一种真空灭弧室及其触头屏蔽结构制造技术

本发明专利技术涉及一种真空灭弧室及其触头屏蔽结构，触头屏蔽结构包括用于与绝缘外壳连接而构成壳体结构的静盖板，所述静盖板为桶状的金属屏蔽板，其上设置有静导电杆固定结构，还包括用于固定在动导电杆上的屏蔽罩，所述屏蔽罩与所述静盖板共同围设成用于将动触头和静触头罩设在其内的屏蔽腔，所述屏蔽罩在跟随动导电杆往复移动的过程中具有动触头与静触头结合时的合闸屏蔽位和动触头与静触头分离时的分闸屏蔽位，所述分离屏蔽位和合闸屏蔽位均处于静盖板内，大大节省了屏蔽罩的制造费用，也节省了金属化瓷壳的成本，不需要额外的增加壳体上的主屏蔽罩的安装尺寸，降低了真空灭弧室的整体成本，有利于真空灭弧室的小型化制造。

【技术实现步骤摘要】
一种真空灭弧室及其触头屏蔽结构
本专利技术涉及一种真空灭弧室及其触头屏蔽结构。
技术介绍
目前低电压等级（40.5kV及以下）的真空灭弧室制造技术已经日渐成熟，真空灭弧室已经想着小型化经济型方向发展。现有技术中真空灭弧室的触头屏蔽结构主要包括设置在壳体上的主屏蔽罩，静导电杆上的触头和动导电杆上触头在屏蔽罩内实现分合，主屏蔽罩的设置能够较好的实现对触头的屏蔽效果。目前主屏蔽罩与壳体的固定方式通常有瓷壳中间固定式与瓷壳一端偏置式，这样的设置形式对于低电压等级的灭弧室来说，其动触头和静触头分合闸的过程中，主屏蔽罩上会产生中间电位，进而导致屏蔽性能下降的问题；同时，这种主屏蔽罩的设计形式需要占据壳体内部的直径方向的相应尺寸，从而会影响灭弧室小型化结构的设计。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种真空灭弧室，以解决现有技术中的真空灭弧室的主屏蔽罩的设置影响灭弧室小型化设计的问题；本专利技术的目的还在于提供一种该真空灭弧室的触头屏蔽结构。为实现上述目的，本专利技术触头屏蔽结构的技术方案是：方案1：触头屏蔽结构，包括用于与绝缘外壳连接而构成壳体结构的静盖板，所述静盖板为桶状的金属屏蔽板，其上设置有静导电杆固定结构，还包括用于固定在动导电杆上的屏蔽罩，所述屏蔽罩与所述静盖板共同围设成用于将动触头和静触头罩设在其内的屏蔽腔，所述屏蔽罩在跟随动导电杆往复移动的过程中具有动触头与静触头结合时的合闸屏蔽位和动触头与静触头分离时的分闸屏蔽位，所述分离屏蔽位和合闸屏蔽位均处于静盖板内。方案2：在方案1的基础上，所述屏蔽罩包括屏蔽罩主体，所述屏蔽罩主体与所述静盖板的桶状底部平行布置。方案3：在方案2的基础上，所述屏蔽罩还包括设置在屏蔽罩主体的外端的朝向静盖板的桶状底部并与桶状底部垂直的方向卷曲的卷曲部。方案4：在方案1的基础上，所述屏蔽罩具有用于与动导电杆焊接固定的焊接部。本专利技术真空灭弧室的技术方案是：方案5：真空灭弧室，包括壳体和设置在壳体内的动导电杆、静导电杆，所述动导电杆上设置有动触头，静导电杆上设有与动触头分合的静触头，所述动触头和静触头之间设有触头屏蔽结构，所述壳体包括绝缘外板，所述触头屏蔽结构包括与绝缘外壳连接而构成壳体的静盖板，所述静盖板为桶状的金属屏蔽板，所述静导电杆固定在静盖板上，所述触头屏蔽结构还包括固定在导电杆上的屏蔽罩，所述屏蔽罩与所述静盖板共同围设成屏蔽腔，所述动触头和静触头均处于屏蔽腔内，所述屏蔽罩在跟随动导电杆往复移动的过程中具有动触头与静触头结合时的合闸屏蔽位和动触头与静触头分离时的分闸屏蔽位，所述分离屏蔽位和合闸屏蔽位均处于静盖板内。方案6：在方案5的基础上，所述屏蔽罩包括屏蔽罩主体，所述屏蔽罩主体与所述静盖板的桶状底部平行布置。方案7：在方案6的基础上，所述屏蔽罩还包括设置在屏蔽罩主体的外端的朝向静盖板的桶状底部并与桶状底部垂直的方向卷曲的卷曲部。方案8：在方案5的基础上，所述屏蔽罩与所述动导电杆之间焊接固定。方案9：在方案5~8的任一项的基础上，所述绝缘外板为金属化瓷壳，其包括瓷壳，还包括烧结在瓷壳的两端的金属连接结构，所述金属化瓷壳与所述静盖板焊接固定。方案10：在方案5~8的任一项的基础上，所述壳体与所述动导电杆之间顶压设置有波纹管，所述波纹管的左端与所述壳体顶压密封配合，所述波纹管的右端顶压密封在动导电杆上。本专利技术的有益效果是：相比于现有技术，本专利技术所涉及的真空灭弧室，通过将绝缘外壳与连接而构成壳体的静盖板代替主屏蔽罩，并在动导电杆上设置跟随动导电杆同步移动的屏蔽罩，从而能够取代将原有的主屏蔽罩，通过静盖板和屏蔽罩的相互合围而构成用于屏蔽静触头和动触头的屏蔽腔，充分利用了动导电杆的运动特性，带动屏蔽罩一起运动，起到持续均匀的屏蔽效果，而且巧妙的运用静盖板，整体设计结构简单，大大节省了屏蔽罩的制造费用，同时，将原有的金属化瓷壳的一部分由静盖板代替，也节省了金属化瓷壳的成本，不需要额外的增加壳体上的主屏蔽罩的安装尺寸，降低了真空灭弧室的整体成本，有利于真空灭弧室的小型化制造。附图说明图1为本专利技术的真空灭弧室的实施例一的结构示意图；图2为图1中动触头与静触头分离的状态结构示意图；图3为本专利技术的真空灭弧室的实施例二的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的实施方式作进一步说明。本专利技术的真空灭弧室的实施例一，如图1至图2所示，其用于低电压等级（45.0kV及以下）的真空开关中，其包括壳体和设置在壳体内的动导电杆1、静导电杆7，其中壳体的轴线沿左右方向延伸，动导电杆1穿装于壳体的左端，静导电杆7固定于壳体的右端，在动导电杆1的右端设置有动触头9，静导电杆7的左端设置有静触头8，同时在动触头9与静触头8之间设有触头屏蔽结构。在本实施例中，壳体包括金属化瓷壳4，金属化瓷壳4为圆筒状结构，其包括瓷壳和烧结在瓷壳的两端的金属结构，其左端接焊接有动盖板2，右端焊接有静盖板6，动盖板2、静盖板6均为金属板，对应的金属化瓷壳4与动盖板2、静盖板6相对扣合对接而构成壳体，将动触头9和静触头8围设在其内，上述的动导电杆1穿装于动盖板2上，静导电杆7固定在静盖上，具体的为动盖板2和静盖板6均为圆桶状结构，静盖板6的开口朝向左侧，上述的静导电杆7固定在静盖板6的右端部的中间轴线位置；对于动盖板2来说，其开口朝向右侧，上述的动导电杆1穿装于动盖板2的左端的中间轴线位置，同时，壳体内位于动盖板2和动导电杆1之间还顶压设置有波纹管3，对应的波纹管3的左端顶压密封在动盖板2上，右端顶压密封在动导电杆1上，在动导电杆1向右移动时动触头9与静触头8结合，向左移动时动触头9与静触头8分离。对于触头屏蔽结构来说，其包括上述的静盖板6，还包括焊接固定在动导电杆1上的屏蔽罩5，在本实施例中，静盖板6和屏蔽罩5相互合围构成将动触头9和静触头8屏蔽在其内的屏蔽腔，对于屏蔽罩5来说，其包括屏蔽罩5主体和设置在屏蔽罩5主体的径向外端的卷曲部10，卷曲部10朝向右侧卷曲延伸，其延伸方向垂直于静盖板6的桶状底部，能够均化电场分布。屏蔽罩5在跟随动导电杆1移动的过程中具有在动触头9与静触头8结合时的结合屏蔽位，如图1所示；还具有在动触头9与静触头8分离时的分离屏蔽位，如图2所示；为了保证持续均匀的屏蔽效果，在本实施例中，分离屏蔽位位于静盖板6的左端右侧，即静触头8和动触头9合断的整体位置均处与靠近真空灭弧室的静端，从而能够实现在动触头9和静触头8在全行程过程中均处于屏蔽罩5和静盖板6组成的屏蔽腔内，屏蔽罩5和静盖板6在相对靠近和远离的过程中能够吸收对应的开断过程中产生的金属蒸汽和蒸发物，即收集和遮挡电弧生成物，有利于灭弧室的开断，屏蔽效果得到了一定的保证。同时，在本实施例中，屏蔽罩5主体为沿立放的片状结构，对应的静盖板6的桶状底部也为立方的板状结构，二者之间属于平面对平面的屏蔽结构，这样能够保证二者之间的电场分布均匀，屏蔽效果好，出现尖端放电的几率极低，绝缘性能得到了优化。本专利技术所涉及的真空灭弧室的实施例二：与实施例一的不同之处在于，如图3所示，可将波纹管3设置在壳体的外侧，也能够实现壳体内部与外界的相互隔离。在其他实施例中，屏蔽罩5与静盖板6可不平行设置，二者相对围设即可，通过外端的卷曲部10来实现电场的均化分布。本专利技术所涉及的触头屏蔽结构的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.触头屏蔽结构，其特征在于：包括用于与绝缘外壳连接而构成壳体结构的静盖板，所述静盖板为桶状的金属屏蔽板，其上设置有静导电杆固定结构，还包括用于固定在动导电杆上的屏蔽罩，所述屏蔽罩与所述静盖板共同围设成用于将动触头和静触头罩设在其内的屏蔽腔，所述屏蔽罩在跟随动导电杆往复移动的过程中具有动触头与静触头结合时的合闸屏蔽位和动触头与静触头分离时的分闸屏蔽位，所述分离屏蔽位和合闸屏蔽位均处于静盖板内。

【技术特征摘要】
1.触头屏蔽结构，其特征在于：包括用于与绝缘外壳连接而构成壳体结构的静盖板，所述静盖板为桶状的金属屏蔽板，其上设置有静导电杆固定结构，还包括用于固定在动导电杆上的屏蔽罩，所述屏蔽罩与所述静盖板共同围设成用于将动触头和静触头罩设在其内的屏蔽腔，所述屏蔽罩在跟随动导电杆往复移动的过程中具有动触头与静触头结合时的合闸屏蔽位和动触头与静触头分离时的分闸屏蔽位，所述分离屏蔽位和合闸屏蔽位均处于静盖板内。2.根据权利要求1所述的触头屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽罩包括屏蔽罩主体，所述屏蔽罩主体与所述静盖板的桶状底部平行布置。3.根据权利要求2所述的触头屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽罩还包括设置在屏蔽罩主体的外端的朝向静盖板的桶状底部并与桶状底部垂直的方向卷曲的卷曲部。4.根据权利要求1所述的触头屏蔽结构，其特征在于：所述屏蔽罩具有用于与动导电杆焊接固定的焊接部。5.真空灭弧室，包括壳体和设置在壳体内的动导电杆、静导电杆，所述动导电杆上设置有动触头，静导电杆上设有与动触头分合的静触头，所述动触头和静触头之间设有触头屏蔽结构，其特征在于：所述壳体包括绝缘外板，所述触头屏蔽结构包括与绝缘外壳连接而构成壳体的静盖板，所述静盖板为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小钊，薛从军，尹伟婷，刘世柏，孙宇，翟莘，葛媛媛，
申请(专利权)人：天津平高智能电气有限公司，平高集团有限公司，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：天津,12