一种减小NVMe SSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法技术

一种减小NVMe SSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法，涉及存储技术领域，为了解决NVMe SSD的响应延迟会极大地影响存储设备的持续写入速度，甚至导致数据丢失的问题。本发明专利技术通过主控FPGA模块的Block RAM进行数据缓存，用来暂时储存固有响应延迟以及其他小于1ms的响应延迟期间接收的数据；数据存储模块采用至少2个NVMe SSD实现，通过主控FPGA模块的NVMe主机控制各个NVMe SSD轮流进行写操作，且当前NVMe SSD写入数据达到预设阈值后，向当前NVMe SSD发送关闭命令，触发映射表刷新命令。本发明专利技术不仅保证了设备的数据持续写入速度，还能防止数据丢失。

A Method to Reduce the Impact of NVMe SSD Response Delay on Writing Speed of High Speed Data Storage Devices

A method to reduce the impact of NVMe SSD response delay on the write speed of high-speed data storage devices involves the storage technology field. To solve the problem of NVMe SSD response delay will greatly affect the continuous write speed of storage devices, and even lead to data loss. The method uses Block RAM of the main control FPGA module to cache data for temporary storage of inherent response delay and other data received during response delay less than 1ms. The data storage module is implemented by at least two NVMe SSDs. The NVMe host of the main control FPGA module controls each NVMe SSD to write in turn, and the current NVMe SSD writing data reaches the preset threshold. Send the closing command to the current NVMe SSD and trigger the mapping table refresh command. The invention not only ensures the data continuous writing speed of the device, but also prevents data loss.

【技术实现步骤摘要】
一种减小NVMeSSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法
本专利技术涉及存储
，具体涉及基于NVMeSSD的高速数据存储设备的性能改进方法。
技术介绍
作为高速数据采集系统中重要的一部分，高速数据存储设备在雷达测试等领域应用广泛。高速数据存储设备通常由外部数据命令接口模块、主控FPGA模块以及数据存储模块等构成。为了保证存储设备的存储容量和持续写入速率，现有的高速数据存储设备以大量的NandFlash构成的Flash阵列作为数据存储模块，通过流水线或者并行的操作方式来保证设备的数据写入带宽。这种设备采用VPX标准机箱结构，体积大、重量重且功耗较高。NVMeSSD是近几年来快速发展的新型存储器，其连续写入速度高达2GByte/s，且集成度高、功耗低，非常适合搭配FPGA等控制芯片组成便携式高速数据存储设备。但是这种便携式存储设备的速度持续写入速度受NVMeSSD自身特性限制。从NVMe主机(NVMeHost)开始向NVMeSSD发送写命令，到NVMeSSD开始与NVMe主机进行数据传输，这两个先后发生的事件之间有一定的时间差，称为NVMeSSD的响应延迟。这种响应延迟会极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减小NVMe SSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法，其特征在于，包括：通过主控FPGA模块的Block RAM进行数据缓存，用来暂时储存固有响应延迟以及其他小于1ms的响应延迟期间接收的数据；数据存储模块采用至少2个NVMe SSD实现，通过主控FPGA模块的NVMe主机控制各个NVMe SSD轮流进行写操作，且当前NVMe SSD写入数据量达到预设阈值后，向当前NVMe SSD发送关闭命令，触发映射表刷新命令。

【技术特征摘要】
1.一种减小NVMeSSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法，其特征在于，包括：通过主控FPGA模块的BlockRAM进行数据缓存，用来暂时储存固有响应延迟以及其他小于1ms的响应延迟期间接收的数据；数据存储模块采用至少2个NVMeSSD实现，通过主控FPGA模块的NVMe主机控制各个NVMeSSD轮流进行写操作，且当前NVMeSSD写入数据量达到预设阈值后，向当前NVMeSSD发送关闭命令，触发映射表刷新命令。2.根据权利要求1所述的一种减小NVMeSSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法，其特征在于，NVMeSSD为2个。3.根据权利要求1或2所述的一种减小NVMeSSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法，其特征在于，NVMe主机将写命令拆分为多个写入数据量为2GByte的子命令，并标记正在进行写操作的NVMeSSD为忙，其它NVMeSSD为空闲，当忙NVMeSSD写入数据量到达预设阈值时，切换到一个空闲NVMeSSD执行写命令，NVMeSSD的写入数据量阈值为256Gbyte。4.根据权利要求2所述的一种减小NVMeSSD响应延迟影响高速数据存储设备写入速度的方法，其特征在于，NVMe主...

【专利技术属性】
技术研发人员：张京超，刘旺，孟凡廓，朱凯晖，乔立岩，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23