The invention discloses a preparation method of molybdenum disulfide film, which comprises the following steps: depositing a layer of molybdenum disulfide film on a substrate by magnetron sputtering; the power of the magnetron sputtering is 10W-150W; putting the molybdenum disulfide film in a sealed container for sulfidation at a set temperature; and the setting temperature is 600 degrees C. In the previous stage, the invention effectively realizes disorder control in film deposition process by adjusting the power of target material, reduces disorder degree of prefabricated film and reduces defects of prefabricated film, and then puts molybdenum disulfide film sputtered on the substrate into an airtight container for sulfurization at a set temperature, so as to reduce sulfur vacancy of prefabricated film and improve molybdenum disulfide film. The invention can prepare high quality molybdenum disulfide film with uniform layers. The invention can be widely applied in the technical field of thin film materials.
【技术实现步骤摘要】
一种二硫化钼薄膜的制备方法
本专利技术涉及薄膜材料
，尤其是一种二硫化钼薄膜的制备方法。
技术介绍
二硫化钼是由一层钼原子和两层硫原子构成的二维纳米材料，具有类似于石墨烯的二维层状结构，各个层相互堆叠形成块状。每个二维晶体层厚度约为0.68nm，这些层是由弱的范德瓦尔兹力结合在一起。二硫化钼是一类属于过渡金属硫族化合物的独特层状材料，其带隙随层数的改变而从间接带隙半导体变为直接带隙半导体。块状晶体MoS2的带隙为1.2eV，其电子跃迁方式间接跃迁；当厚度为单层时，MoS2的带隙可以达到1.8eV，且其电子跃迁方式转变为直接跃迁。因此，MoS2薄膜独特的结构和优异的物理性能以及可调节的能带隙使其在电子器件领域比石墨烯更具有应用潜力，它将是一种在电学、光学、半导体领域具有十分重要应用前景的二维纳米材料。凭借其纳米尺寸的层状结构，使得制造更小规格、更高能效半导体芯片成为可能，使其在纳米电子元器件领域被广泛应用。但尽管MoS2薄膜具有优异的物理特性，在电学、热学、光学和力学等方面的特性及其在半导体电子元器件领域具有很大的应用潜力，但是要打开MoS2应用领域的这扇大门...
【技术保护点】
1.一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：通过磁控溅射在衬底上沉积一层二硫化钼薄膜；所述磁控溅射的功率为10W～150W；将所述二硫化钼薄膜置于密封容器中在设定温度下进行硫化。
【技术特征摘要】
1.一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：通过磁控溅射在衬底上沉积一层二硫化钼薄膜；所述磁控溅射的功率为10W～150W；将所述二硫化钼薄膜置于密封容器中在设定温度下进行硫化。2.根据权利要求1所述的一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的功率为120W。3.根据权利要求1所述的一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射时的工作气压为3mTorr～12mTorr。4.根据权利要求1所述的一种二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述设定温度为100℃～900℃。5.根据权利要求4所述的一种二硫化钼薄膜的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈荣盛，钟伟，邓孙斌，李国元，吴朝晖，李斌，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44
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