用于晶圆研磨的多层复合膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于晶圆研磨的复合膜，所述的复合膜包括基材层和粘合剂层，所述的基材层依次包括聚乙烯层、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物层、聚对苯二甲酸乙二醇酯‑1,4‑环己烷二甲醇酯层、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物层、乙烯‑乙酸乙烯酯层，所述的粘合剂层涂布于聚乙烯层上，所述的基材层在共挤流延成膜后经电子辐照设备辐照交联。本发明专利技术还提供了一种用于晶圆研磨的复合膜的制备方法。采用本发明专利技术的用于晶圆研磨的复合膜及其制备方法，基材层为透明或白色雾面的塑料薄膜，大大缩短了工艺流程，降低了生产成本；基材的热稳定性更好，经硅片研磨过程后具有更好的尺寸稳定性，可使得粘合剂层经高温后产生的收缩不影响基材的尺寸，同时防止硅片翘曲。

Multilayer Composite Film for Wafer Grinding and Its Preparation Method

The invention relates to a composite film for wafer grinding, which comprises a substrate layer and an adhesive layer. The substrate layer comprises in turn a polyethylene layer, a ethylene-methyl acrylate copolymer layer, a polyethylene terephthalate-1,4-cyclohexanedimethyl alcohol ester layer, a ethylene-methyl acrylate copolymer layer and a vinyl acetate layer. The adhesive layer is coated. The substrate layer is coated on the polyethylene layer and irradiated by an electronic irradiation device after co-extrusion and tape casting. The invention also provides a preparation method of a composite film for wafer grinding. The composite film used for wafer grinding and the preparation method thereof have the following advantages: the base material layer is a transparent or white fog plastic film, which greatly shortens the process flow and reduces the production cost; the thermal stability of the base material is better, and the dimensional stability is better after the silicon wafer grinding process, so that the shrinkage of the adhesive layer after high temperature does not affect the size of the base material, while preventing it. Silicon wafer warping.

【技术实现步骤摘要】
用于晶圆研磨的多层复合膜及其制备方法
本专利技术涉及保护膜的
，特别涉及多层复合膜的
，具体是指一种用于晶圆研磨的多层复合膜及其制备方法。
技术介绍
在半导体装置的制造过程中，半导体硅晶圆在研磨、减薄加工中需要使用保护膜。这种粘结性保护膜贴于硅晶圆上，硅晶圆进行研磨加工时会产生高温，会导致保护膜及其胶粘层产生热收缩，导致硅晶圆随着膜的收缩产生翘曲。本专利技术的粘结性保护膜需要有较高的洁净度及极低离子杂质含量，且具有优良的尺寸稳定性、适中的粘接性、热稳定性，使研磨减薄加工中能良好地与硅片粘贴，能在研磨产生的高温下不发生胶层脱离的现象。研磨加工后，胶层的粘接性不发生改变，保护膜易从硅片上剥离。且保护膜不发生收缩现象，防止硅片翘曲变形。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服上述现有技术中的缺点，提供一种挤出、流延、辐照在同一流水线成型、大大缩短工艺流程、基材通过辐照交联技术、形成三维网状结构、提高耐热性和耐老化性能、增强耐化学稳定性和耐溶剂性的用于晶圆研磨的多层复合膜及其制备方法。为了实现上述目的，本专利技术一方面提供了一种用于晶圆研磨的多层复合膜，所述的复合膜包括基材层和粘合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶圆研磨的复合膜，其特征在于，所述的复合膜包括基材层和粘合剂层，所述的基材层依次包括聚乙烯层、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物层、聚对苯二甲酸乙二醇酯‑1,4‑环己烷二甲醇酯层、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物层、乙烯‑乙酸乙烯酯层，所述的粘合剂层涂布于聚乙烯层上，所述的基材层在共挤流延成膜后经电子辐照设备辐照交联。

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆研磨的复合膜，其特征在于，所述的复合膜包括基材层和粘合剂层，所述的基材层依次包括聚乙烯层、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物层、聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯层、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物层、乙烯-乙酸乙烯酯层，所述的粘合剂层涂布于聚乙烯层上，所述的基材层在共挤流延成膜后经电子辐照设备辐照交联。2.根据权利要求1所述的用于晶圆研磨的复合膜，其特征在于，所述的聚乙烯层包括以下质量份的原料：聚乙烯20～100份、增塑剂10～30份、抗氧剂0.1～1份、紫外吸收剂0.5～1.5份；所述的聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯层包括以下质量份的原料：聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯40～100份、抗氧剂0.1～1份、紫外吸收剂0.5～1份；所述的乙烯-乙酸乙烯酯层包括以下质量份的原料：乙烯-乙酸乙烯酯20～100份、抗氧剂0.1～1份；所述的粘合剂层包括以下质量份的原料：丙烯酸树脂1～100份，乙酸乙酯1～100份，丙烯酸1～50份，固化剂0.01～50份，固化促进剂0.01～30份。3.根据权利要求2所述的用于晶圆研磨的复合膜，其特征在于，所述的增塑剂为邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯、邻苯二甲酸二环己酯、邻苯二甲酸二异丁酯、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二异壬酯、邻苯二甲酸二异癸酯中的一种或几种；所述的抗氧剂为酚系抗氧化剂、亚磷酸酯系抗氧化剂、受阻胺系抗氧剂；所述的紫外吸收剂为对苯甲酮类、苯并三唑类、水杨酸酯类、取代丙烯腈类、三嗪类紫外吸收剂中的至少一种；所述的丙烯酸树脂为均聚的丙烯酸酯或共聚的C1-C20烷基酯中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的用于晶圆研磨的复合膜，其特征在于，所述的均...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亮吉，范珩，
申请(专利权)人：上海海优威新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31