片上系统、包括该片上系统的电子装置及其驱动方法制造方法及图纸

电子装置包括具有至少一个部件的片上系统(SoC)、存储器和功能性地连接至SoC和存储器的处理器。处理器配置成施加用于以特定频率驱动至少一个部件的默认电压。处理器还配置成确定是否存储有与对应于至少一个部件和特定频率的偏移电压有关的数据。处理器还配置成当存储有与偏移电压有关的数据时，向至少一个部件施加与默认电压不同的偏移电压。其他实施方式也是可能的。

On-chip systems, electronic devices including on-chip systems and their driving methods

Electronic devices include on-chip systems (SoC) with at least one component, memory and processors functionally connected to SoC and memory. The processor is configured to apply a default voltage for driving at least one component at a specific frequency. The processor is also configured to determine whether data related to offset voltages corresponding to at least one component and a specific frequency is stored. The processor is also configured to apply an offset voltage different from the default voltage to at least one component when data related to the offset voltage is stored. Other embodiments are also possible.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】片上系统、包括该片上系统的电子装置及其驱动方法
本专利技术的实施方式涉及片上系统、包括该片上系统的电子装置以及用于驱动电子装置的方法。
技术介绍
随着电子装置(例如，移动装置、智能电话等)的性能得到显著发展，电子装置的数据处理速度也变得更快。然而，数据处理速度的增加可能经常导致电子装置中的功耗增加。因此，功耗的有效管理成为电子装置中的主要问题。片上系统(“SoC”，下文中也简称为“芯片”)是安装在电子装置中的模块之一。近来，为了通过根据电子装置的操作环境而改变施加至芯片的电压和操作频率来降低功耗，动态电压频率缩放(DVFS)技术被应用于SoC。
技术实现思路
技术问题为了提高制造产量，诸如SoC的模块可使用自适应电源电压(ASV)技术以通过测量芯片中的实际操作速度和功耗来控制供应至芯片的电压。制造芯片的供应商可允许芯片具有以比规范中限定的电压低的电压进行操作的裕度(margin)，以确保属于相同ASV群组的芯片的操作速度。然而，当芯片实际应用于电子装置时，由于板本身的固有电压降(也称为板IR降)和电源管理集成电路(PMIC)变化，该裕度通常可能不同于制造芯片时所测量的结果。由于这种差异，安装在电子装置中的芯片可具有较大的电压裕度，这可能会抑制电子装置中的有效电源管理。或者，由于这种差异，安装在电子装置中的芯片可能不具有充足的电压裕度，这可能会导致电子装置的制造过程中的缺陷。技术方案根据本公开的各种实施方式，电子装置可包括具有至少一个部件的片上系统(SoC)、存储器以及功能性地连接至SoC和存储器的处理器。处理器可配置成施加用于以特定频率驱动至少一个部件的默认电压，确定是否存储有与对应于至少一个部件和特定频率的偏移电压有关的数据，并在存储有与偏移电压有关的数据时向至少一个部件施加与默认电压不同的偏移电压。根据本公开的各种实施方式，用于驱动其中安装有包括至少一个部件的片上系统(SoC)的电子装置的方法可包括以下操作：施加用于以特定频率驱动至少一个部件的默认电压；确定是否存储有与对应于至少一个部件和特定频率的偏移电压有关的数据；以及在存储有与偏移电压有关的数据时向至少一个部件施加与默认电压不同的偏移电压。根据本公开的各种实施方式，在安装于其中的模块(例如，SoC)具有相同的ASV群组的电子装置中，能够在实际操作中根据板的特性来判断施加至电子装置的电压和电压特性(例如，识别为比实际应用的电压高或者低的电压)。基于这种判断，电子装置可向每个板的芯片施加合适的电压。因此，电子装置可降低其功耗并且还可避免在其制造过程中出现缺陷。技术效果为了解决上述不足，其主要目的在于提供这样的电子装置，其可基于施加至电子装置的电压和取决于电子装置的板特性的电压特性向芯片施加合适的电压。附图说明为了更完整地理解本公开及其有益效果，现参照结合附图的以下描述，在附图中，相同的附图标记表示相同的部分：图1示出了根据本公开各种实施方式的包括电子装置的网络环境的图；图2示出了根据本公开各种实施方式的电子装置的框图；图3示出了根据本公开各种实施方式的编程模块的配置的框图；图4示出了根据本公开各种实施方式的电子装置的主元件的框图；图5示出了根据本公开各种实施方式的根据偏移电压数据是否存储在电子装置中来启动操作系统(OS)的方法的流程图；图6示出了根据本公开各种实施方式的通过使用硬件性能监视器(HPM)信息来设置、验证和存储电子装置的偏移电压的方法的流程图；以及图7示出了根据本公开各种实施方式的更新电子装置的DVFS表的方法的示意图。具体实施方式在进行下文的具体实施方式之前，说明在本专利文件全文中使用的某些单词和短语的定义可能是有益的：措辞“包括”和“包含”以及它们的衍生词意为包括而非限制；措辞“或”是包括性的，意为和/或；短语“与...相关”和“与其相关”及其衍生词可意味着包括、包括在...内、与...互相连接、包含、包含在...内、连接至或与...连接、联接至或与...联接、可与...通信、与...合作、交错、并列、接近于、结合至或与...结合、具有、具有...的性质等；以及措辞“控制器”意为控制至少一个操作的任何装置、系统或其一部分，这样的装置可以以硬件、固件或软件来实施，或以硬件、固件或软件中的至少两项的一些结合来实施。应注意的是，与任何特定控制器关联的功能无论是本地还是远程均可以是集中的或分布式的。本专利文件全文中提供对某些词语和短语的定义。本领域普通技术人员应理解，在许多情况下(如果不是大多数情况)，这种定义适用于现有技术，也适用于这样定义的词语和短语的将来的使用。下文讨论的图1至图7以及用于在本专利文件中描述本公开的原理的各种实施方式仅通过说明的方式进行，而不应以任何方式被解释为对本公开范围的限制。本领域技术人员将理解，本公开的原理可实施于任何适当布局的电子装置。下文中，参照附图对本公开的实施方式进行详细描述。虽然本公开可以以许多不同的形式实施，但在附图中示出了本公开特定的实施方式并在本文中对这些特定的实施方式进行详细描述，同时应理解的是本公开将被认为受限于此。在整个附图中使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。本公开中使用的表述“包括”或“可包括”表示相应的功能、操作或元件的存在，而不限制另外的至少一个功能、操作或元件。本文中使用的措辞“包括”或“具有”表示本说明书中所描述的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除至少一个其它的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。在本公开中，措辞“或”包括一同列出的词语的任何组合或全部组合。例如，“A或B”可包括A、B或者A和B。本公开中的诸如“第一”和“第二”的表述可表示本公开的各种元件，但不限制相应的元件，例如，不限制相应元件的顺序和/或重要性，但可被用于将一个元件与另一元件区分开。例如，第一用户装置和第二用户装置均为用户装置，但表示不同的用户装置。例如，在未偏离本公开的范围的情况下，第一组成元件可称为第二组成元件，并且类似地，第二组成元件可称为第一组成元件。当描述成第一元件“联接至”诸如第二元件的另一元件时，第一元件可“直接联接至”第二元件或通过第三元件“电连接至”第二元件。然而，当描述成第一元件“直接联接至”第二元件时，则在第一元件与第二元件之间可不存在第三元件。本公开中使用的措辞并不旨在限制本公开，而是旨在说明本公开的实施方式。当在本公开的说明书和所附权利要求中使用时，除非单数形式的表述明确具有不同表示，否则单数形式的表述包括复数形式的表述。除非不同地限定，否则本文中使用的包括技术措辞和科学措辞的措辞具有与可由本领域普通技术人通常理解的含义相同的含义。应理解的是，除非明确限定，否则在词典中定义的常用措辞具有与相关技术的上下文的含义相对应的含义，而不应理解为具有理想的或过于形式化的含义。在本公开中，电子装置可具有通信功能。例如，电子装置可以是智能电话、平板PC、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式PC、膝上型PC、上网本计算机、PDA(个人数字助理)、PMP(便携式多媒体播放器)、MP3播放器、便携式医疗装置、数字相机或可穿戴装置，其中，可穿戴装置诸如电子眼镜形式的HMD(头戴式装置)、电子服装、电子手环、电子项链、电子智能配件或智能手表。根据一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电子装置，包括：片上系统(SoC)，所述片上系统包括至少一个部件；存储器；以及处理器，所述处理器功能性地连接至所述SoC和所述存储器，其中，所述处理器配置成：施加用于以特定频率驱动所述至少一个部件的默认电压，确定是否存储有与对应于所述至少一个部件和所述特定频率的偏移电压有关的数据，以及当存储有与所述偏移电压有关的数据时，向所述至少一个部件施加与所述默认电压不同的所述偏移电压。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.16 KR 10-2016-01525831.电子装置，包括：片上系统(SoC)，所述片上系统包括至少一个部件；存储器；以及处理器，所述处理器功能性地连接至所述SoC和所述存储器，其中，所述处理器配置成：施加用于以特定频率驱动所述至少一个部件的默认电压，确定是否存储有与对应于所述至少一个部件和所述特定频率的偏移电压有关的数据，以及当存储有与所述偏移电压有关的数据时，向所述至少一个部件施加与所述默认电压不同的所述偏移电压。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当施加所述默认电压时，所述处理器还配置成：加载动态电压频率缩放(DVFS)表，以及通过在所述DVFS表中识别与所述至少一个部件和所述特定频率对应的默认电压来施加所述默认电压。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述至少一个部件包括中央处理单元(CPU)、内部(INT)存储器、存储器接口(MIF)存储器、图形处理单元(GPU)以及图像信号处理器(ISP)中的至少一个。4.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述处理器还配置成：当未存储有与所述偏移电压有关的数据时，通过使用硬件性能监视器(HPM)获取与所述偏移电压有关的数据，验证所获取的与所述偏移电压有关的数据，以及将所验证的与所述偏移电压有关的数据存储在偏移电压表中。5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，在获取与所述偏移电压有关的数据时，所述处理器还配置成：获取与所述默认电压以及对应于所述至少一个部件和所述特定频率的HPM值有关的信息，以及获取与对应于所述默认电压和所述HPM值的偏移电压有关的数据。6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，当获取与所述偏移电压有关的数据时，所述处理器还配置成：根据通过以预设比率降低所述默认电压而获取的经更新的默认电压来获取与所述偏移电压有关的数据。7.根据权利要求6所述的电子装置，其中，所述预设比率是由制造所述SoC的供应商设定的裕度值。8.根据权利要求6所述的电子装置，其中，在获取与所述偏移电压有关的数据时，所述处理器还配置成：将制造所述SoC的情况下的HPM值与所述SoC安装在所述电子装置中的情况下的HPM值进行比较，以及至少基于所比较的HPM值之间的差值来获取与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在哲，金珍奎，金东宇，金桢昊，郑载洙，河锺植，吴熙泰，俞赫善，李承荣，崔佑宁，韩在雄，许慢根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR