改善片式钽电容器失效模式的组合结构及片式钽电容器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改善片式钽电容器失效模式的组合结构及片式钽电容器，涉及新型片式固体电解质电容器制造技术领域。改善片式钽电容器失效模式的组合结构包括引线框架本体、固定于框架本体的基板、以及电路组件，引线框架本体设有阳极焊片和阴极焊片，电路组件的正极与阳极焊片连接，电路组件的负极与阴极焊片连接，电路组件包括至少两个电路并联设置于基板的电路单元，每个电路单元包括电路串联的钽芯和熔断器。改善片式钽电容器失效模式的组合结构及片式钽电容器能够提高了单只钽芯子抗外界和内在因素造成失效带来整机失效的容量损失和损伤周边元器件及整机停止工作的安全性。

Combination Structure for Improving Failure Mode of Chip Tantalum Capacitor and Chip Tantalum Capacitor

The utility model relates to a combined structure for improving the failure mode of a chip tantalum capacitor and a chip tantalum capacitor, and relates to the technical field of manufacturing a novel chip solid electrolyte capacitor. The combined structure for improving the failure mode of chip tantalum capacitor includes lead frame body, base plate fixed on frame body and circuit components. The lead frame body is provided with anode and cathode welding plates, the positive and anode welding plates of circuit components are connected, the negative and cathode welding plates of circuit components are connected, and the circuit components include at least two circuit units parallel to the base plate. Each circuit unit includes a tantalum core and a fuse connected in series. Improving the combination structure of failure modes of chip tantalum capacitors and chip tantalum capacitors can improve the capacity loss of a single tantalum core against external and internal factors causing failure of the whole machine, damage peripheral components and the safety of the whole machine to stop working.

【技术实现步骤摘要】
改善片式钽电容器失效模式的组合结构及片式钽电容器
本技术涉及新型片式固体电解质电容器制造
，具体涉及一种改善片式钽电容器失效模式的组合结构及片式钽电容器。
技术介绍
随着电子技术的飞速发展，片式钽电容器被广泛运用在航空、航天、宇航等军用装备和科技含量比较高的民用领域里，因此，片式钽电容器的失效模式越来越受到关注。传统的片式钽电容器失效时会出现燃烧、爆炸等现象造成电路损坏，而内置熔断器片式钽电容器作为一种新型电容器产品，具有将传统片式钽电容器短路击穿的失效模式转变为开路失效模式的特点，能有效的解决片式钽电容器的短路击穿后损坏电路这一问题。内置熔断器片式钽电容器属高端片式钽电容器产品，较传统片式钽电容器相比，第一，具有在经受异常情况出现击穿短路时能迅速隔断、隔离后端电路，确保整机系统免受损坏，工作正常；第二，当电路出现外部异常(过压，过流，超温或者电容器自身缺陷短路)时，流过电容器的电流及其持续时间达到内置熔断器的熔断热能值时，熔断器立即熔断，起到隔离故障电容器，保护电路的目的。但是现有的内置熔断器片式钽电容器仍然存在电容量的损失，短路击穿失效或受整机意外情况失效导致的安全性和可靠性的隐患。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改善片式钽电容器失效模式的组合结构，其能够提高了单只钽芯子抗外界和内在因素造成失效带来整机失效的容量损失和损伤周边元器件及整机停止工作的安全性。本技术的另一目的在于提供一种片式钽电容器，其扩展了电容器在使用过程中的性能特点，拓展其应用领域。本技术的实施例是这样实现的：一种改善片式钽电容器失效模式的组合结构，其包括引线框架本体、固定于框架本体的基板、以及电路组件，引线框架本体设有阳极焊片和阴极焊片，电路组件的正极与阳极焊片连接，电路组件的负极与阴极焊片连接，电路组件包括至少两个电路并联设置于基板的电路单元，每个电路单元包括电路串联的钽芯和熔断器。在本技术较佳的实施例中，上述电路单元的数量为两个，两个电路单元分别为第一电路单元和第二电路单元，第一电路单元包括第一钽芯和第一熔断器，第一钽芯的钽丝与第一熔断器电连接，第二电路单元包括第二钽芯和第二熔断器，第二钽芯的钽丝与第二熔断器电连接，第一钽芯和第二钽芯设置于基板的两侧且对称设置。在本技术较佳的实施例中，上述第一熔断器与第二熔断器并排间隔设置于基板的同侧。在本技术较佳的实施例中，上述引线框架本体设置于基板靠近第一钽芯的一侧，阴极焊片具有阴极枕头，阳极焊片具有第一阳极枕头和第二阳极枕头，阳极焊片与阴极焊片之间具有安装孔区域，基板设有用于与第一阳极枕头固定连接的第一金属化连接孔、用于与第二阳极枕头固定连接的第二金属化连接孔、以及用于与阴极枕头固定连接的第三金属化连接孔，第一钽芯与第一熔断器伸出安装孔区域向远离第二钽芯的一侧延伸。在本技术较佳的实施例中，上述基板设有第一连接线孔和第二连接线孔，第一连接线孔与第一熔断器电路连接，第二连接线孔与第二熔断器电路连接，第一连接线孔焊接有第一导线，第一导线远离基板的一端与第一钽芯的钽丝连接，第二连接线孔焊接有第二导线，第二导线远离基板的一端与第二钽芯的钽丝连接。在本技术较佳的实施例中，上述第一连接线孔与第二连接线孔并列间隔设置，第一连接线孔与第二连接线位于第一金属化连接孔与第二金属化连接孔之间。在本技术较佳的实施例中，上述第一熔断器与第二熔断器沿引线框架本体的轴线对称设置。在本技术较佳的实施例中，上述熔断器为快速熔断型贴片式保险丝或采用熔断合金材料印刷至基板形成的熔断器。在本技术较佳的实施例中，上述熔断器为快速熔断型贴片式熔断器，熔断器通过高温焊膏层与基板连接。一种片式钽电容器，其包括上述改善片式钽电容器失效模式的组合结构。本技术实施例的有益效果是：通过至少两个电路并联设置于基板的电路单元，每个电路单元包括电路串联的钽芯和熔断器。在确保电容量的情况下，等效串联电阻减小，降低了钽电容器在使用过程中出现失效无容或容量损失过大的风险，提高了钽电容器在使用时的安全性和可靠性；并将并联组装好的两只钽芯子和两只熔断器置于模压塑封体内；将通过内置保险丝的快速熔断特性，实现内置保险丝片式电解电容器将传统片式钽电容器短路击穿失效改变为开路失效的特点，实现一只钽电容器在使用过程中有两次失效保护的功能。大大的提高了用户在使用过程中的安全和可靠，克服单只钽电容器在使用过程中失效而失去电容特性的现象，同时提高了钽电容器在TR组件中，失效一只钽电容造成的容量损失过大的现象。提高了内置保险丝片式电解电容器结构的不足，扩展了电容器在使用过程中的性能特点，拓展其应用领域，具有设计新颖、使用简单、效果明显的特点。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本技术实施例1提供的改善片式钽电容器失效模式的组合结构的第一视角的结构示意图；图2为本技术实施例1提供的改善片式钽电容器失效模式的组合结构的第二视角的结构示意图；图3为本技术实施例1提供的引线框架本体的结构示意图；图4为本技术实施例1提供的基板的结构示意图。图标：10-改善片式钽电容器失效模式的组合结构；100-引线框架本体；110-阳极焊片；111-第一阳极枕头；113-第二阳极枕头；120-阴极焊片；121-阴极枕头；130-阳极定位销；140-阴极定位销；150-安装孔区域；200-电路组件；210-第一电路单元；211-第一钽芯；213-第一熔断器；220-第二电路单元；221-第二钽芯；223-第二熔断器；300-基板；310-第一金属化连接孔；320-第二金属化连接孔；330-第三金属化连接孔；340-第一连接线孔；350-第二连接线孔；360-第一导线；370-第二导线。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善片式钽电容器失效模式的组合结构，其特征在于，包括引线框架本体、固定于所述框架本体的基板、以及电路组件，所述引线框架本体设有阳极焊片和阴极焊片，所述电路组件的正极与所述阳极焊片连接，所述电路组件的负极与所述阴极焊片连接，所述电路组件包括至少两个电路并联设置于所述基板的电路单元，每个所述电路单元包括电路串联的钽芯和熔断器。

【技术特征摘要】
1.一种改善片式钽电容器失效模式的组合结构，其特征在于，包括引线框架本体、固定于所述框架本体的基板、以及电路组件，所述引线框架本体设有阳极焊片和阴极焊片，所述电路组件的正极与所述阳极焊片连接，所述电路组件的负极与所述阴极焊片连接，所述电路组件包括至少两个电路并联设置于所述基板的电路单元，每个所述电路单元包括电路串联的钽芯和熔断器。2.根据权利要求1所述的改善片式钽电容器失效模式的组合结构，其特征在于，所述电路单元的数量为两个，两个所述电路单元分别为第一电路单元和第二电路单元，所述第一电路单元包括第一钽芯和第一熔断器，所述第一钽芯的钽丝与所述第一熔断器电连接，所述第二电路单元包括第二钽芯和第二熔断器，所述第二钽芯的钽丝与所述第二熔断器电连接，所述第一钽芯和所述第二钽芯设置于所述基板的两侧且对称设置。3.根据权利要求2所述的改善片式钽电容器失效模式的组合结构，其特征在于，所述第一熔断器与所述第二熔断器并排间隔设置于所述基板的同侧。4.根据权利要求2所述的改善片式钽电容器失效模式的组合结构，其特征在于，所述引线框架本体设置于所述基板靠近所述第一钽芯的一侧，所述阴极焊片具有阴极枕头，所述阳极焊片具有第一阳极枕头和第二阳极枕头，所述阳极焊片与所述阴极焊片之间具有安装孔区域，所述基板设有用于与所述第一阳极枕头固定连接的第一金属化连接孔、用于与所述第二阳极枕头固定连接的第二金属化连接孔、以及用于与所述阴极枕头固定...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊远根，王静，李春，周建新，刘兵，张冬冬，
申请(专利权)人：中国振华集团新云电子元器件有限责任公司国营第四三二六厂，贵州振华电子信息产业技术研究有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州,52