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本发明提供了一种原子薄膜阴极制备方法，包括如下步骤：将钨粉与电子粉按比例混合均匀，然后依次经过还原烘烤、掺胶制粒、压制成型、脱胶、高温烧结、浸渍电子粉、激活等过程，即得原子薄膜阴极。该方法制备的原子薄膜阴极是由两部分组成，第一部分：原子膜层...
该专利属于戴连孚;戴琦;戴瑾所有，仅供学习研究参考，未经过戴连孚;戴琦;戴瑾授权不得商用。

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