The invention relates to a scanning electron microscope in-situ electrochemical detection chip and a manufacturing method thereof, which relates to an electrochemical detection chip. The in-situ electrochemical detection chip for scanning electron microscopy is composed of an upper and a lower silicon substrate with silicon nitride layer on both sides, two symmetrical injection ports and a viewing window on the silicon substrate with silicon nitride layer on both sides, and the lower silicon chip is made of silicon substrate with insulating layer and silicon nitride layer on both sides, and one silicon substrate with insulating layer and silicon nitride layer on both sides. The surface is provided with a reference electrode, a working electrode and a pair of electrodes, and the upper and lower plates are bonded by a metal bonding layer. The fabrication methods are as follows: 1) fabrication of upper and lower films; 2) fabrication of lower films; 3) bonding of upper and lower films through metal bonding layer to form an integrated scanning electron microscopy in situ electrochemical detection chip. Samples can be added directly through the injection port when using, and the injection port can be closed, so the operation is simple.
【技术实现步骤摘要】
一种扫描电镜原位电化学检测芯片及其制作方法
本专利技术涉及电化学检测芯片,尤其是涉及一种扫描电镜原位电化学检测芯片及其制作方法。
技术介绍
扫描电子显微镜(ScanningElectronMicroscope,SEM)是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观察手段,可直接利用样品表面材料的物质性能进行微观成像,观察各种试样凹凸不平表面的细微结构的优点。其样品载体样品台搭配原位检测芯片,可以使分辨率达到原子级,原位检测芯片可以集成物理、化学等功能,实现图案化、功能化,在分子生物、化工、医学半导体电子材料方面具有极高的应用价值(Nishiyama,H.etal.Atmosphericscanningelectronmicroscopeobservescellsandtissuesinopenmediumthroughsiliconnitridefilm.J.Struct.Biol.169,438–449(2010);Kirk,S.E.,Skepper,J.N.&Donald,A.M.Applicationofenvironmentalscanningelectronmicroscopytodeterminebiologicalsurfacestructure.J.Microsc.233,205–224(2009);NielsdeJonge,FrancesM.Ross.Electronmicroscopyofspecimensinliquid.NatureNanotechnologyvolume6,pages695–704(2011))。在扫描电镜 ...
【技术保护点】
1.一种扫描电镜原位电化学检测芯片,其特征在于设有上片和下片,所述上片由两面带有氮化硅层的硅基片制成,所述两面带有氮化硅层的硅基片上设有两个对称的注液口和一个视窗口;所述下片由两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片制成,所述两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片一面设有参比电极、工作电极和对电极;所述上片和下片通过金属键合层粘接。
【技术特征摘要】
1.一种扫描电镜原位电化学检测芯片,其特征在于设有上片和下片,所述上片由两面带有氮化硅层的硅基片制成,所述两面带有氮化硅层的硅基片上设有两个对称的注液口和一个视窗口;所述下片由两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片制成,所述两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片一面设有参比电极、工作电极和对电极;所述上片和下片通过金属键合层粘接。2.如权利要求1所述扫描电镜原位电化学检测芯片的制作方法,其特征在于包括以下步骤:1)制作上片;2)制作下片;3)将上片和下片通过金属键合层粘接,形成一体化扫描电镜原位电化学检测芯片。3.如权利要求2所述扫描电镜原位电化学检测芯片的制作方法,其特征在于在步骤1)中,所述上片具有第一表面和与第一表面相背对的第二表面,上片制作方法如下:1.1准备两面带有氮化硅层的硅基片,所述硅基片的大小4寸,厚度200μm;1.2利用光刻工艺,在紫外光刻机曝光10~30s,将注液口图案从光刻掩膜版转移到步骤1.1中的硅基片的第一表面,然后在正胶显影液中显影30~60s,再用去离子水清洗表面;1.3利用反应离子刻蚀工艺,在步骤1.2中的硅基片第一表面上注液口处的氮化硅刻蚀掉,然后将硅基片第一表面朝上放入丙酮浸泡10~30s,最后用去离子水冲洗;1.4将步骤1.3中制作出的硅基片第二表面朝上放入质量百分比浓度为5%氢四甲基氢氧化铵溶液中进行湿法刻蚀,刻蚀温度为90℃,刻蚀至第一表面只留下视窗口氮化硅绝缘层薄膜,取出硅基片用离子水冲洗;1.5利用光刻工艺,将步骤1.4制作出的硅基片在紫外光刻机曝光10~30s,将视窗口图案从光刻掩膜版转移到硅基片第一表面,然后在正胶显影液中显影30~60s,再用去离子水冲洗清洗表面;1.6利用反应离子刻蚀工艺,在步骤1.5制作出的硅基片第二表面上视窗口处的氮化硅刻蚀掉,然后将硅基片第二表面朝上放入丙酮浸泡10~30s,最后用去离子水冲洗,去掉光刻胶;1.7将步骤1.6制作出的硅基片第二表面朝上放入质量百分比浓度为5%四甲基氢氧化铵溶液中进行湿法刻蚀,刻蚀温度为90℃,刻蚀至第一表面只留下氮化硅薄膜,取出硅基片用离子水冲洗;1.8将步骤1.7制作出的硅基片进行激光划片,分成独立上片。4.如权利要求2所述扫描电镜原位电化学检测芯片的制作方法,其特征在于在步骤2)中,所述下片具有第三表面和与第三表面相背对的第四表面,下片制作方法如下:2.1准备两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片,硅基片大小4寸,厚度200μm;2.2利用光刻工艺,在紫外光刻机曝光10~30s,将三电极图案从光刻掩膜版转移到步骤2.1制作出的硅基片第三表面,然后在正胶显影液中...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖洪钢,江友红,林家耀,
申请(专利权)人:厦门大学,
类型:发明
国别省市:福建,35
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