一种宽带低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种宽带低噪声放大器，属于集成电路领域，包括匹配放大级电路、第一增益提升级电路和第二增益提升级电路。所述匹配放大级电路采用共栅输入匹配与噪声消除结构，实现所述宽带低噪声放大器的宽带匹配、单端到差分的转换与极低噪声的性能；另外，所述匹配放大级电路包括栅极电感和反馈电容，通过栅极电感和反馈电容的并联，来补偿所述宽带低噪声放大器高频增益；所述第一增益提升级电路用于补偿所述宽带低噪声放大器中间频段增益；所述第二增益提升级电路用于补偿所述宽带低噪声放大器低频段增益；所述宽带低噪声放大器的三级电路补偿全频段增益。本实用新型专利技术实现了宽带输入匹配、高频增益补偿的功能。

A Broadband Low Noise Amplifier

The utility model discloses a broadband low noise amplifier, which belongs to the field of integrated circuits, including a matching amplifier circuit, a first gain elevator circuit and a second gain elevator circuit. The matched amplifier stage circuit adopts a common-gate input matching and noise elimination structure to realize the broadband matching, single-ended to differential conversion and very low noise performance of the broadband low noise amplifier. In addition, the matched amplifier stage circuit includes gate inductance and feedback capacitance, which compensates the high frequency gain of the broadband low noise amplifier by parallel connection of gate inductance and feedback capacitance. The first gain lifting stage circuit is used to compensate the intermediate band gain of the broadband low noise amplifier; the second gain lifting stage circuit is used to compensate the low band gain of the broadband low noise amplifier; and the third stage circuit of the broadband low noise amplifier compensates the full band gain. The utility model realizes the functions of broadband input matching and high frequency gain compensation.

【技术实现步骤摘要】
一种宽带低噪声放大器
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种宽带低噪声放大器。
技术介绍
随着技术的发展，集成无线通信芯片被大量应用于作战系统、大规模应急通信系统、导航定位、物联网、传感器网络、数字电视广播、公共安全、智能楼宇家居、无线电台、移动终端、玩具电子等多个行业，相应也衍生出了多样的通信协议标准。为了顺应市场的需求，当前无线通信领域最热门的研究就是设计一款兼容多协议的收发器芯片，以满足用户日益增长的语音、视频、数据浏览等需求，这就要求作为无线通信收发器信号处理的第一级放大器(低噪声放大器)需要兼具有宽带、高增益、高线性度、低噪声、阻抗匹配等特性指标。同时，为使信号更好的处理，要求低噪声放大器可以输出差分信号。宽带低噪声放大器是通信链路中非常重要的模块，位于整个接收链路电路的最前端，直接对天线接收信号放大，对信号质量起着至关重要的作用。在这个过程中，通信频带内的有用信号被宽带低噪声放大器放大，而由无线空间信道产生的噪声被放大器的增益抑制，同时放大器本身附加的噪声非常小，使得有用信号被放大的同时并不影响其质量。无线空间信道传来的各类干扰将产生信号交调量，这部分干扰将由放大器良好本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：匹配放大级电路(1)、第一增益提升级电路(2)和第二增益提升级电路(3)；所述匹配放大级电路(1)的输入端为所述宽带低噪声放大器的输入端(In1)，用于输入单端输入信号(SIn)；所述匹配放大级电路(1)的差分输出端(OUT1+、OUT1‑)连接所述第一增益提升级电路(2)的差分输入端；所述第一增益提升级电路(2)的差分输出端(OUT2+、OUT2‑)连接所述第二增益提升级电路(3)的差分输入端；所述第二增益提升级电路(3)的差分输出端为所述宽带低噪声放大器的差分输出端(OUT3+、OUT3‑)；匹配放大级电路(1)包括栅极电感(Lg)和反馈电容(C...

【技术特征摘要】
1.一种宽带低噪声放大器，其特征在于，包括：匹配放大级电路(1)、第一增益提升级电路(2)和第二增益提升级电路(3)；所述匹配放大级电路(1)的输入端为所述宽带低噪声放大器的输入端(In1)，用于输入单端输入信号(SIn)；所述匹配放大级电路(1)的差分输出端(OUT1+、OUT1-)连接所述第一增益提升级电路(2)的差分输入端；所述第一增益提升级电路(2)的差分输出端(OUT2+、OUT2-)连接所述第二增益提升级电路(3)的差分输入端；所述第二增益提升级电路(3)的差分输出端为所述宽带低噪声放大器的差分输出端(OUT3+、OUT3-)；匹配放大级电路(1)包括栅极电感(Lg)和反馈电容(Cfb)，通过所述栅极电感(Lg)和所述反馈电容(Cfb)的并联，用于补偿所述宽带低噪声放大器高频增益和增加高频匹配度；所述第一增益提升级电路(2)用于补偿所述宽带低噪声放大器中间频段增益；所述第二增益提升级电路(3)用于补偿所述宽带低噪声放大器低频段增益；通过所述宽带低噪声放大器的三级电路补偿全频段增益。2.根据权利要求1所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述匹配放大级电路(1)还包括输入电容(Cfin)、片外电感(Loff)、第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第一负载电阻(RCG)、第二负载电阻(RCS)、第一输出寄生耦合电容(C1)和第二输出寄生耦合电容(C2)；所述第一晶体管(M1)的源极分别连接所述输入电容(Cfin)的一端和所述片外电感(Loff)的一端；所述输入电容(Cfin)的另一端连接所述第二晶体管(M2)的栅极；所述片外电感(Loff)的另一端连接所述第二晶体管(M2)的源极；所述第一晶体管(M1)的漏极连接所述第三晶体管(M3)的源极；所述第二晶体管(M2)的漏极连接所述第四晶体管(M4)的源极；所述反馈电容(Cfb)设置在所述第一晶体管(M1)的栅极和所述第二晶体管(M2)漏极之间；所述栅极电感(Lg)设置在所述第三晶体管(M3)的栅极和所述第四晶体管(M4)栅极之间；所述第一输出寄生耦合电容(C1)的一端分别连接着所述第三晶体管(M3)漏极和所述第一负载电阻(RCG)的一端，另一端连接着所述匹配放大级电路(1)的一个差分输出端(OUT1+)；所述第二输出寄生耦合电容(C2)的一端分别连接着所述第四晶体管(M4)漏极和所述第二负载电阻(RCS)的一端，另一端连接着所述匹配放大级电路(1)的另一个差分输出端(OUT1-)；所述第一负载电阻(RCG)的另一端和所述第二负载电阻(RCS)的另一端相连。3.根据权利要求2所述的宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一晶体管(M1)为输入共栅晶体管，所述第二晶体管(M2)为输入共源晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冲，逯召静，刘览琦，张科峰，胡昂，石琴琴，杨阳，谭珍，
申请(专利权)人：武汉芯泰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42