The invention discloses a quantitative analysis method of verification graphics for OPC verification, including steps: first, creating graphic index of verification graphics and storing it in database; second, counting error points, intercepting and comparing graphic blocks, calculating eigenvalues, creating error point index corresponding to each eigenvalue; and storing error point index, corresponding comparison graphic blocks and eigenvalues into database. Step 3: Statistical analysis, including: step 31, search the error point index, get the corresponding frequency list of each eigenvalue; step 32, normalize the frequency list, calculate the distribution value of the eigenvalue by two-dimensional integration; step 4, generate test graphics, including: step 41, according to the distribution value of the eigenvalue, get the error point index matrix; step 42, adopt. Monte Carlo sampling is used to obtain a set of error point index, find the corresponding contrast block and generate the test graph. The invention can save time and effort and improve the OPC process more accurately.
【技术实现步骤摘要】
用于OPC验证的验证图形的量化分析方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法,特别是涉及一种用于光学临近效应修正(OpticalProximityCorrection,OPC)验证(verify)的验证图形(pattern)的量化分析方法。
技术介绍
在半导体制造的掩模板出版过程中,一般需要采用到OPC技术对掩模板图形进行修正,使用OPC修正后的掩模板进行成像后能使形成于半导体衬底上的目标图形达到目标要求,能消除目标图形中的由于光学临近效应造成的失真或变形。OPC修正后的掩模板在进行出版前还需进行OPC验证,用以模拟OPC修正后的掩模板是否正确。OPC验证过程中通常遇到各种问题,需要对问题进行逐一排查并解决,效率低下。如图1所示是现有OPC验证中出现的线端(lineend)问题的图形结构,如设计的图形101和OPC后得到的掩模板上的图形102之间在线端具有差异。通常,图1所示的线端问题需要改善OPC制程才能满足要求,或者需要工艺整合工程师(PIE)协助在晶圆(wafer)寻找和确认,费时费力,且新OPC制程可能对其它结构产生不良影响,导致OPC结果变差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用于OPC验证的验证图形的量化分析方法,能省时省力并更为精准的提升OPC制程。为解决上述技术问题,本专利技术提供的用于OPC验证的验证图形的量化分析方法包括如下步骤:步骤一、创建验证图形的图形索引并存入数据库;所述图形索引指向了所采用的所有所述验证图形。步骤二、统计所有所述验证图形中存在的错误点,以对应的所述错误点为中心坐标点,在所述错误点对应的所述验证 ...
【技术保护点】
1.一种用于OPC验证的验证图形的量化分析方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、创建验证图形的图形索引并存入数据库;所述图形索引指向了所采用的所有所述验证图形;步骤二、统计所有所述验证图形中存在的错误点,以对应的所述错误点为中心坐标点,在所述错误点对应的所述验证图形中截取比对图形块,计算所述比对图形块的特征值,创建各所述错误点对应的所述比对图形块的所述特征值对应的错误点索引;将所述错误点索引和各所述比对图形块以及对应的特征值都存入数据库;步骤三、对所述数据库中的数据进行统计分析,包括如下分步骤:步骤31、搜索所述错误点索引,统计得到各所述特征值相应的频次列表;步骤32、将所述特征值的频次列表归一化,进行二维积分计算得到对应的所述特征值的分布值;步骤四、生成测试图形,包括如下分步骤:步骤41、根据所述特征值的分布值,得到所述错误点索引的矩阵;步骤42、采用蒙特卡洛抽样,在所述错误点索引的矩阵中得到一组所述错误点索引,根据所得到的一组所述错误点索引在所述数据库中寻找对应的所述对比图形块并将所述对比图形块按一定的阵列生成所述测试图形。
【技术特征摘要】
1.一种用于OPC验证的验证图形的量化分析方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、创建验证图形的图形索引并存入数据库;所述图形索引指向了所采用的所有所述验证图形;步骤二、统计所有所述验证图形中存在的错误点,以对应的所述错误点为中心坐标点,在所述错误点对应的所述验证图形中截取比对图形块,计算所述比对图形块的特征值,创建各所述错误点对应的所述比对图形块的所述特征值对应的错误点索引;将所述错误点索引和各所述比对图形块以及对应的特征值都存入数据库;步骤三、对所述数据库中的数据进行统计分析,包括如下分步骤:步骤31、搜索所述错误点索引,统计得到各所述特征值相应的频次列表;步骤32、将所述特征值的频次列表归一化,进行二维积分计算得到对应的所述特征值的分布值;步骤四、生成测试图形,包括如下分步骤:步骤41、根据所述特征值的分布值,得到所述错误点索引的矩阵;步骤42、采用蒙特卡洛抽样,在所述错误点索引的矩阵中得到一组所述错误点索引,根据所得到的一组所述错误点索引在所述数据库中寻找对应的所述对比图形块并将所述对比图形块按一定的阵列生成所述测试图形。2.如权利要求1所述的用于OPC验证的验证图形的量化分析方法,其特征在于,还包括如下步骤:步骤五、进行不同OPC制程的比较,提升所述测试图形的通用性,包括如下分步骤:步骤51、对相应的一个所述对比图形块,采用两种以上的不同OPC制程进行OPC,如果两种所述OPC制程对应的结果是否相同或相差在允许范围,则将对应的所述比较图形块标记为通用比较图形块;步骤52、找出所有所述通用比较图形块,得到对应的所述错误点索引的矩阵;步骤53、采用蒙特卡洛抽样,在所述错误点索引的矩阵中得到一组所述错误点索引,根据所得到的一组所述错误点索引在所述数据库中寻找对应的所述对比图形块并将所述对比图形块按一定的阵列生成所述测试图形。3.如权利要求1所述的用于OPC验证的验证图形的量化分析方法,其特征在于:步骤一中所述验证图形为所有制造厂、所有产品和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯佳计,金晓亮,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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