于记忆装置进行访问控制的方法、记忆装置和其控制器制造方法及图纸

本发明专利技术公开了用来于一记忆装置中进行存取控制的方法以及相关的记忆装置及其控制器。所述方法可包含：依据至少一预定排列型样，分别将多组符元写入一存储器的多个存储区，作为多个容错式磁盘阵列群组；以及利用所述记忆装置中的一容错式磁盘阵列引擎电路进行涉及数据保护的多个运作，例如：决定对应于所述至少一预定排列型样的一系列读取型样；依据所述系列读取型样中的一读取型样，从所述多个容错式磁盘阵列群组中的每一容错式磁盘阵列群组读取多个符元；以及对所述多个符元进行互斥或运作，以将所述多个符元转换成至少一互斥或结果。本发明专利技术能使所述控制器于进行数据保护时妥善地进行存取控制，以在硬件资源有限的状况下提升记忆装置的效能。

【技术实现步骤摘要】
于记忆装置进行访问控制的方法、记忆装置和其控制器
本专利技术涉及闪存(Flashmemory)的存取(access)，尤其涉及一种用来于一记忆装置中进行存取控制的方法以及相关的记忆装置及其控制器。
技术介绍
近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(singlelevelcell,SLC)与多阶细胞(multiplelevelcell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memorycell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。依据现有技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。例如：因应某些类型的数据保护需求，硬件架构可能变得复杂；又例如：因应某些类型的数据保护需求，大量的数据存取可导致记忆装置的整体效能降低。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升记忆装置的效能。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行存取控制的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。本专利技术的另一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行存取控制的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。本专利技术的至少一实施例公开一种用来于一记忆装置中进行存取控制的方法，其中所述记忆装置包含一非挥发性存储器(non-volatilememory,NVmemory)，且所述非挥发性存储器包含至少一非挥发性存储器组件(NVmemoryelement)。所述方法可包含：依据至少一预定排列型样，分别将多组符元写入一存储器的多个存储区，作为多个容错式磁盘阵列(RedundantArrayofIndependentDisks,RAID)群组，以供进行于存取(access)所述非挥发性存储器时的数据保护，其中所述存储器是挥发性存储器(volatilememory)、且位于所述记忆装置中；利用所述记忆装置中的一容错式磁盘阵列引擎电路决定对应于所述至少一预定排列型样的一系列读取型样，其中所述存储器是用来提供存储空间给所述容错式磁盘阵列引擎电路；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述系列读取型样中的一读取型样，从所述多个容错式磁盘阵列群组中的每一容错式磁盘阵列群组读取多个符元；以及利用所述容错式磁盘阵列引擎电路对所述多个符元进行互斥或(exclusive-OR,XOR)运作，以将所述多个符元转换成对应于所述容错式磁盘阵列群组的至少一互斥或结果，其中所述至少一互斥或结果是用来进行数据保护。本专利技术的至少一实施例公开一种记忆装置，其可包含：一非挥发性存储器，用来存储信息，其中所述非挥发性存储器包含至少一非挥发性存储器组件；以及一控制器，耦接至所述非挥发性存储器，用来控制所述记忆装置的运作。所述控制器可包含一控制逻辑电路，所述控制逻辑电路是耦接至所述非挥发性存储器，且可用来控制所述非挥发性存储器，其中所述控制逻辑电路包含：一容错式磁盘阵列引擎电路，用来进行数据保护；以及一存储器，用来提供存储空间给所述容错式磁盘阵列引擎电路，其中所述存储器是挥发性存储器。所述控制器可另包含一处理电路，而所述处理电路是耦接至所述控制逻辑电路，且可依据来自一主装置的一指令控制所述控制器，以容许所述主装置通过所述控制器存取所述非挥发性存储器。例如，在所述处理电路的控制下，所述控制器可进行下列运作：依据至少一预定排列型样，分别将多组符元写入所述存储器的多个存储区，作为多个容错式磁盘阵列群组，以供进行于存取所述非挥发性存储器时的数据保护；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路决定对应于所述至少一预定排列型样的一系列读取型样；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述系列读取型样中的一读取型样，从所述多个容错式磁盘阵列群组中的每一容错式磁盘阵列群组读取多个符元；以及利用所述容错式磁盘阵列引擎电路对所述多个符元进行互斥或运作，以将所述多个符元转换成对应于所述容错式磁盘阵列群组的至少一互斥或结果，其中所述至少一互斥或结果是用来进行数据保护。本专利技术的至少一实施例公开一种记忆装置的控制器，其中所述记忆装置包含所述控制器与一非挥发性存储器，且所述非挥发性存储器包含至少一非挥发性存储器组件。所述控制器可包含一控制逻辑电路，所述控制逻辑电路是耦接至所述非挥发性存储器，且可用来控制所述非挥发性存储器，其中所述控制逻辑电路包含：一容错式磁盘阵列引擎电路，用来进行数据保护；以及一存储器，用来提供存储空间给所述容错式磁盘阵列引擎电路，其中所述存储器是挥发性存储器。所述控制器可另包含一处理电路，而所述处理电路是耦接至所述控制逻辑电路，且可依据来自一主装置的一指令控制所述控制器，以容许所述主装置通过所述控制器存取所述非挥发性存储器。例如，在所述处理电路的控制下，所述控制器可进行下列运作：依据至少一预定排列型样，分别将多组符元写入所述存储器的多个存储区，作为多个容错式磁盘阵列群组，以供进行于存取所述非挥发性存储器时的数据保护；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路决定对应于所述至少一预定排列型样的一系列读取型样；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述系列读取型样中的一读取型样，从所述多个容错式磁盘阵列群组中的每一容错式磁盘阵列群组读取多个符元；以及利用所述容错式磁盘阵列引擎电路对所述多个符元进行互斥或运作，以将所述多个符元转换成对应于所述容错式磁盘阵列群组的至少一互斥或结果，其中所述至少一互斥或结果是用来进行数据保护。本专利技术的好处的一是，本专利技术能使所述控制器于进行数据保护时妥善地进行存取控制，以在硬件资源有限的状况下提升记忆装置的效能。另外，依据本专利技术的实施例来实施并不会增加许多额外的成本。因此，现有技术的问题可被解决，且整体成本不会增加太多。相较于现有技术，本专利技术能在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化效能。附图说明图1为依据本专利技术一实施例的一种记忆装置与一主装置(hostdevice)的示意图。图2为依据本专利技术一实施例的一种用来于一记忆装置中进行存取控制的方法的数据保护方案的示意图。图3绘示所述方法于一实施例中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用来于一记忆装置中进行存取控制的方法，所述记忆装置包含一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包含至少一非挥发性存储器组件，所述方法的特征在于，包含有：依据至少一预定排列型样，分别将多组符元写入一存储器的多个存储区，作为多个容错式磁盘阵列群组，以供进行于存取所述非挥发性存储器时的数据保护，其中所述存储器是挥发性存储器、且位于所述记忆装置中；利用所述记忆装置中的一容错式磁盘阵列引擎电路决定对应于所述至少一预定排列型样的一系列读取型样，其中所述存储器是用来提供存储空间给所述容错式磁盘阵列引擎电路；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述系列读取型样中的一读取型样，从所述多个容错式磁盘阵列群组中的每一容错式磁盘阵列群组读取多个符元；以及利用所述容错式磁盘阵列引擎电路对所述多个符元进行互斥或运作，以将所述多个符元转换成对应于所述容错式磁盘阵列群组的至少一互斥或结果，其中所述至少一互斥或结果是用来进行数据保护。

【技术特征摘要】
2017.11.30 TW 1061417911.一种用来于一记忆装置中进行存取控制的方法，所述记忆装置包含一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包含至少一非挥发性存储器组件，所述方法的特征在于，包含有：依据至少一预定排列型样，分别将多组符元写入一存储器的多个存储区，作为多个容错式磁盘阵列群组，以供进行于存取所述非挥发性存储器时的数据保护，其中所述存储器是挥发性存储器、且位于所述记忆装置中；利用所述记忆装置中的一容错式磁盘阵列引擎电路决定对应于所述至少一预定排列型样的一系列读取型样，其中所述存储器是用来提供存储空间给所述容错式磁盘阵列引擎电路；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述系列读取型样中的一读取型样，从所述多个容错式磁盘阵列群组中的每一容错式磁盘阵列群组读取多个符元；以及利用所述容错式磁盘阵列引擎电路对所述多个符元进行互斥或运作，以将所述多个符元转换成对应于所述容错式磁盘阵列群组的至少一互斥或结果，其中所述至少一互斥或结果是用来进行数据保护。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法另包含：利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据分别对应于所述多个容错式磁盘阵列群组的多个互斥或结果，进行容错式磁盘阵列保护，以避免数据错误，其中所述多个互斥或结果包含所述至少一互斥或结果。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法另包含：检查是否所述容错式磁盘阵列群组中的全部的符元均已读取完毕，以决定是否停止或继续读取所述容错式磁盘阵列群组；以及当决定继续读取所述容错式磁盘阵列群组时，利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述系列读取型样中的一后续的读取型样，读取所述容错式磁盘阵列群组中尚未被读取的符元，以供进一步数据保护。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法另包含：利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据一目前需求，决定对应于所述目前需求的一再折模式，其中所述再折模式涉及所述容错式磁盘阵列引擎电路所进行的数据保护运作；以及利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述再折模式，决定对应于所述至少一预定排列型样的所述系列读取型样。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述目前需求是所述记忆装置的多个类型的需求的其中之一；以及所述方法另包含：利用所述容错式磁盘阵列引擎电路因应所述多个类型的需求，动态地调整所述再折模式，且对应地调整所述系列读取型样。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法另包含：利用所述容错式磁盘阵列引擎电路因应所述记忆装置的多个类型的需求，动态地调整所述系列读取型样，其中所述系列读取型样对应于涉及数据保护运作的一再折模式，所述数据保护运作是由所述容错式磁盘阵列引擎电路所进行。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器是所述容错式磁盘阵列引擎电路的专用存储器。8.一种记忆装置，其特征在于，包含有：一非挥发性存储器，用来存储信息，其中所述非挥发性存储器包含至少一非挥发性存储器组件；以及一控制器，耦接至所述非挥发性存储器，用来控制所述记忆装置的至少一运作，其中所述控制器包含：一控制逻辑电路，耦接至所述非挥发性存储器，用来控制所述非挥发性存储器，其中所述控制逻辑电路包含：一容错式磁盘阵列引擎电路，用来进行数据保护；以及一存储器，用来提供存储空间给所述容错式磁盘阵列引擎电路，其中所述存储器是挥发性存储器；以及一处理电路，耦接至所述控制逻辑电路，用来依据来自一主装置的一指令控制所述控制器，以容许所述主装置通过所述控制器存取所述非挥发性存储器，其中在所述处理电路的控制下，所述控制器进行下列运作：依据至少一预定排列型样，分别将多组符元写入所述存储器的多个存储区，作为多个容错式磁盘阵列群组，以供进行于存取所述非挥发性存储器时的数据保护；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路决定对应于所述至少一预定排列型样的一系列读取型样；利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据所述系列读取型样中的一读取型样，从所述多个容错式磁盘阵列群组中的每一容错式磁盘阵列群组读取多个符元；以及利用所述容错式磁盘阵列引擎电路对所述多个符元进行互斥或运作，以将所述多个符元转换成对应于所述容错式磁盘阵列群组的至少一互斥或结果，其中所述至少一互斥或结果是用来进行数据保护。9.如权利要求8所述的记忆装置，其特征在于，所述控制器利用所述容错式磁盘阵列引擎电路依据分别对应于所述多个容错式磁盘阵列群组的多个互斥或结果，进行容错式磁盘阵列保护，以避免数据错误，其中所述多个互斥或结果包含所述至少一互...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑巧雯，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71