The invention relates to a low-voltage and high-current bushing structure for power transformer, which has conductive part of bushing and ceramic parts. The ceramic parts are divided into upper and lower parts. The ceramic parts are connected and fixed by flanges between the upper and lower parts, and the semi-conductor epoxy resin material is filled in the upper and upper parts of the French porcelain parts, and the flange part of the semi-conductor material is filled in the porcelain parts. A reinforcement groove is arranged, and the surface of the connection between the porcelain and the flange is coated with waterproof sealing material. The invention makes the grounding electrode with very irregular shape and very small curvature radius more rounded, effectively adjusts the electrode shape of flange, reduces the surface resistance of the ceramic parts covered by the ceramic surface semiconductor material, and effectively reduces the partial discharge caused by the electric field concentration at the end of the ceramic parts caused by the distributed capacitance shunting effect.
【技术实现步骤摘要】
一种电力变压器用低压大电流套管结构
本专利技术涉及一种变压器用套管,具体为一种电力变压器用低压大电流套管结构。
技术介绍
随着我国电力系统建设不断完善和能源结构调整的需要,单个发电厂的装机容量越来越大,百万kVA发电机组数量也在增大。相应的,三相容量超过1100MVA(单项容量超过400MVA)的发电机变压器也越来越多。受能源形式及发电机结构限制,发电电压一般不超过27kV,如此对发电机变压器低压侧额定电流就提出了更高数值的要求,使得变压器用低压大电流套管获得更多应用。低压大电流套管有害局部放电量产生原理如图1所示,套管法兰13接地,套管导电部分12带高电压,所以其间承受的是最大电位差U。瓷件材质为高压电瓷,其表面电阻可等效为若干个瓷件等效分布表面电阻14,瓷件与套管导电部分12之间为变压器油等电介子材料,可等效为若干绝缘材料等分布电容15,当加载电压尤其是高频的冲击电压时,绝缘材料等分布电容15会起到很大的分流作用,进而使得瓷件表面的泄漏电流分布很不均匀,其中端部等效电阻即靠近法兰处等效瓷件表面电阻Rs(标号17)内电流最大,所以端部绝缘承受电位差也最大,进而使得此处电力线分布最为密集,再考虑到套管法兰13边角处电极形状的因素,此处极其容易出现局部放电,对绝缘造成破坏性影响。一直以来低压大电流套管因为绝缘水平较低、结构原理较为简单,并没有受到过多的关注,对于局部放电、机械强度等指标也没有进行严格考核。但随着电力系统规模扩大对运行可靠性提出了更高要求,加上装机容量和套管额定电流值的大幅度提高,开发一种高强度、低局放低压大电流套管十分必要,对于建设现代化高可 ...
【技术保护点】
1.一种电力变压器用低压大电流套管结构,具有套管导电部分和瓷件,将瓷件分为上、下两部分,在上、下两部分瓷件之间通过法兰进行连接、固定,其特征在于:在法兰上部与上部分瓷件配合处填充半导体环氧树脂材料。
【技术特征摘要】
1.一种电力变压器用低压大电流套管结构,具有套管导电部分和瓷件,将瓷件分为上、下两部分,在上、下两部分瓷件之间通过法兰进行连接、固定,其特征在于:在法兰上部与上部分瓷件配合处填充半导体环氧树脂材料。2.根据权利要求1所述的电力变压器用低压大电流套管结构,其特征在于:在与瓷件配合处、填充半导体材料的法兰部分设置加固槽。3.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:闻政,王慧民,孔垚,姜巍,
申请(专利权)人:沈阳和新套管有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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