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一种原子薄膜阴极制备方法技术

技术编号:21304449 阅读:30 留言:0更新日期:2019-06-12 09:19
本发明专利技术提供了一种原子薄膜阴极制备方法,包括如下步骤:将钨粉与电子粉按比例混合均匀,然后依次经过还原烘烤、掺胶制粒、压制成型、脱胶、高温烧结、浸渍电子粉、激活等过程,即得原子薄膜阴极。该方法制备的原子薄膜阴极是由两部分组成,第一部分:原子膜层,在阴极表面形成一层Ba‑Y‑O单原子层,偶极子层的发射表面,它降低了电子逸出功,降低了电子逸出的表面势垒,极为有利于电子发射。第二部分:钨基体,由具有一定强度的多孔的钨海绵基体,它蕴藏了压制和浸渍的所有电子发射物质,起着储备Ba、Y源的作用。激活后,不断向电极表面扩散和输送Ba、Y原子流,以维持和保证阴极表层的活性,闪光次数极大的增加,色温和光电参数都得到改善。

A Method for Preparing Atomic Thin Film Cathode

The invention provides a preparation method of atomic thin film cathode, which comprises the following steps: mixing tungsten powder and electronic powder in proportion and evenly, then through reduction baking, glue mixing, granulation, pressing, degumming, high temperature sintering, impregnation of electronic powder, activation and other processes, the atomic thin film cathode is obtained. The atomic thin film cathode prepared by this method consists of two parts. The first part is the atomic film layer, which forms a single layer of Ba_Y_O on the surface of the cathode and the emission surface of the dipole layer. It reduces the work of electron escape, reduces the surface barrier of electron escape, and is very conducive to electron emission. The second part: Tungsten matrix, consisting of porous tungsten sponge matrix with certain strength, contains all electronic emission materials pressed and impregnated, and plays the role of reserving Ba and Y sources. After activation, Ba and Y atoms are continuously diffused and transported to the electrode surface to maintain and ensure the activity of the cathode surface. The number of flashes is greatly increased, and the color temperature and photoelectric parameters are improved.

【技术实现步骤摘要】
一种原子薄膜阴极制备方法
本专利技术涉及闪光灯用阴极
,尤其涉及一种原子薄膜阴极制备方法。
技术介绍
电子闪光灯应用广泛,如摄影、交通、航空、医疗、宣传等等。闪光灯的重要组件就是闪光灯管,它是一根玻璃管(有多种形状),两端用钨杆封接电极(阳极/阴极)管内抽真空,充氙气,管外有触发线圈组成。它是一种气体放电装置,结构看似简单,但威力强大。能在极短的毫秒之间,发出6000K(近似太阳)的白光。其原因就是管内的阴极发射电子产生的,它是灯管的核心部位,也体现了它的核心技术。电子闪光灯管阴极的制造,生产工艺流程:复旦大学《电光源工艺》资料指出:在电光源工业中,按电子发射材料的添加方式不同,将阴极头的生产工艺分为两种,压制式和浸渍式。一:压制式阴极的典型工艺流程:将钨粉、发射材料、激活剂依次进行混粉、球磨、压制、烧结及精加工,即得阴极。二:浸渍式阴极典型工艺流程:将钨粉进行预处理,然后依次经过成形、烧结、浸铜、机械加工、去铜得到海绵钨,然后添加发射材料并涂活性物经过浸渍和精加工之后即得阴极。这是多年以来我国生产电子闪光灯管阴极的两种经典工艺。随着时代的进步与要求,这两个工艺的不完善凸显出来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子薄膜阴极制备方法,其特征在于,包括如下步骤:A、混料,以质量百分比计,将85~98%的钨粉与2~15%的电子粉混合均匀;B、还原烘烤,将上述混合料进行还原烘烤,逐步加热到800~1200℃并保温20~45分钟,然后冷却备用;C、掺胶制粒,以步骤B所得混合料质量计,向混合料中添加质量占比为2~3%的成型剂并混合均匀,过筛后再制粒,烘干备用;D、压制成型,将步骤C中所得物料通过成型机压制成型,得电极粒坯备用;E、脱胶,上述所得电极粒坯进行真空加热,升温速度控制在60~80℃/h,当温度达到620~700℃时,保温20~45分钟,然后降温至200℃以下取料备用;F、高温烧结,将步骤E中所...

【技术特征摘要】
1.一种原子薄膜阴极制备方法,其特征在于,包括如下步骤:A、混料,以质量百分比计,将85~98%的钨粉与2~15%的电子粉混合均匀;B、还原烘烤,将上述混合料进行还原烘烤,逐步加热到800~1200℃并保温20~45分钟,然后冷却备用;C、掺胶制粒,以步骤B所得混合料质量计,向混合料中添加质量占比为2~3%的成型剂并混合均匀,过筛后再制粒,烘干备用;D、压制成型,将步骤C中所得物料通过成型机压制成型,得电极粒坯备用;E、脱胶,上述所得电极粒坯进行真空加热,升温速度控制在60~80℃/h,当温度达到620~700℃时,保温20~45分钟,然后降温至200℃以下取料备用;F、高温烧结,将步骤E中所得电极粒坯进行高温烧结,升温速度控制在200~350℃/h,当温度达到1500~2500℃时保温30~80分钟,然后冷却备用;G、浸渍电子粉,将电子粉调成稀浆糊状,将高温烧结后的电极粒坯用浸渍电子粉,然后取出待晾干后备用;H、激活,将步骤G得到的电极粒坯进行高温处理,升温速度控制在200~350℃/h,当温度达到1500~2500℃时保温1~5分钟,然后冷却即得原子薄膜阴极。2.根据权利要求1所述的原子薄膜阴极制备方法,其特征在于:步骤A中所述电子粉为含Ba的锆酸盐、铝酸盐、钨酸盐中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的原子薄膜阴极制备方法,其特征在于:步骤A中所述钨粉粒度在10um以下。4.根据权利要求1所述的原子薄膜阴极制备方法,其特征在于:步骤B...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴连孚
申请(专利权)人:戴连孚戴琦戴瑾
类型:发明
国别省市:湖南,43

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