一种具有测试功能的控制板制造技术

技术编号:21182899 阅读:22 留言:0更新日期:2019-05-22 14:21
本发明专利技术公开了一种具有测试功能的控制板,涉及电路测试技术领域。所述控制板包括第一切换控制电路、第二切换控制电路、第三切换控制电路和参考电压电路,参考电压电路用于生成正参考电压和负参考电压,第一切换控制电路、第二切换控制电路和第三切换控制电路的控制端均与MCU的控制信号输出端连接。本发明专利技术通过增设三个切换控制电路,并利用MCU发送控制信号,使变频器的控制板兼具测试功能,不仅能提高变频器控制板的测试效率,降低测试难度,还能对装配在变频器中的控制板进行测试,在变频器运行前能测试控制板是否存在故障隐患,有利于变频器的安全运行。

A Control Board with Test Function

The invention discloses a control board with test function, which relates to the technical field of circuit test. The control board comprises a first switching control circuit, a second switching control circuit, a third switching control circuit and a reference voltage circuit. The reference voltage circuit is used to generate a positive reference voltage and a negative reference voltage. The control terminals of the first switching control circuit, the second switching control circuit and the third switching control circuit are all connected with the control signal output terminal of the MCU. By adding three switching control circuits and using MCU to send control signals, the control board of the frequency converter has both test function, which not only improves the test efficiency of the frequency converter control board and reduces the test difficulty, but also tests the control board assembled in the frequency converter. Before the frequency converter runs, it can test whether there is hidden trouble in the control board, which is conducive to the safety of the frequency converter. Function.

【技术实现步骤摘要】
一种具有测试功能的控制板
本专利技术涉及电路测试
,具体涉及一种具有测试功能的控制板。
技术介绍
变频器控制板是整个变频器的控制中心,也是变频器的核心单元,其可靠性直接决定了变频器工作的稳定性。为了提升控制板的可靠性,一般在出厂测试中进行电路板的FCT测试(ForwardersCertificateofTransport,功能测试),FCT测试需专门搭建测试台,配套电源、外部信号源、针床、PLC(ProgrammableLogicController,可编程逻辑控制器)或工控机等设备。目前,专门搭建的测试台不仅成本高昂、连接线路复杂,而且通用性不高,不同系列的控制板需配备不同的针床或信号源。因此,在变频器批量生产过程中,现有控制板生产测试的方法效率较低和测试难度较大。此外,当控制板脱离了FCT测试台就无法进行测试,如果控制板装配在变频器中出现故障,在运行前无法提前预知故障。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷,本专利技术解决的技术问题为:如何提高变频器控制板的测试效率,还能对装配在变频器中的控制板进行测试。为达到以上目的,本专利技术提供的一种具有测试功能的控制板,包括MCU、模拟量调理电路、开关量输入电路、开关量输出电路、4-20mA输入电路和4-20mA输出电路,MCU分别与模拟量调理电路、开关量输入电路、开关量输出电路、4-20mA输入电路和4-20mA输出电路电性连接,所述控制板还包括第一切换控制电路、第二切换控制电路、第三切换控制电路和参考电压电路,第一切换控制电路、第二切换控制电路和第三切换控制电路的控制端均与MCU的控制信号输出端连接,参考电压电路用于生成正参考电压和负参考电压;所述第一切换控制电路的输出端与模拟量调理电路的输入端连接,第一切换控制电路用于切换模拟量调理电路的输入信号为模拟量信号、或者参考电压电路生成的参考电压信号;所述第二切换控制电路的输出端与开关量输入电路的输入端连接,第二切换控制电路用于切换开关量输入电路的输入信号为变频器外部反馈的开关量信号、或者开关量输出电路生成的开关量信号;所述第三切换控制电路的输出端与4-20mA输入电路的输入端连接,第三切换控制电路用于切换4-20mA输入电路的输入信号为变频器外部反馈的4-20mA信号、或者4-20mA输出电路生成的模拟量输出信号。在上述技术方案的基础上,所述第一切换控制电路、第二切换控制电路和第三切换控制电路均包括选择信号接收端A0、选择信号接收端A1、非门U1A、非门U1B、非门U1C、非门U1D、与非门U2A、与非门U2B、与非门U2C、第一切换通道、第二切换通道和第三切换通道,选择信号接收端A0和选择信号接收端A1用于接收MCU发送的通道选择信号;所述非门U1A的输入端与选择信号接收端A0连接,非门U1A的输出端连接非门U1B的输入端;非门U1C的输入端与选择信号接收端A1连接,非门U1C的输出端连接非门U1D的输入端;所述与非门U2A的一个输入端连接非门U1A的输出端,与非门U2A的另一个输入端连接非门U1C的输出端,与非门U2A的输出端连接第一切换通道;所述与非门U2B的一个输入端连接非门U1B的输出端,与非门U2B的另一个输入端连接非门U1C的输出端,与非门U2B的输出端连接第二切换通道;所述与非门U2C的一个输入端连接非门U1A的输出端,与非门U2C的另一个输入端连接非门U1D的输出端,与非门U2C的输出端连接第三切换通道;所述第一切换通道包括三极管Q1和N沟道MOSFET管Q2,三极管Q1的b极串联限流电阻R1后,连接与非门U2A的输出端,三极管Q1的c极串联保护电阻R3后,与直流电源VDD连接,三极管Q1的e极接地。N沟道MOSFET管Q2的栅极与三极管Q1的c极连接,N沟道MOSFET管Q2的源极连接有第一信号输入端S1A,N沟道MOSFET管Q2的漏极连接有信号输出端DA;所述第二切换通道包括三极管Q3和N沟道MOSFET管Q4,三极管Q3的b极串联限流电阻R4后,连接与非门U2B的输出端,三极管Q3的c极串联保护电阻R6后,与直流电源VDD连接,三极管Q3的e极接地。N沟道MOSFET管Q4的栅极与三极管Q3的c极连接,N沟道MOSFET管Q4的源极连接有第二信号输入端S2A,N沟道MOSFET管Q4的漏极与信号输出端DA连接;所述第三切换通道包括三极管Q5和N沟道MOSFET管Q6,三极管Q5的b极串联限流电阻R7后,连接与非门U2C的输出端,三极管Q5的c极串联保护电阻R9后,与直流电源VDD连接,三极管Q5的e极接地。N沟道MOSFET管Q6的栅极与三极管Q5的c极连接,N沟道MOSFET管Q6的源极连接有第三信号输入端S3A,N沟道MOSFET管Q6的漏极与信号输出端DA连接。在上述技术方案的基础上,所述三极管Q1的b极与e极之间连接有分压电阻R2,三极管Q3的b极与e极之间连接有分压电阻R5,三极管Q5的b极与e极之间连接有分压电阻R8。在上述技术方案的基础上,所述第一切换通道、第二切换通道和第三切换通道的数量均为两个,两个第一切换通道均连接与非门U2A的输出端,两个第二切换通道均连接与非门U2B的输出端,两个第三切换通道均连接与非门U2C的输出端。在上述技术方案的基础上,所述第一切换控制电路、第二切换控制电路和第三切换控制电路均还包括与非门U2D和第四切换通道,非门U2D的一个输入端连接非门U1B的输入端,另一个输入端连接非门U1D的输入端,非门U2D的输出端第四切换通道;所述第四切换通道包括三极管Q7和N沟道MOSFET管Q8,三极管Q7的b极串联限流电阻R1后,连接与非门U2D的输出端,三极管Q7的c极串联保护电阻R12后,与直流电源VDD连接,三极管Q1的e极接地。N沟道MOSFET管Q8的栅极与三极管Q7的c极连接,N沟道MOSFET管Q8的源极连接有第四信号输入端S4A,N沟道MOSFET管Q8的漏极与信号输出端DA连接。在上述技术方案的基础上,所述第一切换控制电路中,选择信号接收端A0用于接收MCU发送的通道选择信号ACS0,选择信号接收端A1用于接收MCU发送的通道选择信号ACS1;第一信号输入端S1A用于接收模拟量信号AI1S,第二信号输入端S2A用于接收参考电压电路生成的正参考电压,第三信号输入端S3A用于接收参考电压电路生成的负参考电压。在上述技术方案的基础上,所述第二切换控制电路中,选择信号接收端A0用于接收MCU发送的通道选择信号DCS0,选择信号接收端A1用于接收MCU发送的通道选择信号DCS1;第一信号输入端S1A用于接收变频器反馈的开关量信号DI1S,第二信号输入端S2A用于接收开关量输出电路生成的开关量信号Dox,MCU发出第x通道的开关量输出信号,经开关量输出电路处理后,生成开关量信号Dox。在上述技术方案的基础上,所述第三切换控制电路中,选择信号接收端A0用于接收MCU发送的通道选择信号AICS0,选择信号接收端A1用于接收MCU发送的通道选择信号AICS1;第一信号输入端S1A用于接收变频器外部反馈的4-20mA信号AImA1S,第二信号输入端S2A用于接收4-20mA输出电路生成的模拟量输出信号Aox,MCU发出第x通道的模拟量输出信号,经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有测试功能的控制板,包括MCU、模拟量调理电路、开关量输入电路、开关量输出电路、4‑20mA输入电路和4‑20mA输出电路,MCU分别与模拟量调理电路、开关量输入电路、开关量输出电路、4‑20mA输入电路和4‑20mA输出电路电性连接,其特征在于:所述控制板还包括第一切换控制电路、第二切换控制电路、第三切换控制电路和参考电压电路,第一切换控制电路、第二切换控制电路和第三切换控制电路的控制端均与MCU的控制信号输出端连接,参考电压电路用于生成正参考电压和负参考电压;所述第一切换控制电路的输出端与模拟量调理电路的输入端连接,第一切换控制电路用于切换模拟量调理电路的输入信号为模拟量信号、或者参考电压电路生成的参考电压信号;所述第二切换控制电路的输出端与开关量输入电路的输入端连接,第二切换控制电路用于切换开关量输入电路的输入信号为变频器外部反馈的开关量信号、或者开关量输出电路生成的开关量信号;所述第三切换控制电路的输出端与4‑20mA输入电路的输入端连接,第三切换控制电路用于切换4‑20mA输入电路的输入信号为变频器外部反馈的4‑20mA信号、或者4‑20mA输出电路生成的模拟量输出信号。...

【技术特征摘要】
1.一种具有测试功能的控制板,包括MCU、模拟量调理电路、开关量输入电路、开关量输出电路、4-20mA输入电路和4-20mA输出电路,MCU分别与模拟量调理电路、开关量输入电路、开关量输出电路、4-20mA输入电路和4-20mA输出电路电性连接,其特征在于:所述控制板还包括第一切换控制电路、第二切换控制电路、第三切换控制电路和参考电压电路,第一切换控制电路、第二切换控制电路和第三切换控制电路的控制端均与MCU的控制信号输出端连接,参考电压电路用于生成正参考电压和负参考电压;所述第一切换控制电路的输出端与模拟量调理电路的输入端连接,第一切换控制电路用于切换模拟量调理电路的输入信号为模拟量信号、或者参考电压电路生成的参考电压信号;所述第二切换控制电路的输出端与开关量输入电路的输入端连接,第二切换控制电路用于切换开关量输入电路的输入信号为变频器外部反馈的开关量信号、或者开关量输出电路生成的开关量信号;所述第三切换控制电路的输出端与4-20mA输入电路的输入端连接,第三切换控制电路用于切换4-20mA输入电路的输入信号为变频器外部反馈的4-20mA信号、或者4-20mA输出电路生成的模拟量输出信号。2.如权利要求1所述的一种单通道输入电路,其特征在于:所述第一切换控制电路、第二切换控制电路和第三切换控制电路均包括选择信号接收端A0、选择信号接收端A1、非门U1A、非门U1B、非门U1C、非门U1D、与非门U2A、与非门U2B、与非门U2C、第一切换通道、第二切换通道和第三切换通道,选择信号接收端A0和选择信号接收端A1用于接收MCU发送的通道选择信号;所述非门U1A的输入端与选择信号接收端A0连接,非门U1A的输出端连接非门U1B的输入端;非门U1C的输入端与选择信号接收端A1连接,非门U1C的输出端连接非门U1D的输入端;所述与非门U2A的一个输入端连接非门U1A的输出端,与非门U2A的另一个输入端连接非门U1C的输出端,与非门U2A的输出端连接第一切换通道;所述与非门U2B的一个输入端连接非门U1B的输出端,与非门U2B的另一个输入端连接非门U1C的输出端,与非门U2B的输出端连接第二切换通道;所述与非门U2C的一个输入端连接非门U1A的输出端,与非门U2C的另一个输入端连接非门U1D的输出端,与非门U2C的输出端连接第三切换通道;所述第一切换通道包括三极管Q1和N沟道MOSFET管Q2,三极管Q1的b极串联限流电阻R1后,连接与非门U2A的输出端,三极管Q1的c极串联保护电阻R3后,与直流电源VDD连接,三极管Q1的e极接地。N沟道MOSFET管Q2的栅极与三极管Q1的c极连接,N沟道MOSFET管Q2的源极连接有第一信号输入端S1A,N沟道MOSFET管Q2的漏极连接有信号输出端DA;所述第二切换通道包括三极管Q3和N沟道MOSFET管Q4,三极管Q3的b极串联限流电阻R4后,连接与非门U2B的输出端,三极管Q3的c极串联保护电阻R6后,与直流电源VDD连接,三极管Q3的e极接地。N沟道MOSFET管Q4的栅极与三极管Q3的c极连接,N沟道MOSFET管Q4的源极连接有第二信号输入端S2A,N沟道MOSFET管Q4的漏极与信号输出端DA连接;所述第三切换通道包括三极管Q5和N沟道MOSFET管Q6,三极管Q5的b极串联限流电阻R7后,连接与非门U2C的输出端,三极管Q5的c极串联保护电阻R9后,与直流电源VDD连接,三极管Q5的e极接地。N沟道MOSFET管Q6的栅极与三极管Q5的c极连接,N沟道MOSFET管Q6的源极连接有第三信号输入端S3A,N沟道MOSFET管Q6的漏极与信号输出端DA...

【专利技术属性】
技术研发人员:李崇波邹缙肖少兵王怡华王琴陈志国
申请(专利权)人:大禹电气科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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