The invention relates to a plasma processing device with a processing chamber, at least one pair of microwave plasma sources and at least one power supply. Each pair of microwave plasma sources consists of a first microwave plasma source and a second microwave plasma source, in which the first microwave plasma source and the second microwave plasma source have plasma source walls respectively, and within the plasma source walls there are microwave coupling devices and plasma electrodes. The first microwave plasma source and the second microwave plasma source are arranged on the same side of one or more substrate to be processed inside the processing chamber and adjacent to each other. The plasma electrodes of the first microwave plasma source and the second microwave plasma source are electrically insulated from each other and are electrically connected to at least one power supply. Here, at least one power supply is suitable for loading plasma electrodes from the first microwave plasma source and the second microwave plasma source with different potentials. In addition, the present invention relates to a method for operating such a plasma processing device.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有两个彼此耦合的微波等离子体源的等离子体处理装置以及用于运行这样的等离子体处理装置的方法
本专利技术涉及一种包含两个彼此耦合的微波等离子体源的等离子体处理装置、以及一种用于运行这样的等离子体处理装置的方法。尤其,等离子体处理装置是连续运转设备,借助于运输装置使待处理的衬底在等离子体处理期间引导穿过该连续运转设备。
技术介绍
等离子体处理装置被用于加工衬底表面、尤其用于将层沉积到衬底表面上或将层从衬底表面移除以及用于改变衬底表面的特性。在此,对于加工而言必要的粒子(分子、原子或带电荷的粒子)借助于等离子体来激励或产生。对于大面积的衬底经常应用连续运转设备或在线设备,在所述连续运转设备或在线设备中必要时也可以使多个等离子体源沿衬底的运输方向依次地布置。为了产生和维持等离子体,存在将对此而言必要的能量引入到气体或气体混合物中的不同的可行方案。一种可行方案借助于微波(在900MHz至10GHz范围内的频率)进行激励,由此在所产生的等离子体中可以实现高的等离子体密度,并由此实现高的沉积率或基于化学反应的高的蚀刻率。示例性地,在DE19812558A1和DE10341239A1中描述微波等离子体源。以这样的微波所激励的等离子体在与壁或衬底表面相互作用时构成具有低的边缘层电势的等离子体边缘层。由此,在衬底表面上出现的电荷载体(离子和电子)仅仅具有低的能量,在大多数情况下小于10eV的能量。然而,为了更好地控制加工、例如为了控制层特性如经沉积的层的密度,强度或应力,特别是对于通向衬底表面的离子流而言更高的和/或可控制的能量是值得期待的。为此,可以给微波等离子体叠加电场, ...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置,所述等离子处理装置具有:‑处理腔室,‑至少一对微波等离子体源,所述至少一对微波等离子体源包括第一微波等离子体源和第二微波等离子体源,其中,所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源分别具有等离子体源壁部,并且在所述等离子体源壁部之内具有微波耦入装置和等离子体电极,所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源在所述处理腔室内部布置在一个或多个待处理的衬底的相同的侧上并且彼此相邻地布置,并且所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源的等离子体电极彼此电绝缘,以及‑至少一个电源,所述电源与所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源的等离子体电极导电地连接,并且适合于以不同的电势加载所述等离子体电极。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.12 EP 16193511.91.一种等离子体处理装置,所述等离子处理装置具有:-处理腔室,-至少一对微波等离子体源,所述至少一对微波等离子体源包括第一微波等离子体源和第二微波等离子体源,其中,所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源分别具有等离子体源壁部,并且在所述等离子体源壁部之内具有微波耦入装置和等离子体电极,所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源在所述处理腔室内部布置在一个或多个待处理的衬底的相同的侧上并且彼此相邻地布置,并且所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源的等离子体电极彼此电绝缘,以及-至少一个电源,所述电源与所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源的等离子体电极导电地连接,并且适合于以不同的电势加载所述等离子体电极。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,存在如下电源,所述电源具有第一输出端和第二输出端并且适合于在所述第一输出端与所述第二输出端之间产生电势差,其中,所述电源的第一输出端与所述至少一对微波等离子体源的第一微波等离子体源的等离子体电极连接,并且所述电源的第二输出端与所述至少一对微波等离子体源的第二微波等离子体源的等离子体电极连接。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述电源是对称的电源。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述至少一个电源是直流电源、脉冲的直流电源或交流电源。5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一微波等离子体源或所述第二微波等离子体源中的至少一个微波等离子体源在所述等离子体源壁部之内具有相对于接地绝缘的等离子体屏罩,所述等离子体屏罩至少部分地包围所述微波等离子体源的等离子体空间并且用作等离子体电极。6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一微波等离子体源或所述第二微波等离子体源中的至少一个微波等离子体源的等离子体源壁部相对于接地绝缘并且用作等离子体电极。7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一微波等离子体源的和所述第二微波等离子体源的等离子体源壁部的面向彼此的侧与所述等离子体源壁部的其余侧相比相对于所述一个或多个待处理的衬底的表面具有更大的间距。8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第一微波等离子体源和所述第二微波等离子体源中的至少一个微波等离子体源相对于待处理...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·马伊,
申请(专利权)人:迈尔博尔格德国有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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