一种改变离子束方向的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种改变离子束方向的装置及方法，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。本发明专利技术极大程度上提高了产品性能，使用率得到极大的延长，减少成本，符合现代化工业需求，在金属整体表面均匀设置球孔，增加了表面积，提高对此工艺产生的副产品的吸附并且可以有效的散热，更适合长时间工作。

A device for changing the direction of ion beam

The invention discloses a device and a method for changing the direction of an ion beam, including an ion source for emitting an ion beam, and a metal whole for adjusting the reflection direction of the ion beam, so that the angle between the reflection direction of the ion beam and the plane where the metal whole is located is the first angle of theta, and the angle of 0 degree is less than the first angle of theta<90 degrees. The invention greatly improves the performance of the product, greatly prolongs the utilization rate, reduces the cost, meets the needs of modern industry, uniformly sets spherical holes on the overall surface of the metal, increases the surface area, improves the adsorption of by-products produced by the process and can effectively heat dissipation, and is more suitable for long-term work.

【技术实现步骤摘要】
一种改变离子束方向的装置
本专利技术涉及半导体加工制造领域，具体为一种改变离子束方向的装置。
技术介绍
在芯片制造加工过程中，芯片表面需要进行离子束处理，离子束在最中间能量是均匀分布的，但是在边缘处离子束会分散出现不规则运动状况，能量分布不均匀，导致产品的边缘处表面分布不够理想，并且表面由离子撞击的产生的副产品吸附力较差，影响到工艺精度，使用周期，减弱产品的实际使用效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改变离子束方向的装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种改变离子束方向的装置，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。优选的，金属整体表面均匀分布有球孔，其边缘处具有一定角度，其与金属整体所在平面之间的夹角为β。优选的，离子源具有离子偏离角度α，离子偏离角度α为离子束与金属整体之间的夹角，离子偏离角度α与金属整体对应设置。一种改变离子束方向的方法，其操作步骤包括：S1：离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体；S2：检测当前离子束与夹角β之间的撞击力度，获取检测数值x1；S21：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β1，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β1之间的撞击力度，获取检测数值x2；S22：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β2，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β2之间的撞击力度，获取检测数值x3；S2n：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为βn，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角βn之间的撞击力度，获取检测数值xn；S3：对比x1、x2、x3……xn的撞击力度数值大小，确定最终离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的第一夹角θ的大小。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、本专利技术极大程度上提高了产品性能，使用率得到极大的延长，减少成本，符合现代化工业需求。2.本专利技术金属整体表面均匀分布的球孔，增加了表面积，提高对此工艺产生的副产品的吸附并且可以有效的散热，更适合长时间工作。附图说明图1为本专利技术原理示意图1；图2为本专利技术金属整体的结构示意图；图3为本专利技术的原理框图；图4为本专利技术原理示意图2。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。请参阅图1-4，本专利技术提供一种技术方案：一种改变离子束方向的装置及方法，包括离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。金属整体表面均匀分布有球孔，其边缘处具有一定角度，其与金属整体所在平面之间的夹角为β。离子源具有离子偏离角度α，离子偏离角度α为离子束与金属整体之间的夹角，离子偏离角度α与金属整体对应设置。工作原理：S1：离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体；S2：检测当前离子束与夹角β之间的撞击力度，获取检测数值x1；S21：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β1，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β1之间的撞击力度，获取检测数值x2；S22：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为β2，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角β2之间的撞击力度，获取检测数值x3；S2n：改变金属整体与金属整体所在平面之间的夹角为βn，离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体，检测当前离子束与夹角βn之间的撞击力度，获取检测数值xn；S3：对比x1、x2、x3……xn的撞击力度数值大小，确定最终离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的第一夹角θ的大小。值得注意的是：整个装置通过总控制按钮对其实现控制，由于控制按钮匹配的设备为常用设备，属于现有常熟技术，在此不再赘述其电性连接关系以及具体的电路结构。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改变离子束方向的装置，其特征在于，包括：离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。

【技术特征摘要】
1.一种改变离子束方向的装置，其特征在于，包括：离子源，用于发射离子束；金属整体，用于调整所述离子束的反射方向，使所述离子束的反射方向与所述金属整体所在平面之间的夹角为第一夹角θ，0°≤第一夹角θ＜90°。2.根据权利要求1所述的一种改变离子束方向的装置，其特征在于：所述金属整体表面均匀分布有球孔，其边缘处具有一定角度，其与金属整体所在平面之间的夹角为β。3.根据权利要求1所述的一种改变离子束方向的装置，其特征在于：所述离子源具有离子偏离角度α，离子偏离角度α为离子束与金属整体之间的夹角，离子偏离角度α与金属整体对应设置。4.根据权利要求1所述的一种改变离子束方向的装置及方法，其特征在于，其操作步骤包括：S1：离子源发射离子束，离子束以离子偏离角度α撞击金属整体；S2：检...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶文君，梁晗，
申请(专利权)人：丰豹智能科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31