The invention discloses a double-sided generation stacked wafer single crystal silicon heterojunction solar cell and its module. The cell comprises N-type single crystal silicon wafer, which is deposited successively on the front of the silicon wafer in the first intrinsic amorphous silicon film layer, the first doped amorphous silicon film layer, the transparent conductive film layer, the metal layer, and the tin-plated copper electrode grid wire, and deposited successively on the back of the silicon wafer in the second intrinsic amorphous The second doped amorphous silicon film layer, transparent conductive film layer, metal lamination, tin-plated copper electrode grid; the module includes the backplane body, the first packaging glue on the backplane body, the solar cell after multi-partition cutting on the first packaging glue, the second packaging glue on the solar cell, and the front panel on the second packaging glue. The invention realizes battery connection in series by melting tin on the main grid by heating, does not need conductive silver glue, greatly reduces manufacturing cost, and has low resistance of copper grid wire electrode, which can cut into wider small batteries and reduce overlap area of batteries.
【技术实现步骤摘要】
一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池及其模组
本专利技术涉及太阳能电池
,尤其涉及一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池及其模组。
技术介绍
太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件,在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流,通过电极将电能输出。近年来,太阳能电池生产技术不断进步,生产成本不断降低,转换效率不断提高,太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。异质结太阳能电池是其中一种新型高效的电池技术,其综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势,有制备工艺温度低、转换效率更高、高温特性好等特点,因此具有很大的市场潜力。叠瓦模组是一种新型的模组技术,与目前常规的模组对比,其大幅提高了模组电池的有效面积,提高了模组电流。同时大幅降低了模组单串电池的电流,从而大幅降低了模组串联电阻引起的功率损耗,进而提高了模组转换效率。叠瓦异质结太阳能电池模组综合异质结太阳能电池及叠瓦模组的优点,可以使模组效率更高。目前叠瓦模组使用的电池都是银浆电极栅线电池,银浆栅线导电性较差,6寸电池一般需要切割成6片小片电池,之后小片电池通过导电银胶重叠连接在一起 ...
【技术保护点】
1.一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:包括制绒清洗后的N型单晶硅片,依次沉积在硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层、金属叠层、表面镀锡的铜电极栅线,依次沉积在硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层、第二掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层、金属叠层、表面镀锡的铜电极栅线。
【技术特征摘要】
1.一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:包括制绒清洗后的N型单晶硅片,依次沉积在硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层、金属叠层、表面镀锡的铜电极栅线,依次沉积在硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层、第二掺杂非晶硅薄膜层、透明导电薄膜层、金属叠层、表面镀锡的铜电极栅线。2.根据权利要求1所述一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:所述第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层、第二本征非晶硅薄膜层和第二掺杂非晶硅薄膜层厚度均为3-10nm,所述第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂非晶硅薄膜层、第二本征非晶硅薄膜层和第二掺杂非晶硅薄膜层通过等离子体增强化学气相沉积。3.根据权利要求1所述一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n-型非晶硅薄膜层时,所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为p-型非晶硅薄膜层,所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p-型非晶硅薄膜层时,所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为n-型非晶硅薄膜层。4.根据权利要求1所述一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:所述透明导电薄膜层为ITO层或者掺杂其它元素的氧化铟层,厚度为30-200nm。5.根据权利要求1所述一种双面发电叠瓦单晶硅异质结太阳能电池,其特征在于:所述金属叠层包含金属导电层及金属保护层,厚度为100-300nm,其中金属导电层为Cu、Al、Ag、Ni中的至少一种,金属保护层为抗氧化性能的金属材料或金属导电氧化物材料,如Ti、AZO、Ni、NiCu、ITO等材料。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨与胜,林朝晖,张超华,温跃忠,宋广华,王树林,
申请(专利权)人:福建金石能源有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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