A high-order side redundancy circuit with diagnostic function relates to the field of electrical technology. The present invention uses MOS transistor instead of diode to effectively solve the problem of diode heating. Because the conduction voltage drop of MOS transistor is small, the power consumption is low, and it is suitable for high-power applications. When using MOS transistor for redundancy, the redundancy function of MOS transistor can be well realized, and the high-order side voltage redundancy function can be supported. It has the characteristics of simple hardware, small size and high reliability. It has a broad application prospect in the field of power supply redundancy, and is suitable for wide-scale promotion and application.
【技术实现步骤摘要】
一种带诊断功能的高次侧冗余电路
本专利技术涉及电气
，具体涉及一种带诊断功能的高次侧冗余电路。
技术介绍
已知的，在要求可靠性高的应用场合，例如基站通信、服务器等，往往采用冗余供电，而冗余供电的传统方法是采用二极管实现冗余功能，具体如附图1所示，电源1的正输出经过冗余二极管（OR-ingdiodes）送入负载，电源2的正输出经过冗余二极管（OR-ingdiodes）送入负载，依次类推，实现冗余功能。这种方法简单易行，但是冗余二极管存在发热问题，尤其在大功率应用场合，冗余二极管发热严重，这不仅降低电源效率，甚至给整个供电系统埋下安全隐患，甚至影响供电系统的可靠性等。
技术实现思路
为克服
技术介绍
中存在的不足，本专利技术提供了一种带诊断功能的高次侧冗余电路，本专利技术采用MOS管代替二极管有效的解决了二极管发热的问题，因MOS管导通压降小，所以功耗低，适合用于大功率场合，使用MOS管进行冗余时，可以很好实现MOS管冗余功能，而且支持高次侧电压冗余功能。为实现如上所述的专利技术目的，本专利技术采用如下所述的技术方案：一种带诊断功能的高次侧冗余电路，包括MOS管A、电阻...
【技术保护点】
1.一种带诊断功能的高次侧冗余电路，包括MOS管A（1）、电阻A（2）、MOS管B（3）、电阻B（4）、电阻C（5）、电阻D（6）、电容A（7）、电容B（8）、芯片（9）、电阻E（10）、电阻F（11）和电阻G（12），其特征是：所述MOS管A（1）和MOS管B（3）的栅极并联连接输入Vin，MOS管A（1）和MOS管B（3）的漏极分别连接输出Vout，输入Vin依次串联连接电阻A（2）和电容B（8），所述电容B（8）的另一端连接GND，所述电阻A（2）和电容B（8）的节点分别连接芯片（9）的IN引脚和电容A（7）的一端，所述电容A（7）的另一端分别连接芯片（9）的OUT引...
【技术特征摘要】
1.一种带诊断功能的高次侧冗余电路，包括MOS管A（1）、电阻A（2）、MOS管B（3）、电阻B（4）、电阻C（5）、电阻D（6）、电容A（7）、电容B（8）、芯片（9）、电阻E（10）、电阻F（11）和电阻G（12），其特征是：所述MOS管A（1）和MOS管B（3）的栅极并联连接输入Vin，MOS管A（1）和MOS管B（3）的漏极分别连接输出Vout，输入Vin依次串联连接电阻A（2）和电容B（8），所述电容B（8）的另一端连接GND，所述电阻A（2）和电容B（8）的节点分别连接芯片（9）的IN引脚和电容A（7）的一端，所述电容A（7）的另一端分别连接芯片（9）的OUT引脚和电阻C（5）的一端，所述电阻C（5）的另一端连接输出...
【专利技术属性】
技术研发人员：代大志，王晓俊，
申请(专利权)人：洛阳隆盛科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：河南,41
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