The invention provides a low-power diode substitution circuit, which includes NMOS power transistors Q1, Q2 and control circuit. The drains and gates of the NMOS power transistors Q1 and Q2 are interconnected, the drains of the NMOS power transistors Q1 are connected with the input end IN, the drains of the NMOS power transistors Q2 are connected with the output end OUT, and the gates of the NMOS power transistors Q1 and Q2 are connected with the control circuit. The soft secondary transistor has the advantages of fast response time, high control precision, low on-resistance, low power consumption and low calorific value, and is suitable for various high current application occasions through the driving technology of NMOS high power transistor and the characteristics of small on-resistance of NMOS power transistor.
【技术实现步骤摘要】
一种低功耗二极管替代电路
本专利技术涉及一种低功耗二极管替代电路。
技术介绍
许多大功率电源在应用时，为防止外部电压高于电源输出电压时倒灌，在输出端都设计有二极管防倒灌电路。由于二极管具有固定管压降且动态电阻较大，当通过电流较大时，二极管自身的功耗很大，发热量也大，给设计带来非常大的困难。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种低功耗二极管替代电路。本专利技术通过以下技术方案得以实现。本专利技术提供的一种低功耗二极管替代电路；包括NMOS功率管Q1、Q2、控制电路，所述NMOS功率管Q1、Q2的漏极和栅极互相连接，NMOS功率管Q1的漏极与输入端IN连接，NMOS功率管Q2的漏极与输出端OUT连接，NMOS功率管Q1、Q2的栅极与控制电路连接。所述控制电路包括驱动器N1、稳压二极管D1、稳压二极管D2、稳压二极管D3；驱动器N1的输出信号端1脚与NMOS功率管Q1、Q2的栅极连接，驱动器N1的8脚与输出端OUT连接；驱动器N1的6脚连接稳压二极管D2负极并通过D2与8脚连接；驱动器N1的4脚与2脚连接并与输入端IN连接；稳压管D1正端与1脚连接，负端与...
【技术保护点】
1.一种低功耗二极管替代电路，其特征在于：包括NMOS功率管Q1、Q2、控制电路，所述NMOS功率管Q1、Q2的漏极和栅极互相连接，NMOS功率管Q1的漏极与输入端IN连接，NMOS功率管Q2的漏极与输出端OUT连接，NMOS功率管Q1、Q2的栅极与控制电路连接。
【技术特征摘要】
1.一种低功耗二极管替代电路，其特征在于：包括NMOS功率管Q1、Q2、控制电路，所述NMOS功率管Q1、Q2的漏极和栅极互相连接，NMOS功率管Q1的漏极与输入端IN连接，NMOS功率管Q2的漏极与输出端OUT连接，NMOS功率管Q1、Q2的栅极与控制电路连接。2.如权利要求1所述的低功耗二极管替代电路，其特征在于：所述控制电路包括驱动器N1、稳压二极管D1、稳压二极管D2、稳压二极管D3；驱动器N1的输出信号端1脚与NMOS功率管Q1、Q2的栅极连接，驱动器N1的8脚与输出端OUT连接；驱...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘吉华，陈聪秀，魏旭，窦立刚，
申请(专利权)人：贵州航天天马机电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52
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