一种亚稳态石墨烯基光催化反应器和催化还原二氧化碳的方法技术

技术编号:21152439 阅读:26 留言:0更新日期:2019-05-22 05:31
本发明专利技术公开了一种亚稳态石墨烯基光催化反应器,包括透明的柱状绝缘壳体,水平布置于柱状绝缘壳体内的无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜,以及安装在所述柱状绝缘壳体顶面和底面上的电极板,所述无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜,石墨烯膜为亚稳态结构,其中,石墨烯单片层内没有原子孔洞缺陷和SP3缺陷;片层之间的堆叠方式为乱序堆叠。在光照射下,石墨烯硅界面层会产生光生载流子;在外电场作用下,形成电子界面和空穴界面。电子层和空穴层持续的作用下,催化二氧化碳和水形成甲烷、一氧化碳以及氧气。

A Metastable Graphene-based Photocatalytic Reactor and a Method for Catalytic Reduction of Carbon Dioxide

The invention discloses a metastable graphene-based photocatalytic reactor, which comprises a transparent columnar insulating shell, a defect-free densely packed graphene submicron composite film horizontally arranged in the columnar insulating shell, and an electrode plate mounted on the top and bottom surfaces of the columnar insulating shell. The defect-free densely packed graphene submicron composite film comprises a graphene film and a stone. The silicon nanofilm on the front of the melene film has metastable structure, in which there are no atom hole defects and SP3 defects in the graphene monolayer, and the stacking mode between the layers is disorderly stacking. Under the irradiation of light, the graphene-silicon interface layer produces photogenerated carriers, and under the action of external electric field, the electronic interface and the hole interface are formed. Under the continuous action of the electron layer and the hole layer, carbon dioxide and water are catalyzed to form methane, carbon monoxide and oxygen.

【技术实现步骤摘要】
一种亚稳态石墨烯基光催化反应器和催化还原二氧化碳的方法
本专利技术涉及一种亚稳态石墨烯基光催化反应器和催化还原二氧化碳的方法。
技术介绍
2010年,英国曼彻斯特大学的两位教授AndreGeiM和KonstantinNovoselov因为首次成功分离出稳定的石墨烯获得诺贝尔物理学奖,掀起了全世界对石墨烯研究的热潮。石墨烯有优异的电学性能(室温下电子迁移率可达2×105cM2/Vs),突出的导热性能(5000W/(MK),超常的比表面积(2630M2/g),其杨氏模量(1100GPa)和断裂强度(125GPa)。石墨烯优异的导电导热性能完全超过金属,同时石墨烯具有耐高温耐腐蚀的优点,而其良好的机械性能和较低的密度更让其具备了在电热材料领域取代金属的潜力。宏观组装氧化石墨烯或者石墨烯纳米片的石墨烯膜是纳米级石墨烯的主要应用形式,常用的制备方法是抽滤法、刮膜法、旋涂法、喷涂法和浸涂法等。通过进一步的高温处理,能够修补石墨烯的缺陷,能够有效的提高石墨烯膜的导电性和热导性,可以广泛应用于电池材料、导热材料、导电材料等领域。目前,光催化还原二氧化碳和水的催化剂主要是二氧化钛等半导体,但是其带隙大,只能吸收紫外光,对光的利用效率极低,催化效率也不高。还未有石墨烯催化这类反应的报导。主要原因有一下几点:其一,石墨烯吸光率低,光催化效率低;其二,石墨烯不能大面积独立自支撑存在;其三,石墨烯绝对力学较差,不能耐受金属喷涂。其四,石墨烯为零带隙结构,且层数只有一层电子孔穴耦合作用较大。为此,我们设计了高强度独立自支撑的膜,此薄膜具有层间交联结构,有一定的带隙,可以增加电子孔穴耦合时间;薄膜有一定厚度,极大地增加了光吸收率;薄膜有层间交联结构,强度很高。为此,可以在外电场作用下实现电子和空穴层的分离,为光催化提供条件。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足,提供一种亚稳态石墨烯基光催化反应器和催化还原二氧化碳的方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:一种亚稳态石墨烯基光催化反应器,包括透明的柱状绝缘壳体(1),水平布置于柱状绝缘壳体(1)内的无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜(2),以及安装在所述柱状绝缘壳体(1)顶面和底面上的电极板,两个电极板分别连接电源的正极和负极;所述柱状绝缘壳体(1)的侧壁开有注气孔(5),注气孔(5)通过一绝缘橡胶塞密封。所述无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜是通过对碳氧比为1.8~2.2的石墨烯膜进行如下热处理得到:以1~5℃/min逐步升温到300度,维持1-2小时;降至室温后,1~20℃/min逐步升温到1500度,维持1-2小时,然后1~5℃/min继续升温到3000度,维持1-2小时,最后采用磁控溅射的方式在石墨烯膜表面喷涂一层硅纳米粒子。进一步地,所述碳氧比为1.8~2.2的石墨烯膜通过刮膜法制备得到。进一步地,所述柱状绝缘壳体(1)内具有水平的网格状支架,网格状支架的边缘固定于柱状绝缘壳体(1)的内侧壁,无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜(2)铺设于所述网格状支架上。进一步地,所述无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜(2)的边缘黏贴于柱状绝缘壳体(1)的内侧壁,且无缺陷密堆积石墨烯亚微米薄膜(2)具有若干孔洞。光催化反应器催化还原二氧化碳的方法,该方法为:通过注气孔(5)向反应器中注入水蒸气和二氧化碳,然后密封;将两个电极板接通电源的正极和负极,同时对石墨烯面进行光照。上下两个电极板使得电子和空穴分离,分离后的电子和空穴分别位于复合膜的两个表面上,其中,喷涂有硅纳米粒子的一面集结电子,构成电子层,另一面集结空穴,形成空穴层;电子层和空穴层之间形成电势差,还原二氧化碳和水,形成甲烷、一氧化碳以及氧气。本专利技术的有益效果在于:本专利技术基于具有光生电子效应的无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜,设计出一种催化反应器,可用于二氧化碳的催化还原。其中无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜由石墨烯膜和硅纳米膜组成,其中,石墨烯膜的石墨烯单片层内没有原子孔洞缺陷和SP3缺陷;片层之间的堆叠方式为乱序堆叠。无缺陷的片层结构极大的提高了载流子迁移率,有利于电子空穴的传输;而乱序堆叠的亚稳态结构,使得石墨烯内部电子云呈现高能态结构,相比于石墨结构,吸收相同的光,更容易吸收光子形成电子空穴对或者能产生更多的的电子空穴对。使用时,该薄膜具有更高的电子迁移率,而且没有重金属污染问题存在,降低了成本,提高光转化效率。致密的堆积结构以及无缺陷的原子结构,使得石墨烯膜具有极好的电导率;石墨烯无带隙的性质,有利于扩展光的吸收波段(紫外到远红外0-10um)以及吸收率;同时,硅的存在有利于电子空穴分离,提高光响应速率并且减少电子空穴对的复合,进而提高光利用效率;所述石墨烯纳米膜层间交联,有利于提高石墨烯膜的强度,进而提升石墨烯膜的可操作性,还可以提高电子孔穴对复合时间,提高内量子效率,进而提高光利用率;所述石墨烯膜的厚度为10-100nm,有利于电子孔穴对向石墨烯/硅硝基节的有效扩散,提高内量子效率,进而提高光利用率;缺陷密度ID/IG≤0.01,有利于光的宽频饱和吸收。本专利技术还利用氧化石墨烯表面丰富的官能团,在300度以下逐步脱落,将石墨烯表面部分碳原子解离,形成孔洞缺陷。在1500度升温以及稳定过程中,官能团通过孔洞缺陷不断脱离,直至完全脱落,无官能团存在。在温度高于1600度时,石墨烯表面缺陷得到缓慢修复。附图说明图1为无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜光还原二氧化碳的装置示意图;图中,1为柱状绝缘壳体,2为无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜,其中阴影部分为硅纳米层,3为负极板,4为正极板,5为注气孔。图2为石墨烯膜的拉曼图。具体实施方式实施例1:如图1所示,一种亚稳态石墨烯基光催化反应器,包括由亚克力制成的柱状绝缘壳体1,水平布置于柱状绝缘壳体1内的网格状支架,无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜2铺设于网格状支架上,柱状绝缘壳体1底面安装有正极板3,顶面上固定负极板4,两个电极板分别连接电源的正极和负极;柱状绝缘壳体1的侧壁开有注气孔5,注气孔5通过一绝缘橡胶塞密封。所述无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜2包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜,硅纳米膜由硅纳米颗粒组成。无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜2与上下两个电极板平行,且硅纳米层朝上。无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜通过以下方法制备得到:用刮膜法制备厚度为800nm,碳氧比为1.8的石墨烯膜;然后进行如下三步升温热处理:(1)以1℃/min逐步升温到300度,维持2小时;同时检测该过程中产生的气体分子。检测过程中,发现有含碳的气体分子(包括二氧化碳、一氧化碳)溢出,表明石墨烯表面部分碳原子解离,形成孔洞缺陷。(2)降至室温后,1℃/min逐步升温到1500度,维持2小时;(3)然后1℃/min继续升温到3000度,维持2小时;制备得到的石墨烯膜如图2所示,从图中可以看出,石墨烯膜仅有微弱的边缘缺陷(不可避免),说明石墨烯片层内结构完全修复;另外,石墨烯膜2D峰完全轴对称,说明石墨烯片层之间的堆叠方式是乱序堆叠,而不是稳态的AB堆叠。另外,厚度为240nm,密度为2.2g/cm3。电导率为2MS/m。(4)采用磁控溅射的方式在石墨烯膜表面喷涂一层硅纳米粒子。通过注气孔4向反应器中注本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种亚稳态石墨烯基光催化反应器,其特征在于,包括透明的柱状绝缘壳体(1),水平布置于柱状绝缘壳体(1)内的无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜(2),以及安装在所述柱状绝缘壳体(1)顶面和底面上的电极板,两个电极板分别连接电源的正极和负极;所述柱状绝缘壳体(1)的侧壁开有注气孔(5),注气孔(5)通过一绝缘橡胶塞密封。所述无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜是通过对碳氧比为1.8~2.2的石墨烯膜进行如下热处理得到:以1~5℃/min逐步升温到300度,维持1‑2小时;降至室温后,1~20℃/min逐步升温到1500度,维持1‑2小时,然后1~5℃/min继续升温到3000度,维持1‑2小时,最后采用磁控溅射的方式在石墨烯膜表面喷涂一层硅纳米粒子。

【技术特征摘要】
1.一种亚稳态石墨烯基光催化反应器,其特征在于,包括透明的柱状绝缘壳体(1),水平布置于柱状绝缘壳体(1)内的无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜(2),以及安装在所述柱状绝缘壳体(1)顶面和底面上的电极板,两个电极板分别连接电源的正极和负极;所述柱状绝缘壳体(1)的侧壁开有注气孔(5),注气孔(5)通过一绝缘橡胶塞密封。所述无缺陷密堆积石墨烯亚微米复合薄膜是通过对碳氧比为1.8~2.2的石墨烯膜进行如下热处理得到:以1~5℃/min逐步升温到300度,维持1-2小时;降至室温后,1~20℃/min逐步升温到1500度,维持1-2小时,然后1~5℃/min继续升温到3000度,维持1-2小时,最后采用磁控溅射的方式在石墨烯膜表面喷涂一层硅纳米粒子。2.根据权利要求1所述的光催化反应器,其特征在于,所述碳氧比为1.8~2.2的石墨烯膜通过刮膜法制备得到。3.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:高超彭蠡许震刘一晗
申请(专利权)人:杭州高烯科技有限公司浙江大学
类型:发明
国别省市:浙江,33

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