包括形成无接触接口的至少一个过渡的封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种封装结构（100），包括具有第一和第二传导块区段（10A、20A）和第一平面传输线路（2A）与第二传输线路（11A）之间的至少一个过渡的裂纹式砌块组件，以及一个或多个输入/输出端口。第一传输线路（2A）布置在衬底上，例如MMIC（1A），设置在第一传导块区段（10A）上并且包括耦合区段（3A），第一传导块（10A）包括具有第一传导块区段（10A）的上表面中的腔体开口的腔体（4A），所述腔体开口如此布置使得在裂纹式砌块组件的组装状态中，耦合区段（3A）将位于腔体（4A）的开口中或上方，第二传输线路（11A）与第一传输线路（2A）一致并且位于腔体（4A）的开口的相对侧上。第二传导块区段（20A）充当封装结构的组装状态中的盖子。传导块区段中的一个提供有沿着或者面向第一传输线路（2A）和第二传输线路（11A）的过渡区中的高阻抗表面（15A），窄隙提供在高阻抗表面区（15A）与至少处于过渡区中的其它传导块区段（10A）的相对表面之间，使得过渡将是无接触的，而没有第一和第二传输线路（2A、11A）之间的任何电流接触。

A package structure comprising at least one transition forming a contactless interface

The present invention relates to an encapsulation structure (100), comprising at least one cracked block assembly with at least one transition between the first and second conduction block sections (10A, 20A) and the first planar transmission line (2A) and the second transmission line (11A), and one or more input/output ports. The first transmission line (2A) is arranged on a substrate, such as MMIC (1A), which is arranged on the first conduction block section (10A) and includes a coupling section (3A), and the first conduction block (10A) includes a cavity (4A) with a cavity opening in the upper surface of the first conduction block section (10A), so that the cavity opening is coupled in the assembly state of the cracked block assembly. Section (3A) will be located in or above the opening of the cavity (4A), and the second transmission line (11A) will be identical to the first transmission line (2A) and on the opposite side of the opening of the cavity (4A). The second conduction block section (20A) acts as a cover in the assembly state of the packaging structure. A high impedance surface (15A) in the transition zone along or facing the first transmission line (2A) and the second transmission line (11A), and a narrow gap between the relative surface of the high impedance surface area (15A) and at least other conduction block sections (10A) in the transition zone, make the transition non-contact without the first and second transmission lines. Any current contact between circuits (2A, 11A).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括形成无接触接口的至少一个过渡的封装结构
本专利技术涉及具有权利要求1的第一部分的特征的封装结构，所述封装结构包括第一传输线路与第二传输线路之间的至少一个过渡（transition）。本专利技术还涉及具有权利要求31的第一部分的特征的包括无接触过渡的互连装置。本专利技术还涉及如权利要求33中的互连装置用于在包括电子电路或被测设备（DUT）的设备上执行测量的用途。
技术介绍
在毫米波和亚毫米波频带中，高频率的使用正受到越来越多的关注。能够使用毫米或亚毫米波频率区是有吸引力的，因为在这些频率区中较大的频率带宽是可用的。因此，出于许多不同的目的和应用而需要电路与波导或天线之间、电路之间以及波导之间的过渡或互连。然而，若干个问题与这样的接口的提供相关联。具有良好的电性能、机械稳定性和低成本的封装对于高频率应用是关键的。用于芯片对芯片互连的常规技术是引线接合和倒装芯片封装。通常，对于这样的高频率下的波导与电路之间的过渡，使用分离的探针过渡来提供波导与电路之间的接口。探针过渡将波导TE10模式转换到微带或共面模式。探针过渡必须足够窄以防止波导模式向电路腔体中的泄露。泄露导致直接损耗以及电路腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），包括第一传输线路（2A；…；2H）和第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）之间的至少一个过渡，所述第一传输线路是平面传输线路，封装结构包括具有第一传导块区段（10A；10B；10C；10D，10D；10E；10F；10G；10H）和第二传导块区段（20A；20B；20C；20D；20E；20F；20G；20H）的裂纹式砌块组件以及至少一个输入/输出端口，其特征在于，第一传输线路（2A；…；2H）布置在衬底上或者形成布置在衬底上的例如MMIC（1A；…；1H）之类的电路装置的一部分，设置在第一传...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），包括第一传输线路（2A；…；2H）和第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）之间的至少一个过渡，所述第一传输线路是平面传输线路，封装结构包括具有第一传导块区段（10A；10B；10C；10D，10D；10E；10F；10G；10H）和第二传导块区段（20A；20B；20C；20D；20E；20F；20G；20H）的裂纹式砌块组件以及至少一个输入/输出端口，其特征在于，第一传输线路（2A；…；2H）布置在衬底上或者形成布置在衬底上的例如MMIC（1A；…；1H）之类的电路装置的一部分，设置在第一传导块区段（10A；…；10H）上并且包括或者连接到耦合区段（3A；…；3H），针对所述过渡或者每一个过渡，第一传导块区段（10A；…；10H）进一步包括具有第一传导块区段（10A；…；10H）的上表面中的腔体开口的腔体（4A；…；4H），第一传输线路（2A；…；2H）如此布置使得耦合区段（3A；…；3H）将在裂纹式砌块组件的组装状态中位于腔体（4A；…；4H）开口中，第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）在腔体（4A；…；4H）开口的相对侧上与第一传输线路（2A；…；2H）一致布置以用于提供第一和第二传输线路之间的过渡，第二传导块区段（20A；…；20H）布置成充当封装结构的组装状态中的盖子或覆盖物，传导块区段中的一个被提供高阻抗或AMC表面区（15A；…；15H），例如包括周期性或准周期性结构，沿着或者面向所述过渡处的第一传输线路（2A；…；2H）和第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）布置，并且存在高阻抗或AMC表面区（15A；…；15H）与至少处于所述过渡区中的裂纹式砌块组件的组装状态中的其它传导块区段（10A；…；10H）的相对表面之间的窄隙，使得所述第一传输线路（2A；…；2H）和所述第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）之间的所述或者每一个过渡是无接触的，而没有第一传输线路（2A；…；2H）和第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）之间的任何电流接触。2.根据权利要求1所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，腔体（4A；…；4H）具有大约λg/4的深度，即，基本上四分之一波长。3.根据权利要求1或2所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，所述或者每一个腔体（4A；…；4H）具有在其中提供它的块区段的平面中的开口，所述开口的尺寸超出一个或多个耦合区段（3A；…；3H）的尺度，并且耦合区段（3A；…；3H）从腔体开口的一个末端突出并且突入到腔体开口中，第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）邻近腔体开口的相对末端定位，或者从相对末端进入腔体开口，使得存在第一传输线路（2A；…；2H）的耦合区段（3A；…；3H）与第二传输线路（11A；…；11E；2G'；11H）或者第二传输线路（2G'）的耦合区段（3G'）之间的稍许距离。4.根据权利要求1或2所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，腔体（4C；4D；4E；4F；4H）具有矩形、圆形、方形、椭圆形截面或类似物，其尺度具有λg/2的大小的量级。5.根据权利要求1-3中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，腔体（4A；4B；4G）具有多边形形状，其尺度具有λg/2的大小的量级。6.根据前述权利要求中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，第一和第二传导块区段（10,20；10A,20A1；…；10H,20H）适于是可安装/可解除安装的或者借助于互连装置可释放地可互连，并且因而可能组装/解除组装，所述互连装置诸如螺丝或类似物，对准装置可选地提供用于辅助在组装时对准第一和第二传导块区段。7.根据前述权利要求中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，所述或者每一个衬底包括介电衬底，并且所述或者每一个衬底成形成包括开口或孔，所述开口或孔基本上具有与第一块区段中的腔体开口相同的平面尺度并且与之共同定位，或者衬底以任意方式成形，而同时在耦合区段之下延伸，或者介电衬底是完好的，而没有任何对应的开口或孔或成形，并且以与耦合区段相同的距离突入到腔体开口中。8.根据前述权利要求中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，高阻抗表面（15A；…；15H）或者AMC表面包括周期性或准周期性结构，所述周期性或准周期性结构包括具有多个引脚（16A；…；16H）的引脚结构、皱褶、或者布置成形成引脚床、褶皱的金属类似物、或者类似物，间隙是比λg/4更小的或者更小得多的，优选地大概为λg/10，并且间隙是气隙或者至少部分地填充介电材料的间隙。9.根据前述权利要求中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，周期性或准周期性结构（15A；…；15H）的引脚（16A；…；16H）、褶皱或类似物具有适于特定的所选频率带的尺度，从而阻挡所有其它模式。10.根据前述权利要求中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，所述或者每一个耦合区段适于将EM场从所述第一传输线路/第一传输线路耦合到所述第二传输线路/第二传输线路。11.根据前述权利要求中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），其特征在于，所述或者每一个腔体适于充当半波长谐振器。12.根据前述权利要求中任一项所述的高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；800），其特征在于，第一传输线路包括例如MMIC之类的电路装置（1A；…；1F；1H）的微带线路，并且第二传输线路包括波导（11A；11B；11C；11D；11E；11F；11H），封装结构因而包括例如MMIC之类的电路装置与波导之间的至少一个无接触过渡。13.根据权利要求12所述的高频率封装结构（200；400；600），其特征在于，它包括具有两个过渡的背对背结构，每一个过渡处于波导区段（11B，11B）与例如MMIC（1B）之类的电路装置之间，即，包括两端口设备。14.根据权利要求12或13所述的高频率封装结构（100；200），其特征在于，所述或者每一个波导（11A；11B，11B）包括矩形波导、脊波导、圆形波导或者方形波导或者任何其它标准波导。...

【专利技术属性】
技术研发人员：AU扎曼，J杨，U南迪，
申请(专利权)人：深谷波股份公司，
类型：发明
国别省市：瑞典,SE