有源矩阵微发光二极管显示面板制造技术

本发明专利技术公开一种有源矩阵微发光二极管显示面板，包括玻璃基板、平坦层、微发光二极管单元、以及多个电性接合元件。所述玻璃基板的底面作为发光面，并且作为显示区，其中，所述底面的周缘上不设置作为非显示区的边框。所述平坦层与所述玻璃基板相对设置，所述平坦层顶面作为接合面。所述微发光二极管单元设置所述玻璃基板与所述平坦层之间，且所述发光二极管所发出的光线穿出所述发光面。所述多个电性接合元件设置在所述平坦层上。所述显示面板在发光面的周缘外侧不设置任何边框，从而达到无边框显示的效果。

Active Matrix Micro-Light Emitting Diode Display Panel

The invention discloses an active matrix micro-light-emitting diode display panel, which comprises a glass substrate, a flat layer, a micro-light-emitting diode unit and a plurality of electrical bonding elements. The bottom surface of the glass substrate acts as a luminous surface and a display area, in which the edge of the bottom surface is not provided as a border of a non-display area. The flat layer is relative to the glass substrate, and the top surface of the flat layer acts as a joint surface. The light-emitting diode unit is arranged between the glass substrate and the flat layer, and the light emitted by the light-emitting diode passes through the light-emitting surface. The plurality of electrical engagement elements are arranged on the flat layer. The display panel does not set any border on the outer edge of the luminous surface, so as to achieve the effect of no border display.

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵微发光二极管显示面板
本专利技术是关于一种有源矩阵微发光二极管(ActiveMatrixMicroLightEmittingDiode,AM-MicroLED)显示面板，所述显示面板的底面为发光面，且所述显示面板的顶面周缘设置有电性接合(ElectricalBonding)构件以用于接合积体电路(IntegratedCircuit,IC)晶片，例如源极驱动IC及栅极驱动IC、电源线、公共电极线等。由于所述显示面板的接合构件集中在顶面，而所述底面为发光面且不具有任何接合构件，因此所述发光面周围无须设置非显示区的边框，进而可通过将多个上述显示面板拼接而得到具有无缝显示的显示面板组件。
技术介绍
请参照图1，现有技术的有源矩阵液晶显示面板(AMLCD)或有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示面板90在显示区900周围设置有边框91以用于接合(Bonding)驱动积体电路(IntegratedCircuit,IC，包括GateIC或SourceIC)，例如栅极薄膜覆晶封装(ChipOnFilm,COF)92和源极COF93。由于所述边框91四周存在Bonding区域及周边的走线，导致显示面板90的边框具有一定的宽度而形成一非显示区。因此，当需要拼接多个显示面板90组成一个更大的显示面板组件时，相邻的显示面板90间的边框91形成明显的拼接缝而影响整体显示效果。现有技术的液晶显示面板拼接显示技术可将拼接缝限制在略小于2mm，然而，所述约2mm的拼接缝仍有显着影响视觉，降低了显示面板组件的整体视觉效果。故，有必要提供一种有源矩阵微发光二极管显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术人有鉴于现有技术的多个显示面板拼接后存在有接缝而无法达到无缝显示效果的问题，提供一种有源矩阵微发光二极管(ActiveMatrixMicroLightEmittingDiode,AM-MicroLED)显示面板。本专利技术的主要目的在于提供一种有源矩阵微发光二极管显示面板，所述显示面板的底面为发光面，且所述显示面板的顶面周缘设置有电性接合(ElectricalBonding)构件以用于接合积体电路(IntegratedCircuit,IC)晶片，例如源极驱动IC及栅极驱动IC、电源线、公共电极线等。由于所述显示面板的接合构件集中在顶面，而所述底面为发光面且不具有任何接合构件，因此所述发光面周围无须设置非显示区的边框，因此可通过将多个上述显示面板拼接而得到具有无缝显示的显示面板组件。为达上述目的，所述有源矩阵微发光二极管显示面板包括：玻璃基板，所述玻璃基板的底面作为发光面，并且作为显示区，其中，所述底面的周缘上不设置作为非显示区的边框；平坦层，与所述玻璃基板相对设置，所述平坦层顶面作为接合面；微发光二极管单元，设置所述玻璃基板与所述平坦层之间，且所述发光二极管所发出的光线穿出所述发光面；以及多个电性接合元件，设置在所述平坦层上。在本专利技术一实施例中，所述有源矩阵微发光二极管显示面板进一步包括有：遮光层，设置在所述玻璃基板上；缓冲层，设置在所述遮光层上；有源层，设置在所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅极金属层，设置在所述栅极绝缘层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上并且覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层；源极漏极金属层，设置在第一绝缘层上，包括源极、漏极以及公共电极；第二绝缘层，设置在所述源极漏极金属层上；透明电极层，设置在所述第二绝缘层上；金属反射层，设置在所述平坦层上，将所述微发光二极管单元所发出的光线反射穿出所述底面；其中，所述微发光二极管单元设置在所述透明电极上；其中，所述平坦层覆盖所述微发光二极管单元、所述透明电极层、所述第二绝缘层；其中，各所述电性接合元件通过一至少贯穿所述平坦层的过孔而电连接到所述栅极金属层、所述源极漏极以及所述公共电极的其中一者。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元为覆晶封装结构。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元为垂直封装结构。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元包括P型半导体电极、N型半导体电极以及介于所述P型半导体电极与所述N型半导体电极之间的电致发光层。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元包括设置在所述N型半导体电极上的布拉格反射层，用于将所述微发光二极管单元所发出光线反射穿出所述底面。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元的所述P型半导体电极为透明电极，且所述N型半导体电极为非透明电极。本专利技术另一目的在于提供一种有源矩阵微发光二极管显示面板，包括：玻璃基板，所述玻璃基板的底面作为发光面，并且作为显示区，其中，所述底面的周缘上不设置作为非显示区的边框；遮光层，设置在所述玻璃基板上；缓冲层，设置在所述遮光层上；有源层，设置在所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅极金属层，设置在所述栅极绝缘层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上并且覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层；源极漏极金属层，设置在第一绝缘层上，包括源极、漏极以及公共电极；第二绝缘层，设置在所述源极漏极金属层上；透明电极层，设置在所述第二绝缘层上；微发光二极管单元，设置在所述透明电极上，且所述发光二极管所发出的光线穿出所述发光面；平坦层，与所述玻璃基板相对设置，覆盖所述微发光二极管单元、所述透明电极层、所述第二绝缘层，所述平坦层顶面作为接合面；以及多个电性接合元件，设置在所述平坦层上，其中，各所述电性接合元件通过一至少贯穿所述平坦层的过孔而电连接到所述栅极金属层、所述源极漏极以及所述公共电极的其中一者。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元为覆晶封装结构。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元为垂直封装结构。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元包括P型半导体电极、N型半导体电极以及介于所述P型半导体电极与所述N型半导体电极之间的电致发光层。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元包括设置在所述N型半导体电极上的布拉格反射层，用于将所述微发光二极管单元所发出光线反射穿出所述底面。在本专利技术一实施例中，所述微发光二极管单元的所述P型半导体电极为透明电极，且所述N型半导体电极为非透明电极。与现有技术相比较，本专利技术通过在所述平坦层开设过孔的方式将薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)的栅极、源极及漏极及微发光二极管单元的公共电极设置在显示面板的顶面(平坦层的顶面)，并通过对顶面电极的接合实现把IC晶片接合在显示面板的顶面，使得显示面板的底面周缘不具任何边框，以实现真正的无边框显示。通过采用此无边框显示面板，即可实现无缝拼接。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是一现有技术的具边框的显示面板的俯视图。图2是本专利技术有源矩阵微发光二极管(ActiveMatrixMicroLightEmittingDiode,AM-MicroLED)显示面板的侧面剖视图。图3是本专利技术有源矩阵微发光二极管显示面板的微发光二极管单元的放大侧面剖视图。图4是本专利技术有源矩阵微发光二极管显示面板的顶面视图。具体实施方式请参照图2，本专利技术有源矩阵微发光二极管(ActiveMatrixMicroLightEmitt本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵微发光二极管显示面板，其特征在于：包括：玻璃基板，所述玻璃基板的底面作为发光面，并且作为显示区，其中，所述底面的周缘上不设置作为非显示区的边框；平坦层，与所述玻璃基板相对设置，所述平坦层顶面作为接合面；微发光二极管单元，设置所述玻璃基板与所述平坦层之间，且所述发光二极管单元所发出的光线穿出所述发光面；以及多个电性接合元件，设置在所述平坦层上。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵微发光二极管显示面板，其特征在于：包括：玻璃基板，所述玻璃基板的底面作为发光面，并且作为显示区，其中，所述底面的周缘上不设置作为非显示区的边框；平坦层，与所述玻璃基板相对设置，所述平坦层顶面作为接合面；微发光二极管单元，设置所述玻璃基板与所述平坦层之间，且所述发光二极管单元所发出的光线穿出所述发光面；以及多个电性接合元件，设置在所述平坦层上。2.如权利要求1所述的有源矩阵微发光二极管显示面板，其特征在于：所述有源矩阵微发光二极管显示面板进一步包括：遮光层，设置在所述玻璃基板上；缓冲层，设置在所述遮光层上；有源层，设置在所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；栅极金属层，设置在所述栅极绝缘层上；第一绝缘层，设置在所述缓冲层上并且覆盖所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极金属层；源极漏极金属层，设置在第一绝缘层上，包括源极、漏极以及公共电极；第二绝缘层，设置在所述源极漏极金属层上；透明电极层，设置在所述第二绝缘层上；金属反射层，设置在所述平坦层上，将所述微发光二极管单元所发出的光线反射穿出所述底面；其中，所述微发光二极管单元设置在所述透明电极上；其中，所述平坦层覆盖所述微发光二极管单元、所述透明电极层、所述第二绝缘层；其中，各所述电性接合元件通过一至少贯穿所述平坦层的过孔而电连接到所述栅极金属层、所述源极、所述漏极以及所述公共电极的其中一者。3.如权利要求1所述的有源矩阵微发光二极管显示面板，其特征在于：所述微发光二极管单元为覆晶封装结构。4.如权利要求1所述的有源矩阵微发光二极管显示面板，其特征在于：所述微发光二极管单元为垂直封装结构。5.如权利要求1所述的有源矩阵微发光二极管显示面板，其特征在于：所述微发光二极管单元包括P型半导体电极、N型半导体电极以及介于所述P型半导体电极与所述N型半导体电极之间的电致发光层。6.如权利要求5所述的有源矩阵微发光二极管显示面板，其特征在于：所述微发光二极管单元包括设置在所述N型半导体电极上的布拉格反射层，用于将所述微发光二极管单元所发出光线反射穿出所述底面。7.如权利要求5所述的有源矩阵微发...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈书志，樊勇，李佳育，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44