【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构本申请是申请号为201780003465.4、申请日为2017年1月19日、名称为“有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术整体涉及电子设备,并且更具体地涉及具有有机发光二极管显示器的电子设备。
技术介绍
电子设备通常包括显示器。例如,电子设备可具有基于有机发光二极管像素的有机发光二极管显示器。每个像素可具有包括相应发光二极管的像素电路。该像素电路中的薄膜晶体管电路可用于控制向该像素中的发光二极管施加电流。该薄膜晶体管电路可包括驱动晶体管。该像素电路中的驱动晶体管和发光二极管可串联耦接在正电源和接地电源之间。有机发光二极管显示器中的信号诸如电源信号可能由于用于分配这些信号的导电路径中的电阻损耗而遭受到不期望的电压降。如果不小心,这些电压降可妨碍有机发光二极管显示器的良好运转。在具有信号路由空间受限的布局的显示器中分配电源和数据信号时也会出现挑战。因此,希望能够提供在显示器诸如有机发光二极管显示器上分配信号诸如电源和数据信号的改进方法。
技术实现思路
有机发光二极管显示器可具有形成于基板上的薄膜晶体管电路。显示器和基板可具有圆角。像素定义层可形成于薄膜晶体管电路上。该像素定义层中的开口可设置有与有机发光二极管的相应阳极重叠的发射材料。阴极层可覆盖像素阵列。接地电源路径可用于将接地电压分配到阴极层。接地电源路径可由金属层形成,该金属层使用形成二极管的阳极的金属层的部分而被短接到阴极层,可由网格状金属图案形成,可具有L形路径段,可包括位于阴极层上的激光沉积金属,并可具有便于接地电源的 ...
【技术保护点】
1.一种具有带有像素阵列的有效区域的有机发光二极管显示器,包括:基板;位于所述基板上的薄膜晶体管电路,所述薄膜晶体管电路包括电介质层;像素定义层,所述像素定义层位于所述薄膜晶体管电路上,其中所述像素定义层具有开口,所述开口中的每个开口包含有机发光二极管的有机发射层并且所述开口中的每个开口与所述像素中的相应一个像素相关联;阴极层,所述阴极层覆盖所述像素阵列;和金属电源网格路径,所述金属电源网格路径嵌入所述有效区域中的电介质层内,其中所述有效区域具有圆角,其中所述金属电源网格路径被布置在所述圆角内,并且其中所述金属电源网格路径在所述有效区域内具有与所述圆角相对应的圆形部分。
【技术特征摘要】
2016.01.21 US 62/281,602;2016.02.26 US 62/300,6171.一种具有带有像素阵列的有效区域的有机发光二极管显示器,包括:基板;位于所述基板上的薄膜晶体管电路,所述薄膜晶体管电路包括电介质层;像素定义层,所述像素定义层位于所述薄膜晶体管电路上,其中所述像素定义层具有开口,所述开口中的每个开口包含有机发光二极管的有机发射层并且所述开口中的每个开口与所述像素中的相应一个像素相关联;阴极层,所述阴极层覆盖所述像素阵列;和金属电源网格路径,所述金属电源网格路径嵌入所述有效区域中的电介质层内,其中所述有效区域具有圆角,其中所述金属电源网格路径被布置在所述圆角内,并且其中所述金属电源网格路径在所述有效区域内具有与所述圆角相对应的圆形部分。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述金属电源网格路径为将接地电源电压承载到所述阴极层的金属接地电源路径,其中所述金属接地电源路径由金属层的第一部分形成,并且其中所述金属层的第二部分形成接触所述薄膜晶体管电路中的晶体管的源极-漏极端子的通孔结构。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述金属电源网格路径为承载正电源电压的金属正电源路径。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括被耦接到所述金属电源网格路径的L形路径段。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,还包括嵌入所述电介质层中的第一图案化金属层和第二图案化金属层,其中所述金属电源网格路径被耦接到由所述第二图案化金属层形成的金属段,并且其中所述第一图案化金属层包括承载电源电压的金属条。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述显示器具有边缘,并且其中所述金属条沿所述边缘中的至少一些边缘延伸。7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一图案化金属层包括平行于承载所述电源电压的所述金属条中的一个金属条延伸的正电源金属条,并且其中所述金属段包括L形部分,并且其中所述L形部分中的至少一些L形部分跨过所述正电源金属条。8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器,还包括从所述正电源金属条延伸到跨越所述有效区域的所述像素的正电源分配路径,其中所述L形部分位于所述圆角处。9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述薄膜晶体管电路中的所述晶体管的所...
【专利技术属性】
技术研发人员:林敬伟,S·S·普恩,W·S·里厄托尔路易斯,余承和,C·李,李道炯,常鼎国,TT·蔡,V·古普塔,Y·李,
申请(专利权)人:苹果公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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