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本发明公开了一种晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构为：Ag/ITO/ZnTe/i‑a‑Si/n‑c‑Si/i‑a‑Si/CdSe/Ag；制备时，对单晶硅片进行表面清洗以去除其表面污染杂质；在硅片前后表面生长一层本征非晶硅；在硅片正...
该专利属于浙江师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江师范大学授权不得商用。

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