一种基于MOSFET阵列的高速电子开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1、电容C2、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，本实用新型专利技术是基于MOSFET阵列的高速电子开关，能够通过阵列来提高电路的电压和电流。

A High Speed Electronic Switch Based on MOSFET Array

The utility model discloses a high-speed electronic switch based on a MOSFET array, which comprises resistance R1, capacitance C2, diode V15, silicon controlled V 1 and transformer T1. The foot 1 of transformer T1 connects resistance R13, the other end of resistance R13 connects capacitance C5 and power terminal, and the foot 7 of transformer T1 connects resistance R2, resistance R5, resistance R6, capacitance C2, resistance R9 and silicon controlled V1. The utility model relates to a control pole of V5 and a control pole of silicon V9. The utility model is a high-speed electronic switch based on a MOSFET array, which can improve the voltage and current of the circuit through the array.

【技术实现步骤摘要】
一种基于MOSFET阵列的高速电子开关
本技术涉及一种电子开关，具体是一种基于MOSFET阵列的高速电子开关。
技术介绍
电子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元，至少包括一个可控的电子驱动器件，如晶闸管、晶体管、场效应管、可控硅、继电器等。但在实际使用过程中，电子开关主要是指触摸开关、感应开关、声控开关、无线开关等墙壁开关。现有的的电子开关大多只能满足普通电压和电流的电路使用，而少数高电压、大电流的开关一般体积大，而且昂贵。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1、电容C2、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，变压器T1的脚5连接二极管V15的阴极，变压器T1的脚3连接变压器T2的脚1，电阻R5的另一端连接电阻R1、可控硅V1的阴极、可控硅V5的阴极、可控硅V9的阴极、电阻R9的另一端、二极管V15的阳极和输出端output，电阻R1的另一端连接电容C2的另一端；可控硅V1的阳极连接可控硅V5的阳极、可控硅V9的阳极、可控硅V2的阴极、可控硅V6的阴极、可控硅V10的阴极、二极管V13的阳极和电阻R11的另一端，可控硅V2的阳极连接可控硅V6的阳极、可控硅V10的阳极、可控硅V3的阴极、可控硅V7的阴极、可控硅V11的阴极、二极管V16的阳极和电阻R10的另一端，可控硅V3的阳极连接可控硅V7的阳极、可控硅V11的阳极、可控硅V4的阴极、可控硅V8的阴极、可控硅V12的阴极、二极管V14的阳极和电阻R12的另一端，可控硅V4的阳极连接可控硅V8的阳极、可控硅V12的阳极和输入端input。作为本技术的优选方案：所述变压器T2的脚7连接电阻R3、电阻R7、电阻R6的另一端、电容C1、电阻R11、可控硅V2的控制极、可控硅V6的控制极和可控硅V10的控制极，变压器T2的脚5连接二极管V13的阴极，变压器T2的脚3连接变压器T3的脚1，电阻R2的另一端连接电容C1的另一端。作为本技术的优选方案：所述变压器T3的脚7连接电阻R4、电阻R8、电阻R7的另一端、电容C3、电阻R10、可控硅V3的控制极、可控硅V7的控制极和可控硅V11的控制极，变压器T3的脚5连接二极管V16的阴极，变压器T3的脚3连接变压器T4的脚1，电阻R3的另一端连接电容C3的另一端。作为本技术的优选方案：所述变压器T4的脚7连接电阻R8的另一端、电容C4、电阻R12、可控硅V4的控制极、可控硅V8的控制极和可控硅V12的控制极，变压器T4的脚5连接二极管V14的阴极，变压器T2的脚3连接MOS管V17的漏极，电阻R4的另一端连接电容C4的另一端，MOS管V17的源级接地，MOS管V17的栅极连接电阻R14和电容C6，电阻R14的另一端连接输入信号端；所述电容C6的另一端接地。作为本技术的优选方案：所述电容C6的另一端接地。作为本技术的优选方案：所述电容C5的另一端接地。作为本技术的优选方案：所述输入信号端的输入信号为脉冲信号。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术是基于MOSFET阵列的高速电子开关，能够通过阵列来提高电路的电压和电流。附图说明图1为本技术的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，实施例1：本技术实施例中，一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1-R4、电容C1-C4、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，其中，电阻R1-R4与电容C1-C4组成RC滤波网络，能吸收可控硅断开后的电流，增加电路的稳定性，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，变压器T1的脚5连接二极管V15的阴极，变压器T1的脚3连接变压器T2的脚1，电阻R5的另一端连接电阻R1、可控硅V1的阴极、可控硅V5的阴极、可控硅V9的阴极、电阻R9的另一端、二极管V15的阳极和输出端output，电阻R1的另一端连接电容C2的另一端；电阻R5能平均分配每个可控硅的电压；二极管V15让信号只能同一方向流通；电阻R9是脉冲电压的限流电阻同时能为可控硅控制端提供导通电压；变压器T2的脚7连接电阻R3、电阻R7、电阻R6的另一端、电容C1、电阻R11、可控硅V2的控制极、可控硅V6的控制极和可控硅V10的控制极，变压器T2的脚5连接二极管V13的阴极，变压器T2的脚3连接变压器T3的脚1，电阻R2的另一端连接电容C1的另一端；电阻R6能平均分配每个可控硅的电压；二极管V13让信号只能同一方向流通；电阻R11是脉冲电压的限流电阻同时能为可控硅控制端提供导通电压；变压器T3的脚7连接电阻R4、电阻R8、电阻R7的另一端、电容C3、电阻R10、可控硅V3的控制极、可控硅V7的控制极和可控硅V11的控制极，变压器T3的脚5连接二极管V16的阴极，变压器T3的脚3连接变压器T4的脚1，电阻R3的另一端连接电容C3的另一端；电阻R7能平均分配每个可控硅的电压；二极管V16让信号只能同一方向流通；电阻R10是脉冲电压的限流电阻同时能为可控硅控制端提供导通电压；变压器T4的脚7连接电阻R8的另一端、电容C4、电阻R12、可控硅V4的控制极、可控硅V8的控制极和可控硅V12的控制极，变压器T4的脚5连接二极管V14的阴极，变压器T2的脚3连接MOS管V17的漏极，电阻R4的另一端连接电容C4的另一端，MOS管V17的源级接地，MOS管V17的栅极连接电阻R14和电容C6，电阻R14的另一端连接输入信号端；电阻R8能平均分配每个可控硅的电压；二极管V14让信号只能同一方向流通；电阻R12是脉冲电压的限流电阻同时能为可控硅控制端提供导通电压；可控硅V1的阳极连接可控硅V5的阳极、可控硅V9的阳极、可控硅V2的阴极、可控硅V6的阴极、可控硅V10的阴极、二极管V13的阳极和电阻R11的另一端，可控硅V2的阳极连接可控硅V6的阳极、可控硅V10的阳极、可控硅V3的阴极、可控硅V7的阴极、可控硅V11的阴极、二极管V16的阳极和电阻R10的另一端，可控硅V3的阳极连接可控硅V7的阳极、可控硅V11的阳极、可控硅V4的阴极、可控硅V8的阴极、可控硅V12的阴极、二极管V14的阳极和电阻R12的另一端，可控硅V4的阳极连接可控硅V8的阳极、可控硅V12的阳极和输入端input。变压器T1-T4脉冲电压初级串本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1、电容C2、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，其特征在于，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，变压器T1的脚5连接二极管V15的阴极，变压器T1的脚3连接变压器T2的脚1，电阻R5的另一端连接电阻R1、可控硅V1的阴极、可控硅V5的阴极、可控硅V9的阴极、电阻R9的另一端、二极管V15的阳极和输出端output，电阻R1的另一端连接电容C2的另一端；可控硅V1的阳极连接可控硅V5的阳极、可控硅V9的阳极、可控硅V2的阴极、可控硅V6的阴极、可控硅V10的阴极、二极管V13的阳极和电阻R11的另一端，可控硅V2的阳极连接可控硅V6的阳极、可控硅V10的阳极、可控硅V3的阴极、可控硅V7的阴极、可控硅V11的阴极、二极管V16的阳极和电阻R10的另一端，可控硅V3的阳极连接可控硅V7的阳极、可控硅V11的阳极、可控硅V4的阴极、可控硅V8的阴极、可控硅V12的阴极、二极管V14的阳极和电阻R12的另一端，可控硅V4的阳极连接可控硅V8的阳极、可控硅V12的阳极和输入端input。...

【技术特征摘要】
1.一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，包括电阻R1、电容C2、二极管V15、可控硅V1和变压器T1，其特征在于，所述变压器T1的脚1连接电阻R13，电阻R13的另一端连接电容C5和电源端，变压器T1的脚7连接电阻R2、电阻R5、电阻R6、电容C2、电阻R9、可控硅V1的控制极、可控硅V5的控制极和可控硅V9的控制极，变压器T1的脚5连接二极管V15的阴极，变压器T1的脚3连接变压器T2的脚1，电阻R5的另一端连接电阻R1、可控硅V1的阴极、可控硅V5的阴极、可控硅V9的阴极、电阻R9的另一端、二极管V15的阳极和输出端output，电阻R1的另一端连接电容C2的另一端；可控硅V1的阳极连接可控硅V5的阳极、可控硅V9的阳极、可控硅V2的阴极、可控硅V6的阴极、可控硅V10的阴极、二极管V13的阳极和电阻R11的另一端，可控硅V2的阳极连接可控硅V6的阳极、可控硅V10的阳极、可控硅V3的阴极、可控硅V7的阴极、可控硅V11的阴极、二极管V16的阳极和电阻R10的另一端，可控硅V3的阳极连接可控硅V7的阳极、可控硅V11的阳极、可控硅V4的阴极、可控硅V8的阴极、可控硅V12的阴极、二极管V14的阳极和电阻R12的另一端，可控硅V4的阳极连接可控硅V8的阳极、可控硅V12的阳极和输入端input。2.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET阵列的高速电子开关，其特征在于，所述变压器T2的脚7连接电阻R3、电阻R7、电阻R6的另一端、电容C1、电阻R11、可控...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文，刘婧婧，
申请(专利权)人：深圳市霍达尔仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44