The present application discloses a mask plate and a preparation method thereof for reducing the area of the gray area formed by exposure. A mask provided by the embodiment of the present application includes at least one open area, the side of which is a slope with a set angle on the upper surface of the mask, and the angle between the tangent line of at least the first part of the slope and the upper surface is greater than 90 degrees, so that the reflection of light incident from the upper surface of the mask plate through the first part is parallel to that of the mask. The component of the mask plate in the plane direction.
【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制备方法
本申请涉及通信
，尤其涉及一种掩膜板及其制备方法。
技术介绍
目前液晶显示面板的结构主要包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板(Array)、彩色滤光片或者彩膜基板(CF)、以及配置在两基板之间的液晶层(LC)所构成。彩膜基板包括：黑矩阵、彩膜、平坦层以及支撑柱工序，除平坦层之外均为需要进行曝光工艺。当前彩膜主流使用的是接近式曝光机，需要使用光掩膜版(Mask)，光掩膜版与基板之间通常为100-400微米(um)的间距(Gap)。以形成彩膜为例，现有技术中使用的Mask结构如图1所示，Mask开口区域1的侧面2为垂直于Mask3的平面，在曝光工艺紫外光在通过Mask开口区域1后，会发生衍射作用，绕过Mask开口区域1边缘，光线发生不同程度的弯散传播，因为衍射的作用，衬底6之上的光刻胶5层额外存在光线弯散传播到的区域4，称为灰区，且该区域面积较大。即由于光的衍射，使得实际透过掩膜版开口到达待曝光膜层的光斑区域更大，最终形成的彩膜的图案(Pattern)尺寸比Mask开口区域1的尺寸大，不利于Pattern的精细化，不利于实现高像素密度(Pix...
【技术保护点】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括至少一个开口区域，所述开口区域的侧面为与所述掩模板上表面具有设定夹角的斜面；且至少在所述斜面的第一部分的切线与所述上表面的夹角大于90°，以使从所述掩膜板的上表面入射的光经过所述第一部分的反射产生平行于所述掩膜板所在平面方向的分量。
【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括至少一个开口区域，所述开口区域的侧面为与所述掩模板上表面具有设定夹角的斜面；且至少在所述斜面的第一部分的切线与所述上表面的夹角大于90°，以使从所述掩膜板的上表面入射的光经过所述第一部分的反射产生平行于所述掩膜板所在平面方向的分量。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述开口区域的侧面为曲面。3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述斜面的第一部分为向所述开口区域凸出的曲面，或者所述斜面的第一部分为向所述开口区域内凹的曲面。4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述斜面还包括：以平行于所述上表面的水平面为对称轴，与所述第一部分对称的第二部分；或，所述斜面仅包含所述第一部分。5.一种掩膜板制备方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上形成所述掩膜板的膜层；采用图形化工艺处理所述膜层，形成至少一个开口区域，其中，所述开口区域的侧面为与所述掩模板上表面具有设定夹角的斜面，且至少在所述斜面的第一部分的切线与所述上表面的夹角大于90°，以使从所述掩膜板的上表面入射的光经过所述第一部分的反射产生平行于所述掩膜板所在平面方向的分量。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用图形化工艺处理所述膜层，形成至少一个开口区域，具体包括：在所述膜层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶的图案；采用刻蚀工艺处理进行曝光的区域对应的所述膜层，使得进行曝光的区域对应的所述膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟国强，袁慧芳，尹海斌，吉强，苏醒，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。