The invention discloses a method for forming an array comprising a vertical relative capacitor pair, which comprises forming an upward open conductive lining in the opening of individual capacitors in an insulating material. The vertical middle part of the individual in the conductive lining is removed to form the upper capacitor electrode lining and the lower capacitor electrode lining vertically separated and spaced from each other in the opening of the individual capacitor. The capacitor insulator is formed in the radial interior of the upper capacitor electrode lining in the opening of the individual capacitor and the lower capacitor electrode lining. The conductive material is formed in the radial interior of the capacitor insulator in the opening of the individual capacitor and vertically between the capacitor electrode lining. The conductive material is formed into a shared capacitor electrode which is shared by the vertical relative capacitors among the individual pairs of the vertical relative capacitors. The invention discloses an additional method and structure independent of the method.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列
本文中所公开的实施例是针对形成包括竖直相对的电容器对的阵列的方法及包括竖直相对的电容器对的阵列。
技术介绍
存储器是一个类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。可将存储器制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可称为字线)来使存储器单元被写入或从存储器单元读取。数字线可沿阵列的列导电地互连存储器单元,且存取线可沿阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在包含计算机断电时的长时间内存储数据。易失性存储器是耗散型的且因此在许多例项中需要被每秒多次刷新/重写。无论如何,存储器单元经配置以将存储器保存或存储成至少两个不同可选状态。在二进制系统中,将状态视为“0”或“1”。在其它系统中,至少一些个别存储器单元可经配置以存储信息的多于两个级别或状态。电容器是可用于存储器单元中的一个类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。可将作为电场的能量静电地存储在此材料内。取决于绝缘体材料的组合物,所述存储电场将为易失性或非易失性的。例如,仅包含SiO2的电容器绝缘体将为易失性的。一个类型的非易失性电容器是铁电电容器,其具有铁电材料作为绝缘体材料的至少部分。铁电材料的特征在于具有两个稳定极化状态且借此可包括电容器及/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态会因施加适合编程电压而改变且在移除编程电压后保持不变(至少达一段时间) ...
【技术保护点】
1.一种阵列,其包括:若干对竖直相对电容器,所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬;共享电容器电极,其由所述对中的个别者中的所述竖直相对电容器共享,所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间;及电容器绝缘体,其介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间,所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.01 US 15/340,8421.一种阵列,其包括:若干对竖直相对电容器,所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬;共享电容器电极,其由所述对中的个别者中的所述竖直相对电容器共享,所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间;及电容器绝缘体,其介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间,所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面。2.根据权利要求1所述的阵列,其中所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有侧壁边缘表面。3.根据权利要求1所述的阵列,其中所述共享电容器电极也由所述对竖直相对电容器中的多者共享,所述电容器绝缘体连续地横向延伸在所述对竖直相对电容器中的直接相邻者之间。4.根据权利要求3所述的阵列,其中所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有侧壁边缘表面。5.根据权利要求1所述的阵列,其中所述上电容器电极内衬包括面向下的容器形状的导电材料,所述容器形状包括侧壁及径向延伸到所述侧壁且延伸在所述侧壁之间的顶部,所述电容器绝缘体在其径向中心处的所述上电容器电极内衬的所述顶部与所述共享电容器电极之间的竖向厚度大于其在所述上电容器电极内衬的所述侧壁与所述共享电容器电极之间的横向厚度。6.根据权利要求1所述的阵列,其中所述电容器绝缘体包括铁电材料,使得所述电容器是非易失性的且可编程到至少两个不同量值的电容状态中。7.根据权利要求1所述的阵列,其中所述电容器绝缘体包括介电材料,使得所述电容器是易失性的。8.一种阵列,其包括:若干对竖直相对上下电容器,所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的所述上电容器的上电容器电极及所述下电容器的下电容器电极;共享电容器电极,其由所述对中的个别者中的所述竖直相对上下电容器共享,所述共享电容器电极位于所述上电容器电极及所述下电容器电极的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极与所述下电容器电极之间;电容器绝缘体,其介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极及所述下电容器电极之间;及所述上电容器电极包括面向下的容器形状的导电材料,所述容器形状包括侧壁及径向延伸到所述侧壁且延伸在所述侧壁之间的顶部,所述电容器绝缘体在其径向中心处的所述上电容器电极的所述顶部与所述共享电容器电极之间的竖向厚度大于其在所述上电容器电极的所述侧壁与所述共享电容器电极之间的横向厚度。9.根据权利要求8所述的阵列,其中所述共享电容器电极也由所述对竖直相对电容器中的多者共享,所述电容器绝缘体连续地横向延伸在所述对竖直相对电容器中的直接相邻者之间。10.根据权利要求8所述的阵列,其中所述电容器绝缘体包括铁电材料,使得所述电容器是非易失性的且可编程到至少两个不同量值的电容状态中。11.一种存储器阵列,其包括:若干对竖直相对电容器,所述对个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬,所述对中的个别者中的所述电容器个别地位于所述存储器阵列的两个不同存储器单元中;共享电容器电极,其由所述对中的个别者中的所述竖直相对电容器共享,所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间;电容器绝缘体,其介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间,所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面;若干上晶体管,其个别地位于所述上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬以构成所述阵列的一个1T-1C存储器单元;及若干下晶体管,其个别地位于所述下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬以构成所述阵列的另一1T-1C存储器单元。12.根据权利要求11所述的存储器阵列,其中所述电容器绝缘体包括铁电材料,使得所述电容器是非易失性的且可编程到至少两个不同量值的电容状态中。13.根据权利要求11所述的存储器阵列,其中所述下晶体管竖向延伸。14.根据权利要求13所述的存储器阵列,其中所述下晶体管是竖直晶体管。15.根据权利要求11所述的存储器阵列,其中所述上晶体管竖向延伸。16.根据权利要求15所述的存储器阵列,其中所述上晶体管是竖直晶体管。17.根据权利要求11所述的存储器阵列,其中所述上晶体管直接电耦合到相应上电容器电极内衬且所述下晶体管直接电耦合到相应下电容器电极内衬。18.一种存储器阵列,其包括:若干对竖直相对电容器,所述对竖直相对电容器个别地包括彼此竖向分离且间隔的上电容器电极内衬及下电容器电极内衬,所述对竖直相对电容器中的个别者中的所述电容器个别地位于所述存储器阵列的相同个别2T-2C存储器单元中;共享电容器电极,其由所述对竖直相对电容器中的个别者中的所述竖直相对电容器共享,所述共享电容器电极位于所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬的径向内部且竖向上介于所述上电容器电极内衬与所述下电容器电极内衬之间;电容器绝缘体,其介于所述共享电容器电极与所述上电容器电极内衬及所述下电容器电极内衬之间,所述电容器绝缘体直接紧靠所述共享电容器电极的所有顶面及底面;若干上晶体管,其个别地位于所述上电容器电极内衬中的一者的竖向外部且电耦合到所述上电容器电极内衬;若干下晶体管,其个别地位于所述下电容器电极内衬中的一者的竖向内部且电耦合到所述下电容器电极内衬;及所述上晶体管中的一者及所述下晶体管中的一者的对使其相应栅极直接电耦合在一起以构成所述存储器阵列的所述个别2T-2C存储器单元。19.根据权利要求18所述的存储器阵列,其中所述对中的个别者中的所述一个上晶体管及所述一个下晶体管的相应源极/漏极区域电耦合到两个相对位线中的相应者,所述两个相对位线电耦合到相同感测放大器。20.根据权利要求18所述的存储器阵列,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·V·N·拉马斯瓦米,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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