IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台，所述IGBT模拟器件包括光耦器件和第一二极管，所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地。所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极；所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。本实用新型专利技术能够解决IGBT用于初期算法调试平台造价较贵的问题。

IGBT Analog Device, Level Analog Circuit and Three Level Simulation Platform

The utility model discloses an IGBT analog device, a level analog circuit and a three-level simulation platform. The IGBT analog device comprises a photocoupler device and a first diode. The anode of the light-emitting diode of the photocoupler device is the gate of the IGBT, and the cathode of the light-emitting diode of the photocoupler device is used for grounding. The collector of the photocoupler device is connected with the cathode of the first diode, and the connecting node constitutes the drain pole of the IGBT; the emitter of the photocoupler device is connected with the anode of the first diode, and the connecting node constitutes the source pole of the IGBT. The utility model can solve the problem of high cost of IGBT used in the initial algorithm debugging platform.

【技术实现步骤摘要】
IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台
本技术涉及电路仿真
，特别涉及一种IGBT模拟器件、电平模拟电路及三电平仿真平台。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大，MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。现有技术中，典型的三电平拓扑采用4只IGBT与两只二极管构成一相桥臂，通过控制不同的IGBT开通关断，来获得不同的输出电压，可以实现负载电压在三种电平之间的任意切换。并通过三个三电平相回路并联，构成三相三电平拓扑结构，该拓扑结构在光伏、储能、风电等领域得到了广泛的应用。目前，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT模拟器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管模拟器件包括光耦器件和第一二极管；所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地；所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极；所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模拟器件，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管模拟器件包括光耦器件和第一二极管；所述光耦器件的发光二极管的阳极为IGBT的栅极，所述光耦器件的发光二极管的阴极用于接地；所述光耦器件的集电极与所述第一二极管的阴极连接，且连接节点构成IGBT的漏极；所述光耦器件的发射极与所述第一二极管的阳极连接，且连接节点构成所述IGBT的源极。2.如权利要求1所述的IGBT模拟器件，其特征在于，所述光耦器件耐压值为70V-100V，工作电流范围为50-100mA。3.如权利要求1所述的IGBT模拟器件，其特征在于，所述光耦器件为光耦继电器。4.一种电平模拟电路，其特征在于，所述电平模拟电路包括供电电源、第一稳压模块、第二稳压模块、第三稳压模块、第四稳压模块、第一续流模块、第二续流模块、第一控制信号输入端、第二控制信号输入端、第三控制信号输入端、第四控制信号输入端及如权利要求1至3任一项所述的IGBT模拟器件，所述IGBT模拟器件的数量为四个，且分别为第一晶体管器件、第二晶体管器件、第三晶体管器件和第四晶体管器件，所述供电电源包括第一输出端、第二输出端和第三输出端；所述第一稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第一控制信号输入端，所述第一稳压模块的输出端与所述第一晶体管器件的受控端连接；所述第一晶体管器件的输入端与所述供电电源的第一输出端连接，所述第一晶体管器件的输出端与所述第二晶体管器件的输入端、所述第一续流模块的输出端连接；所述第二晶体管器件的受控端与所述第二稳压模块的输出端连接，所述第二晶体管器件的输出端与所述第三晶体管器件的输出端连接，所述第二晶体管器件与所述第三晶体管器件的连接节点为所述电平模拟电路的输出端；所述第二稳压模块的输入端为所述电平模拟电路的第二控...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾赣生，陈小佳，颜璞，
申请(专利权)人：深圳市德利和能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44