上的五氧化二铌膜层和设于所述五氧化二铌膜层上的二氧化硅膜层。4.根据权利要求3所述的搭桥式触摸屏，其特征在于，所述五氧化二铌膜层的厚度为4.8-6.0nm。5.根据权利要求3所述的搭桥式触摸屏，其特征在于，所述二氧化硅膜层的厚度为66-72nm。6.根据权利要求1所述的搭桥式触摸屏，其特征在于，所述桥式触摸电极层包括设于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健立，
申请(专利权)人：信利光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44