【技术实现步骤摘要】
一种用于稳定释放220Rn的放射源及包含该放射源的放射装置
本专利技术属于放射源
，具体涉及一种用于稳定释放220Rn的放射源及包含该放射源的放射装置。
技术介绍
中微子探测、暗物质探测等稀有事例高能物理实验中，需要使用60Co、137Cs、55Fe、22Na、40K等放射性核素衰变时产生的γ谱线进行刻度，以更准确地了解探测器的各种性能参数。但这些核素为固态，并且寿命很长，不能在探测器运行时放置到探测区域内部，所以对探测器核心区域的刻度效果不够理想。目前商业化的氡气源，均为222Rn源，虽然其半衰期只有3.8天，但其衰变链上的210Pb半衰期可达22年，给探测器带来严重本底。因此，需要一种更好的注入型刻度放射源，以进行更理想的稀有事例物理实验的刻度。
技术实现思路
为了解决上述现有技术中存在的问题，本专利技术提出一种用于稳定释放220Rn的放射源及包含该放射源的放射装置。通过含钍薄膜的采用，由钍的衰变获得220Rn，220Rn从含钍薄膜逸出，还可进一步随载流气体输入到期望区域。而220Rn半衰期只有55s，且其衰变链上也无长寿命放射性核素，相对于现有的222Rn来说，是一种更为理想的注入型刻度放射源。本专利技术公开的放射源及放射装置能够方便地获得纯度较高的220Rn，提供了一种更好的注入型刻度放射源。本专利技术的技术方案具体如下：一种用于稳定释放220Rn的放射源，所述放射源为镀有含钍薄膜的固体基材或基片。进一步地，所述含钍薄膜中的钍以钍元素单质、含钍元素的化合物、或含钍元素的混合物的形式存在。进一步地，所述固体基材或基片为任意形状，长度最大方向的长度大...
【技术保护点】
1.一种用于稳定释放
【技术特征摘要】
1.一种用于稳定释放220Rn的放射源，其特征在于，所述放射源为镀有含钍薄膜的固体基材或基片。2.根据权利要求1所述的放射源，其特征在于，所述含钍薄膜中的钍以含钍元素化合物、或含钍元素的混合物的形式存在。3.根据权利要求1所述的放射源，其特征在于，所述固体基材或基片为任意形状，长度最大方向的长度大于100mm。4.根据权利要求1所述的放射源，其特征在于，所述含钍薄膜通过包括蒸镀法或化学气相沉积法的镀膜方法镀在所述固体基材或基片上，含钍薄膜平均厚度为10nm以上。5.一种包含用于稳定释放20Rn的放射源的放射装置，所述放射装置由放射源壳体、固定结构和放射源组成，其中，所述放射源壳体上有密封法兰，所述放射源通过...
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