The invention discloses an active driving circuit of injection current type SiC MOSFET, which includes driving push-pull circuit, driving resistance, detection circuit, pulse generation circuit and amplification output circuit. The detection circuit is used to detect driving voltage of driving push-pull circuit to judge whether SiC MOSFET has entered the stage of gate current decline according to driving voltage. A preset width pulse is generated according to the driving voltage; an amplifier output circuit is used to amplify the pulse and inject current into the gate of SiC MOSFET. The active driving circuit of the embodiment of the present invention can effectively suppress the spike and oscillation of the drain source voltage when the SiC MOSFET is turned off, and improve the reliability and electromagnetic interference problems caused by the spike and oscillation of the drain source voltage of the SiC MOSFET without sacrificing the advantages of the SiC device.
【技术实现步骤摘要】
注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路
本专利技术涉及电力电子
，特别涉及一种注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路。
技术介绍
硅基电力电子器件由于其材料特性的限制，已经无法满足如今电力电子领域对于半导体器件的高性能要求。基于此，以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料应运而生，相比硅(Si)器件，SiC器件具有更低的导通电阻、更快的开关速度、更高的击穿电压和热导率等，这些优异的特性使得SiC器件在高频率和高功率密度方面有着显著的优势。但是SiC器件更快的开关速度也给其应用带来了挑战，由于SiC器件过快的开关速度会产生很大的电压、电流变化率，加之线路中存在杂散电感，所以功率器件在开关过程中漏源极电压会出现很大的尖峰和振荡，关断过程尤其严重。漏源极的电压尖峰和振荡不仅会增加器件的应力、威胁器件的安全运行，而且会加剧系统的电磁干扰的发射。因此有效抑制SiC器件关断过程中漏源极电压尖峰和振荡是SiC器件应用过程中亟需解决的问题。目前，针对这个问题常用的手段是优化PCB设计和增大驱动电阻。通过优化PCB布局，减小线路的杂散电感，这种方法对于硬件设计的要求较高...
【技术保护点】
1.一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，所述检测电路，用于检测所述驱动推挽电路的驱动电压，以根据所述检测电路输出的电压判断所述SiC MOSFET是否进入栅极电流下降阶段；所述脉冲产生电路，用于根据所述驱动电压产生预设宽度的脉冲；所述放大输出电路，用于放大所述脉冲，并向所述SiC MOSFET的栅极注入电流。
【技术特征摘要】
1.一种注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路，其中，所述检测电路，用于检测所述驱动推挽电路的驱动电压，以根据所述检测电路输出的电压判断所述SiCMOSFET是否进入栅极电流下降阶段；所述脉冲产生电路，用于根据所述驱动电压产生预设宽度的脉冲；所述放大输出电路，用于放大所述脉冲，并向所述SiCMOSFET的栅极注入电流。2.根据权利要求1所述的注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述检测电路的输入端与所述驱动推挽电路相连，所述检测电路的输出端与所述脉冲产生电路的输入端相连。3.根据权利要求1所述的注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述放大输出电路的输入端与所述脉冲产生电路的输出端与相连，所述放大输出电路的输出端与所述SiCMOSFET的栅极连接。4.根据权利要求1所述的注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述驱动电阻的一端与所述驱动推挽电路相连，所述驱动电阻的另一端连接至所述SiCMOSFET的栅极。5.根据权利要求1-4任一项所述的注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述检测电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2和电容C1，其中，所述第一电阻R1一端与所述驱动推挽电路Rg连接，所述第一电阻R1的另一端经过第一节点与所述第二电阻R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一端接地，所述电容C1与所述第二电阻R2并联连接。6.根据权利要求5所述的注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述电容C1用于调整所述脉冲的宽度、起始位置和结束位置，以保证所述脉冲在所述SiCMOSFET漏极电流下降阶段产生。7.根据权利要求1-4所述的注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述脉冲产生电路包括：第一电压比较器Comp1、第二电压比较器Comp2、上限电压VIH、下...
【专利技术属性】
技术研发人员：李虹，冯超，蒋艳锋，杨志昌，赵星冉，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：北京,11
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