The invention relates to a manufacturing method of solar cells, which is characterized in that the steps of preparing a semiconductor silicon substrate with PN junction under 100 ~C with an electrode formed by firing an electrode precursor on the main surface of at least one side and annealing the semiconductor silicon substrate above 100 ~450 ~C are provided. Steps. Thus, a method for manufacturing solar cells is provided, which can suppress the deterioration of the output of solar cells by placing them in room temperature and atmosphere only.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池
本专利技术是有关太阳能电池的制造方法。
技术介绍
将使用单晶N型硅基板的一般的高光电变换效率太阳能电池的从受光面侧所见的概观显示于图1。此外，图2显示该太阳能电池的剖面构造的模式图。该太阳能电池100，是在N型基板110上，作为受光面的集电电极而具有多个被称作指状电极121的百～数十μm幅宽的电极。邻接的指状电极们的间隔一般为1～3mm左右。此外，具有2～4个供连接太阳能电池胞用的作为集电电极的汇流条(busbar)电极122。作为该等电极(指状电极121、汇流条电极122)的形成方法，可列举蒸镀法、溅镀法等，但是从成本方面而言，将有机结合剂掺混银等金属微粒子的金属膏、采用网版等来印刷，于数百度下进行热处理而与基板黏接的方法被广泛利用。太阳能电池100的电极以外的部分是由氮化硅膜等反射防止膜141覆盖着。基板的表面(受光面)是形成与基板的导电型相反的P型扩散层112。在背面侧也形成指状电极131，电极以外的部分是由氮化硅膜等膜(背面保护膜)151覆盖着。N型基板110的背面的最表层是形成与基板相同的导电...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，以及将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，具有：准备在至少一方的主表面上具有通过烧成电极前驱体而形成的电极、具有PN结的未满100℃的半导体硅基板的步骤，以及将前述半导体硅基板在100℃以上450℃以下进行退火处理的步骤。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其中，前述退火处理进行0.5分钟以上。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，在前述电极前驱体的烧成，将从最高温度到450℃为止的降温速度设为50℃/秒以上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，将前述电极前驱体的烧成的最高温度设为500℃以上1100℃以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，在准备前述半导体硅基板的步骤之后，在前述半导体硅基板的主表面上，将在100℃以上450℃以下的范围内会硬化的低温硬化型导电材料图案状地涂布，其后，在进行前述退火处理时，同时地进行前述低温硬化型导电材料的硬化而形成导电体部。6.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，在准备前述半导体硅基板的步骤之后，在前述半导体硅基板的主表面上，将在100℃以上450℃以下的范围内会硬化的绝缘材料图案状地涂布，其后，在进行前述退火处理时，同时地进行前述绝缘材料的硬化而形成绝缘膜。7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，将前述半导体硅基板作成N型半导体硅基板。8...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡部武纪，桥上洋，大塚宽之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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