半导体器件及其制作方法、可穿戴设备技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制作方法、可穿戴设备。该半导体器件的一具体实施方式包括：透明衬底；形成在衬底上的传感单元和显示单元，其中显示单元包括红色发光二极管、第一绿色发光二极管和蓝色发光二极管，传感单元包括第二绿色发光二极管以及光电二极管，光电二极管被配置为接收来自第二绿色发光二极管的光，其中，红色发光二极管包括红色发光层及其阳极和透明阴极；蓝色发光二极管包括蓝色发光层及其阳极和阴极；第一绿色发光二极管和第二绿色发光二极管分别包括绿色发光层及其阳极和阴极。该实施方式的制作工艺简单、制作效率高且制作成本低。

Semiconductor devices and their fabrication methods and wearable devices

The invention discloses a semiconductor device, a manufacturing method thereof and a wearable device. A specific embodiment of the semiconductor device includes a transparent substrate, a sensing unit and a display unit formed on the substrate, wherein the display unit includes a red light emitting diode, a first green light emitting diode and a blue light emitting diode, and a sensing unit includes a second green light emitting diode and a photodiode configured to receive a second green light emitting diode. The light of the electrode, in which the red light-emitting diode includes the red light-emitting layer and its anode and transparent cathode; the blue light-emitting diode includes the blue light-emitting layer and its anode and cathode; the first green light-emitting diode and the second green light-emitting diode include the green light-emitting layer, its anode and cathode, respectively. The manufacturing process of the embodiment is simple, the manufacturing efficiency is high and the manufacturing cost is low.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法、可穿戴设备
本专利技术涉及半导体
更具体地，涉及一种半导体器件及其制作方法、可穿戴设备。
技术介绍
目前，很多可穿戴设备都具有心率检测功能，以智能手表或智能手环为例，其心率检测的原理是：血液是红色的，会反射红光且吸收绿光，心脏跳动的一瞬相比于心跳间隙，手腕处血液流通量增加，被吸收的绿光更多。基于此，智能手表利用绿色发光二极管(LED)发出的绿光照射手腕，然后利用光电二极管感测手腕反射的绿光，通过对绿光的反射量的判断来判断心跳，从而检测心率，再通过显示屏显示心率检测结果。现有的具有心率检测功能的智能手表的结构为：手表的显示屏在手腕外侧(即手腕正面)，用于显示时间、显示心率检测结果等；而朝向手腕内侧(即手腕背面)设置有包括绿色LED和光电二极管的传感单元，用于检测心率。显示屏和传感单元独立制作，之后再组装，这势必会造成集成度差，成本高等不足。因此，需要提供一种新的半导体器件及其制作方法、可穿戴设备。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法、可穿戴设备，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括透明衬底；形成在所述衬底上的传感单元和显示单元，其中显示单元包括红色发光二极管、第一绿色发光二极管和蓝色发光二极管，所述传感单元包括第二绿色发光二极管以及光电二极管，所述光电二极管被配置为接收来自所述第二绿色发光二极管的光，其中所述红色发光二极管包括红色发光层及其阳极和透明阴极；所述蓝色发光二极管包括蓝色发光层及其阳极和阴极；所述第一绿色发光二极管和第二绿色发光二极管分别包括绿色发光层及其阳极和阴极。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括透明衬底；形成在所述衬底上的传感单元和显示单元，其中显示单元包括红色发光二极管、第一绿色发光二极管和蓝色发光二极管，所述传感单元包括第二绿色发光二极管以及光电二极管，所述光电二极管被配置为接收来自所述第二绿色发光二极管的光，其中所述红色发光二极管包括红色发光层及其阳极和透明阴极；所述蓝色发光二极管包括蓝色发光层及其阳极和阴极；所述第一绿色发光二极管和第二绿色发光二极管分别包括绿色发光层及其阳极和阴极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一绿色发光二极管和第二绿色发光二极管的绿色发光层同层同材料设置。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述传感单元还包括反射层，设置在第二绿色发光二极管的绿色发光层上方，用于反射第二绿色发光二极管朝向远离衬底方向出射的光。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述传感单元还包括透明电极，设置在所述第二绿色发光二极管的绿色发光层和所述反射层之间，其中，所述透明电极与所述红色发光二极管的透明阴极同层同材料设置。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绿色发光二极管的阳极和阴极与所述光电二极管的第一电极同层设置，材料为透明材料。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光电二极管的第二电极与红色发光二极管的阳极、第一绿色发光二极管的阳极和阴极以及蓝色发光二极管的阳极和阴极同层设置。7.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括在透明衬底上形成传感单元和显示单元，其中显示单元被形成为包括红色发光二极管、第一绿色发光二极管和蓝色发光二极管，所述传感单元被形成为包括第二绿色发光二极管以及光电二极管，所述光电二极管被配置为接收来自所述第二绿色发光二极管的光，其中所述红色发光二极管被形成为包括红色发光层及其阳极和透明阴极；所述蓝色发光二极管被形成为包括蓝色发光层及其阳极和阴极；所述第一绿色发光二极管和第二绿色发光二极管被形成为分别包括绿色发光层及其阳极和阴极。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，还包括在衬底上形成晶体管结构层，包括形成第一晶体管至第五晶体管的有源区和栅极；形成所述第一晶体管至第五晶体管的源极、漏极、数据线以及第一金属层、第二金属层和第三金属层。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括在所述晶体管结构层上形成所述传感单元和显示单元，包括形成平坦化层；在平坦化层中形成通孔，露出第一晶体管至第五晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙双，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11