基板结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种基板结构，包含基板、集成电路芯片、电路结构以及散热结构。集成电路芯片设置于基板中。电路结构电性连接至集成电路芯片。散热结构设置于基板中，邻近集成电路芯片，且此散热结构与电路结构电性独立。

Substrate structure

The utility model provides a substrate structure, which comprises a substrate, an integrated circuit chip, a circuit structure and a heat dissipation structure. The integrated circuit chip is arranged in the substrate. The circuit structure is electrically connected to the integrated circuit chip. The heat dissipation structure is arranged in the substrate, adjacent to the integrated circuit chip, and the heat dissipation structure is independent of the electrical property of the circuit structure.

【技术实现步骤摘要】
基板结构
本技术涉及一种基板结构。更具体地来说，本技术涉及一种具有邻近集成电路芯片的散热结构的基板结构。
技术介绍
随着科技的发展，现今电子产品的使用愈来愈普遍，尤其手机更是逐渐成为现代人生活的重心。近年来，快速充电技术成为各大手机制造商研究开发的目标，目前此技术已导入手机应用中。然而，受限于手机内部基板的尺寸，在不影响手机功能的情况下，电池容量一直无法提升。此外，在使用时，手机的快速充电模块或电源管理模块相较于其他部分会通过较大的电流，且在流经大电流的情况下，不论集成电路(integratedcircuit；IC)芯片本身及周围的无源元件皆是发热源，因此手机在进行充电或耗能的操作时，往往会产生发热的问题。
技术实现思路
为了解决上述现有的问题点，本技术提供一种基板结构，包含一基板、一集成电路芯片、一电路结构以及一散热结构。集成电路芯片设置于基板中。电路结构电性连接至集成电路芯片。散热结构设置于基板中，邻近集成电路芯片，且此散热结构与电路结构电性独立。在一实施例中，集成电路芯片更具有一第一表面、一第二表面及至少一接点，其中第二表面是相反于第一表面，接点位于第一表面上，且电路结构与前述接点连接，第二表面面朝散热结构。由垂直于第一表面的方向观察，集成电路芯片与散热结构至少部分重叠。基板结构还包含一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中基板位于第一绝缘层及第二绝缘层之间，第二表面面朝第二绝缘层，且散热结构贯穿第二绝缘层。散热结构还包含多个导热构件。前述接点包含一功率接点与一信号接点，且散热结构邻近功率接点的密集程度大于散热结构邻近信号接点的密集程度。在一实施例中，散热结构还包含一导热构件以及一散热件，且散热件于表面具有多个凸出部。基板结构还包含一另一散热结构，其中第一表面面朝前述另一散热结构。基板结构还包含一金属导热板，金属导热板设置在基板中，且位于第二表面及散热结构之间。在一实施例中，基板结构还包含一第三绝缘层及一金属导热板，其中第三绝缘层位于第二绝缘层与金属导热板之间，且金属导热板同时接触第三绝缘层及散热结构。基板结构还包含一无源元件及一绝缘材料层，其中无源元件设置于第一绝缘层上，且绝缘材料层包覆无源元件。第二绝缘层及基板中形成有一沟槽，且散热结构设置于沟槽中。在一实施例中，基板结构还包含一金属导热板，设置于基板上，其中金属导热板同时接触基板及散热结构。基板结构还包含一散热件，其中金属导热板位于散热结构及散热件之间。散热结构具有一第一截面及一第二截面，第一截面位于集成电路芯片与第二截面之间，且第一截面的面积小于第二截面的面积。散热结构与集成电路芯片之间夹有部分基板。根据本技术的一种基板结构，包括：一基板；一集成电路芯片，设置于该基板中；一电路结构，电性连接该集成电路芯片；以及一散热结构，设置于该基板中，邻近该集成电路芯片，且该散热结构与该电路结构电性独立。优选的，其中该集成电路芯片还具有一第一表面、一第二表面及至少一接点，该第二表面是相反于该第一表面，该接点位于该第一表面上，且该电路结构与该至少一接点连接，该第二表面面朝该散热结构。优选的，其中由垂直于该第一表面的方向观察，该集成电路芯片与该散热结构至少部分重叠。优选的，还包括一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该基板位于该第一绝缘层及该第二绝缘层之间，该第二表面面朝该第二绝缘层，且该散热结构贯穿该第二绝缘层。优选的，其中该散热结构还包括多个导热构件。优选的，其中该至少一接点包括一功率接点与一信号接点，且该等导热构件邻近该功率接点的密集程度大于该等导热构件邻近该信号接点的密集程度。优选的，其中该散热结构还包括一导热构件以及一散热件，且该散热件具有多个凸出部。优选的，还包括另一散热结构，其中该第一表面面朝该另一散热结构。优选的，还包括一金属导热板，设置在该基板中，且该金属导热板位于该第二表面及该散热结构之间。优选的，还包括一第三绝缘层及一金属导热板，其中该第三绝缘层位于该第二绝缘层与该金属导热板之间，且该金属导热板同时接触该第三绝缘层及该散热结构。优选的，还包括一无源元件及一绝缘材料层，其中该无源元件设置于该第一绝缘层上，且该绝缘材料层包覆该无源元件。优选的，其中该第二绝缘层及该基板中形成有一沟槽，且该散热结构设置于该沟槽中。优选的，还包括一金属导热板，设置于该基板上，其中该金属导热板同时接触该基板及该散热结构。优选的，还包括一散热件，其中该金属导热板位于该散热结构及该散热件之间。优选的，其中该散热结构具有一第一截面及一第二截面，该第一截面位于该集成电路芯片与该第二截面之间，且该第一截面的面积小于该第二截面的面积。优选的，其中该散热结构与该集成电路芯片之间夹有部分该基板。附图说明图1显示根据本技术一实施例的基板结构的剖视示意图。图2显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图3显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图4显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图5显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图6显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图7显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图8显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图9显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。图10显示根据本技术另一实施例的基板结构的剖视示意图。。附图标记列表1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J～基板结构；10～基板；11～上部；12～下部；20～集成电路芯片；201～第一表面；202～第二表面；203～接点；203P～功率接点；203S～信号接点；30～电路结构；40～第一绝缘层；50～第二绝缘层；52～第三绝缘层；60A、60B、60C、60D、60E、60F、60G、60H、60I、60J～散热结构；61、61’、61”、64～导热构件；611～第一截面；612～第二截面62～导热材料层；63、63’～散热件；631、631’～凸出部；70A、70B～无源元件；80～绝缘材料层；90、90’、90”～金属导热板；G～间隙；Wi～第三绝缘层的厚度；Wm～金属导热板的厚度。具体实施方式以下说明本技术实施例的基板结构。然而，可轻易了解本技术实施例提供许多合适的技术概念而可实施于广泛的各种特定背景。所公开的特定实施例仅仅用于说明以特定方法使用本技术，并非用以局限本技术的范围。除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。请先参照图1，图1显示根据本技术一实施例的基板结构1A的剖视示意图。在本实施例中，基板结构1A主要包含一基板10、一集成电路芯片20、一电路结构30、一第一绝缘层40、一第二绝缘层50、以及一散热结构60A。集成电路芯片20是设置于基板10中，其中基板10包含上部11及下部12。举例而言，集成电路芯片20是设置于下部12上，再于集成电路芯片20上设置上部11，最后以压合加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板结构，其特征在于，包括：一基板；一集成电路芯片，设置于该基板中；一电路结构，电性连接该集成电路芯片；以及一散热结构，设置于该基板中，邻近该集成电路芯片，且该散热结构与该电路结构电性独立。

【技术特征摘要】
2017.11.07 US 62/582,5911.一种基板结构，其特征在于，包括：一基板；一集成电路芯片，设置于该基板中；一电路结构，电性连接该集成电路芯片；以及一散热结构，设置于该基板中，邻近该集成电路芯片，且该散热结构与该电路结构电性独立。2.如权利要求1所述的基板结构，其特征在于，其中该集成电路芯片还具有一第一表面、一第二表面及至少一接点，该第二表面是相反于该第一表面，该接点位于该第一表面上，且该电路结构与该至少一接点连接，该第二表面面朝该散热结构。3.如权利要求2所述的基板结构，其特征在于，其中由垂直于该第一表面的方向观察，该集成电路芯片与该散热结构至少部分重叠。4.如权利要求2所述的基板结构，其特征在于，还包括一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中该基板位于该第一绝缘层及该第二绝缘层之间，该第二表面面朝该第二绝缘层，且该散热结构贯穿该第二绝缘层。5.如权利要求4所述的基板结构，其特征在于，其中该散热结构还包括多个导热构件。6.如权利要求5所述的基板结构，其特征在于，其中该至少一接点包括一功率接点与一信号接点，且该等导热构件邻近该功率接点的密集程度大于该等导热构件邻近该信号接点的密集程度。7.如权利要求4所述的基板结构，其特征在于，其中该散热结构还包括一导热构件以及一散热件，且该散热件具有多个凸出部...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭洪，吴基福，曾安平，吴皓宇，
申请(专利权)人：台湾东电化股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71