高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池技术

本发明专利技术是一种太阳能电池的制造方法，具有：准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板，测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此，提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移，且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。

Manufacturing Method of Solar Cells with High Photoelectric Conversion Efficiency and Solar Cells with High Photoelectric Conversion Efficiency

The invention relates to a manufacturing method of solar cells, which comprises the steps of preparing a semiconductor substrate with a dielectric film at least on the first main surface, partially removing the dielectric film of the semiconductor substrate, and forming an electrode along the area where the dielectric film is partially removed. The manufacturing method is characterized by the steps of partially removing the dielectric film. The step of the dielectric film and the semiconductor substrate after the step of forming the electrode, the step of determining the relative position relationship between the position of the area partially removed by the dielectric film and the position of the formed electrode, based on the measured position relationship, for the newly prepared semiconductor substrate having a dielectric film at least on the first main surface, the step of adjusting the field of partially removing the dielectric film is discussed. The dielectric film is partially removed after the position. Thus, a manufacturing method for solar cells is provided, which can reduce the displacement of the area partially removing the dielectric film from the position of the electrodes formed along the area and increase the production rate of solar cells.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池
本专利技术是有关高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池。
技术介绍
作为采用单结晶或多结晶半导体基板的具有比较高的光电变换效率的太阳能电池构造之一，有将正负的电极全部设在非受光面(背面)的背面电极型太阳能电池。图1显示背面电极型太阳能电池的背面的概观。射极层102及基底层101为交互地被配列，且沿着各个层在层上设置电极(103、104)。射极层幅宽是数mm～数百μm，基底层幅宽则是数百μm～数十μm。此外，电极幅宽数百～数十μm左右为一般，该电极多被称呼为指状电极。图2显示背面电极型太阳能电池的剖面构造的模式图。在基板202的背面的最表层附近形成射极层102及基底层101。各层的厚度为至多1μm左右。在各层上设置指状电极(205、206)，非电极领域的表面是由氮化硅膜或氧化硅膜等的背面保护膜207所覆盖。受光面侧在减低反射损失的目的下，设置反射防止膜201。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-332273号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在背面电极型的太阳能电池的制法上的问题点之一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制造方法，具有准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的前述介电体膜的步骤、沿着前述介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是，具有对于实施部分地去除前述介电体膜的步骤与形成前述电极的步骤之后的半导体基板，测定前述介电体膜部分地被去除的领域的位置与前述形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于前述被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除前述介电体膜的领域的位置后部分地去除前述介电体膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池的制造方法，具有准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的前述介电体膜的步骤、沿着前述介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法，其特征是，具有对于实施部分地去除前述介电体膜的步骤与形成前述电极的步骤之后的半导体基板，测定前述介电体膜部分地被去除的领域的位置与前述形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤，基于前述被测定的位置关系，对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板，在调整部分地去除前述介电体膜的领域的位置后部分地去除前述介电体膜。2.根据权利要求1记载的太阳能电池的制造方法，其中，将前述相对的位置关系的测定、一一在前述半导体基板的面内选择出的坐标进行，而且，将部分地去除前述介电体膜的领域的位置的调整、一一对该选择出的坐标进行。3.根据权利要求1或2记载的太阳能电池的制造方法，其中，将前述半导体基板的面内分割成多个领域，一一对该被分割的领域分配代表该领域的坐标，将前述相对的位置关系的测定、一一对前述被分割的领域被分配的坐标进行，而且，将部分地去除前述介电体膜的领域的位置的调整、一一对该被分配的坐标进行。4.根据权利要求1至3中任一项记载的太阳能电池的制造方法，其中，将前述相对的位置关系的测定、仅针对前述电极的长边方向所正交的方向进行。5.根据权利要求1至4中任一项记载的太阳能电池的制造方法，其中，将前述电极的形成、采用网版印刷法进行。6.根据权利要求1至5中任一项记载的太阳能电池的制造方法，其中，将前述介电体膜的部分的去除、使用激光进行。7.根据权利要求1至6中任一项记载的太阳能电池的制造方法，其中，在部分地去除前述介电体膜的步骤之后、形成前述电极的步骤之前，在前述介电体膜部分地被去除的领域让不纯物扩散、形成扩散层。8.根据权利要求1至6中任一项记载的太阳能电池的制造方法，其中，作为前述半导体基板，准备在前述第一主表面具有扩散层的基板。9.根据权利要求1至8中任一项记载的太阳能电池的制造方法，其中，通过部分地去除前述介电体膜，将除去该介电体膜的领域的每单位面积的介电体膜量作成在未去除前述介电体膜的领域的每单位面积的介电体膜量的1/10以下。10.一种太阳能电池，在半导体基板的第一主表面，具有基底层与邻接该基底层的射极层，在前述基底层上配置电极的太阳能电池，其特征是，前述基底层在前述第一主表面上具有长度与幅宽的线状领域；该线状领域具有比前述线状领域的长度短的直线状领域；该直线状领域包含被配置在前述线状领域的从其他直线状领域的延长上偏移的位置者。11.根据权利要求10记载的太阳能电池，其中，前述基底层的幅宽是5...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部武纪，三田怜，桥上洋，大塚宽之，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP