【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及激光照明,具体涉及一种使用图形化金刚石衬底提高荧光玻璃发光性能的方法。
技术介绍
1、随着半导体材料的发展,以金刚石、碳化硅为代表的第四代半导体具有非常广阔的应用前景,成为半导体研究的热点。其中,金刚石具有超宽禁带、超高热导率、小的热膨胀系数、高电子空穴迁移率、耐腐蚀性等特性,使得金刚石在高温、高频和高功率环境下具有出色的性能,成为日益重要的电子器件和器件组件材料。基于led芯片的照明和显示技术经过长期发展,金刚石已经广泛应用于各种照明和显示领域。金刚石材料的高热导率和耐高温性质,使其成为高功率led等照明器件中很理想的散热材料。
2、激光二极管具有非常高的亮度和电光转换效率,已经被广泛应用于各种激光照明和显示领域中。但是,在激光照明中,由于激光芯片激发功率密度较高,如果荧光转换材料和基底的热导率太低,则会导致器件的温度升高,从而提高了热淬灭等不良效果的发生风险。当前激光照明所使用的荧光转换材料的基底主要包括石英玻璃、蓝宝石、晶体、透明陶瓷等,由于这些材料的热导率相对较低,得到器件的饱和功率密度、流明效率等性能
...【技术保护点】
1.一种使用图形化金刚石衬底提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(1)中抛光处理工艺包括MP或CMP。
3.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(2)中光刻、刻蚀用掩膜为图形化的光刻胶或在图形化的光刻胶上再沉积一层金属或SiO2、SixNy非光刻胶材料,利用金属剥离工艺形成图形化的金属或SiO2、SixNy层。
4.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(2)中刻蚀工艺处理采用ICP或R
<...【技术特征摘要】
1.一种使用图形化金刚石衬底提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(1)中抛光处理工艺包括mp或cmp。
3.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(2)中光刻、刻蚀用掩膜为图形化的光刻胶或在图形化的光刻胶上再沉积一层金属或sio2、sixny非光刻胶材料,利用金属剥离工艺形成图形化的金属或sio2、sixny层。
4.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(2)中刻蚀工艺处理采用icp或rie进行。
5.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(2)中刻蚀在o2、ar、h2、cf4、sf6、cl2中的一种或多种气体共同存在的氛围中进行。
6.如权利要求1所述的提高荧光玻璃发光性能的方法,其特征在于,所述步骤(2)中的图案包括但不限于凸球、...
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