薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置。其中，薄膜晶体管，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。上述薄膜晶体管(TFT)中，在有源层与所述基板之间设置有导热性能较优的导热结构，可以使有源层自加热产生的热量被快传地传递至基板进而导出，从而有效避免热量积累，进而可以缓解自加热效应对TFT电特性造成的影响，改善TFT电特性，提高TFT的稳定性和良率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置。
技术介绍
随着显示器件朝高分辨率及柔性特性的演进，低温多晶硅(LTPS)凭借其高载流子迁移率成为了不可或缺的薄膜晶体管(TFT)有源层材料，在LCD和AMOLED制造中被广泛运用。LTPS的结构来源于金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SOI(Silicon-On-Insulator)技术，采用顶栅结构方式。有研究表明，随着漏极电压(Vd)增大及负载时间变长，有源层的自加热效应(self-heatingeffect)会导致TFT的阈值电压(Vth)发生漂移，且TFT沟道区面积越大，该效应影响越显著。以AMOLED常用的PMOS型LTPSTFT为例，自加热效应会使得Vth发生负偏，漏电流增大，且对于沟道面积较大的DTFT(DriveTFT)来说影响更加显著，而这对于正常显示来说显然是不希望发生的，有必要针对该问题提出解决方法。
技术实现思路
本专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板及装置，目的是减小TFT自加热效应的影响，改善TFT的电性能和稳定性。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种薄膜晶体管，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。上述薄膜晶体管(TFT)中，在有源层与所述基板之间设置有导热性能较优的导热结构，可以使有源层自加热产生的热量被快传地传递至基板进而导出，从而有效避免热量积累，进而可以缓解自加热效应对TFT电特性造成的影响，改善TFT电特性，提高TFT的稳定性和良率。可选的，所述导热结构为金属材料。可选的，所述导热结构包括至少一个从所述基板至所述有源层方向延伸的导热柱。可选的，所述导热柱的两端分别与所述基板和所述有源层相接触；或者，所述导热柱朝向所述有源层的一端不与所述有源层相接触。可选的，所述导热结构位于所述有源层的沟道区域与所述基板之间。可选的，所述导热结构包括多个所述导热柱，其中，所述有源层的沟道区域与所述基板之间的导热柱的密度大于所述有源层的其它区域与所述基板之间的导热柱的密度。可选的，所述导热结构还包括位于所述绝缘层和所述基板之间的导热层。可选的，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。可选的，所述基板为不锈钢材料。一种阵列基板，包括上述任一技术方案中所述的薄膜晶体管。一种显示面板，包括上述技术方案中所述的阵列基板。一种显示装置，包括上述技术方案中所述的显示面板。一种如上述任一技术方案中所述的薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：在基板上形成绝缘层和导热结构；在所述绝缘层和导热结构上制备有源层。可选的，在基板上形成绝缘层和导热结构，包括：在基板上制备绝缘层，并利用第一次构图工艺在所述绝缘层中形成至少一个过孔；在所述绝缘层上沉积金属层，并利用第二次构图工艺形成导热结构的图形，所述导热结构包括位于所述过孔中的导热柱。可选的，在基板上形成绝缘层和导热结构，包括：在基板上制备金属层，并利用构图工艺形成导热结构的图形，所述导热结构包括至少一个从所述基板至所述有源层方向延伸的导热柱；在所述导热结构上制备绝缘层。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的部分结构示意图；图3为本专利技术另一实施例提供的一种薄膜晶体管的部分结构示意图；图4为本专利技术另一实施例提供的一种薄膜晶体管的部分结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管在制备过程中的结构示意图；图6为本专利技术另一实施例提供的一种薄膜晶体管在制备过程中的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。第一方面，如图1至图4所示，本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括基板1、依次设置于所述基板1上的绝缘层2和有源层3；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层3与所述基板1之间的导热结构4，所述导热结构4的导热性能优于所述绝缘层2。上述薄膜晶体管(TFT)中，在有源层3与所述基板1之间设置有导热性能较优的导热结构4，可以使有源层3自加热产生的热量被快传地传递至基板1进而导出，从而有效避免热量积累，进而可以缓解自加热效应对TFT电特性造成的影响，改善TFT电特性，提高TFT的稳定性和良率。如图1所示，一种具体的实施例中，所述薄膜晶体管可以为低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)，即有源层3为低温多晶硅层。LTPSTFT具有较高的载流子迁移率，漏电流较大，自发热现象明显；通过在LTPSTFT中设置导热结构4，可以更加显著地缓解自加热效应产生的影响，进而对于LTPSTFT的性能、稳定性和良率的改善效果比较显著。一种具体的实施例，所述导热结构4可以为金属材料。示例性的，可以优选传热性和热稳定性均较好的金属材料，例如钼(Mo)、铝(Al)等。如图1至图4所示，一种具体的实施例，所述导热结构4可以包括至少一个从所述基板1至所述有源层3方向延伸的导热柱41。示例性的，导热结构4可以包括多个所述导热柱41，多个导热柱41可以为均匀分布。一方面，由于导热柱41结构体积较小且设置于绝缘层2内，因此对TFT结构和性能的影响比较小；另一方面，导热柱41沿基板1至有源层3方向延伸，可以将有源层3自加热产生的热量高效地传递至基板1，对于TFT的性能和稳定性的改善效果较好。一种具体的实施例，如图2所示，所述导热柱41的两端可以分别与所述基板1和所述有源层3相接触，即导热柱41贯穿绝缘层2。此时，有源层3自加热产生的热量可以高效地通过导热柱41传递至基板1，导热结构4对于TFT的性能和稳定性的改善效果较好。另一种具体的实施例，如图3所示，所述导热柱41朝向基板1的一端与基板1接触、而朝向所述有源层3的一端不与所述有源层3相接触。此时，由于导热结构4不与有源层3接触，进而当LTPSTFT进行准分子激光退火(ELA)工艺时，可以避免有源层3的温度下降太快而影响a-Si的晶化，从而保证形成的P-Si的性能，即保证最终LTPSTFT有源层3的性能。一种具体的实施例，如图1所示，所述导热结构4可以位于所述有源层3的沟道区域A与所述基板1之间，即导热结构4位于沟道区域A下方，以加强沟道区域A与所述基板1之间的导热性。另一种具体的实施例，所述导热结构4包括多个所述导热柱41，其中，所述有源层3的沟道区域A与所述基板1之间的导热柱41的密度大于所述有源层3的其它区域与所述基板1之间的导热柱41的密度，即，位于沟道区域A下方的导热柱41的密度大于其他区域下方的导热柱41的密度，换句话说，即着重加强有源层3的沟道区域A与基板1之间的导热性。由于沟道区域A的自发热现象明显，易产生热量积累，因此，通过着重加强沟道区域A与基板1之间的导热性，可以产生比较显著的导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、依次设置于所述基板上的绝缘层和有源层；所述薄膜晶体管还包括位于所述有源层与所述基板之间的导热结构，所述导热结构的导热性能优于所述绝缘层。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热结构为金属材料。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热结构包括至少一个从所述基板至所述有源层方向延伸的导热柱。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热柱的两端分别与所述基板和所述有源层相接触；或者，所述导热柱朝向所述有源层的一端不与所述有源层相接触。5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热结构位于所述有源层的沟道区域与所述基板之间。6.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热结构包括多个所述导热柱，其中，所述有源层的沟道区域与所述基板之间的导热柱的密度大于所述有源层的其它区域与所述基板之间的导热柱的密度。7.如权利要求3-6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导热结构还包括位于所述绝缘层和所述基板之间的导热层。8.如权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：贵炳强，刘珂，高涛，黄鹏，李文强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11