The present disclosure relates to RF power transistors with impedance matching circuits and their manufacturing methods. An embodiment of an RF amplifier includes a transistor (120, 220) having a control terminal and a first and second current carriers, and a parallel circuit coupled between the first current carriers and the ground reference node. Parallel circuit is a parallel circuit with output pre-matched impedance regulation. It includes the first parallel inductance (134, 234, 434), the second parallel inductance (135, 135', 235, 435, 935, 935') and the parallel capacitor (142, 142', 342, 442). The first shunt inductor (134, 234, 434) includes multiple bonding lines coupled between the first current carrier terminal and the second shunt inductor (135, 135', 235, 435, 935, 935'), and the second shunt inductor includes an integrated inductor coupled between the first shunt inductor and the first end of the shunt capacitor (142, 142', 342, 442). Parallel capacitors are configured to provide capacitive harmonic control of the output of transistors (120, 220).
【技术实现步骤摘要】
具有阻抗匹配电路的RF功率晶体管及其制造方法
本文描述的主题的实施例总体上涉及封装半导体装置，并且更具体地涉及包括阻抗匹配电路的封装射频(RF)半导体装置。
技术介绍
典型的高功率射频(RF)半导体装置可以包括一个或多个输入引线、一个或多个输出引线、一个或多个晶体管、将输入引线耦合到晶体管的键合线、以及将晶体管耦合到输出引线的键合线。键合线在高频下具有显著的感抗，并且这种电感被考虑到装置的输入和输出阻抗匹配电路的设计中。在一些情况下，输入和输出阻抗匹配电路可以被包含在包含装置晶体管的同一封装内。更具体地说，封装内输入阻抗匹配电路可以耦合在装置的输入引线与晶体管的控制端(例如，栅极)之间，并且封装内输出阻抗匹配电路可以耦合在晶体管的导电端(例如，漏极)与装置的输出引线之间。当在具有相对低的瞬时信号带宽(ISBW)(例如，150兆赫兹(MHz)或更低的ISBW)的相对窄带应用中使用时，可使用具有良好性能的封装RF半导体装置。然而，增加的ISBW(例如，200MHz或更高的ISBW)正成为RF通信放大器(例如，RF通信基础设施放大器)的主要要求。这一要求源于这样一个事实...
【技术保护点】
1.一种射频RF放大器，其特征在于，包括：晶体管(120、220)，其具有控制端和第一和第二载流端；输出预匹配阻抗调节并联电路，其耦合在所述第一载流端与接地基准节点之间，其中所述输出预匹配阻抗调节并联电路包括至少串联耦合的第一并联电感(134、134'、234、434)、第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')和并联电容器(142、142'、342、442)；其中，所述第一并联电感(134、134'、234、434)包括耦合在所述第一载流端与所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')之间的多个键合线，并且所述第二并联电感...
【技术特征摘要】
2017.12.20 EP 17306857.81.一种射频RF放大器，其特征在于，包括：晶体管(120、220)，其具有控制端和第一和第二载流端；输出预匹配阻抗调节并联电路，其耦合在所述第一载流端与接地基准节点之间，其中所述输出预匹配阻抗调节并联电路包括至少串联耦合的第一并联电感(134、134'、234、434)、第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')和并联电容器(142、142'、342、442)；其中，所述第一并联电感(134、134'、234、434)包括耦合在所述第一载流端与所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')之间的多个键合线，并且所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')包括耦合在所述第一并联电感(134、134'、234、434)与所述并联电容器(142、142'、342、442)的第一端之间的集成电感器；并且所述并联电容器(142、342、442)被配置成提供所述晶体管(120、220)的输出的电容谐波控制。2.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述输出预匹配阻抗调节并联电路被配置成在所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')与所述并联电容器(142、142'、342、442)之间产生RF冷点节点(168、168'、468、968)。3.根据权利要求2所述的RF放大器，其特征在于，所述输出预匹配阻抗调节并联电路耦合到耦合在所述RF冷点节点(168、168'、468、968)与接地基准节点之间的视频带宽电路(149、249)。4.根据权利要求3所述的RF放大器，其特征在于，所述视频带宽电路(149、249)包括：串联耦合在所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')与所述并联电容器(142、342、442)之间并且并联耦合到第一电容器的第三电感和第二电容器。5.根据在前的任一项权利要求所述的RF放大器，其特征在于，所述输出预匹配阻抗调节并联电路在所述晶体管(120、220)的输出中产生90°相移，以与倒置多赫蒂架构一起使用。6.根据在前的任一项权利要求所述的RF放大器，其特征在于，所述晶体管(120、220)是氮化镓RF晶体管，并且所述输出预匹配阻抗调节并联电路被配置成补偿所述氮化镓RF晶体管的低漏源电容。7.根据在前的任一项权利要求所述的RF放大器，其特征在于，所述第二并联电感(135、135'、235、435、935、935')和所述并联电容器(142、142'、342、442)形成接近所述RF放大器的中心工作频率的串联谐振电路。8.根据在前的任一项权利要求所述的RF放大器，其特征在于：所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·佩伊洛特，O·勒姆比耶，E·克拉瓦克，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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