一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构为：Ag/ITO/ZnTe/i‑a‑Si/n‑c‑Si/i‑a‑Si/CdSe/Ag；制备时，对单晶硅片进行表面清洗以去除其表面污染杂质；在硅片前后表面生长一层本征非晶硅；在硅片正面的非晶硅薄膜上面，生长ZnTe薄膜和ITO导电薄膜；在硅片背面的非晶硅薄膜上面，生长CdSe薄膜；生长前后Ag电极。本发明专利技术提出利用碲化锌(ZnTe)和硒化镉(CdSe)分别替代传统非晶硅/晶体硅结构中的p型非晶硅(p‑a‑Si)和n型非晶硅(n‑a‑Si)，ZnTe/a‑Si/c‑Si/a‑Si/CdSe结构的异质结太阳能电池的效率期望得到较大的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及一种晶体硅异质结太阳能电池，以及其制备方法，属于太阳能电池

技术介绍
日本松下公司研发的基于非晶硅(a-Si)薄膜钝化晶体硅(c-Si)表面的设计是一种典型的晶硅体异质结太阳能电池结构，电池的吸收层采用n型直拉单晶硅片，首先在单晶硅正面生长厚度为10nm左右的本征非晶硅层作为表面钝化层，再生长10nm左右的p型非晶硅层，二者共同构成正面空穴传输层，然后在单晶硅背面依次生长10nm左右本征非晶硅和n型非晶硅层，形成背面的电子传输层，目前这种结构电池的光电转换效率已经达到了26.3％。为了进一步提高晶体硅异质结电池的效率，仅仅通过改进和优化非晶硅薄膜以及与晶体硅接触界面的质量，人们发现电池的效率很难有较大幅度的提升。因此，人们应该另辟蹊径，抛弃经典的利用非晶硅钝化晶体硅表面的异质结电池设计思路，找到一种替代非晶硅薄膜的钝化材料，获得更理想的晶硅体异质结电池的结构。新型晶体硅异质结电池结构的设计有两个关键因素需要考虑，其一，替代非晶硅薄膜的钝化材料对硅晶体硅应该具有良好钝化效果，最大限度地减少界面态缺陷。其二，这种替代的钝化材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于：具有如下的电池结构：Ag/ITO/ZnTe/i‑a‑Si/n‑c‑Si/i‑a‑Si/CdSe/Ag，其中Ag为金属银，ITO为掺锡的氧化铟透明导电薄膜，ZnTe为p型半导体，i‑a‑Si为本征非晶硅，n‑c‑Si为n型单晶硅衬底，CdSe为n型半导体。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于：具有如下的电池结构：Ag/ITO/ZnTe/i-a-Si/n-c-Si/i-a-Si/CdSe/Ag，其中Ag为金属银，ITO为掺锡的氧化铟透明导电薄膜，ZnTe为p型半导体，i-a-Si为本征非晶硅，n-c-Si为n型单晶硅衬底，CdSe为n型半导体。2.一种权利要求书所述太阳能电池的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕华，张嘉华，芮哲，丁月珂，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33