一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的结构从下至上依次为透明导电衬底、黑磷烯薄膜、硫化锑薄膜、有机半导体薄膜、CuI/PbPc薄膜、金属电极。其优点在于：（1）利用硫化锑具有较高的光吸收系数、覆盖大部分可见光光谱、带隙宽度适中且易于调控的特点有效提高太阳能电池的光电转换效率；（2）采用硫化锑和有机半导体的层叠结构，有利于提高载流子的分离效率；（3）以CuI/PbPc代替传统的有机化合物作为空穴传输层，有利于提高器件在潮湿环境下的稳定性；（4）采用黑磷烯作为电子传输层材料，能有效减少电池的串联电阻，极大地增加光电流，进一步提高太阳能电池的光电转换效率。

An Antimony Sulfide Solar Cell with CuI/PbPc Film as Hole Transport Layer

【技术实现步骤摘要】
一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池
本技术属新能源领域，具体涉及一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池的结构。
技术介绍
随着科技生产力的不断进步，人类社会对能源的需求不断扩大。一大批科学研究者正热切地寻求可再生能源或清洁能源来代替补充传统的一次性能源如煤炭、石油等。太阳能作为一种清洁的可再生能源，取之不尽，用之不竭，探索利用太阳能被认为是解决能源危机和缓解环境压力最有效的途径之一。因而，研发高效且稳定的太阳能电池便成为了科研工作者的奋斗目标。近年来，黑磷烯由于具有优越的性能，被科研工作者广泛关注。黑磷烯是一种从黑磷剥离出来的有序磷原子构成的、单原子层的、有直接带隙的二维半导体材料。并且，黑磷烯的带隙可由层数在0.3eV至1.5eV范围调控，这使得黑磷烯具有较高的电子迁移率，单层黑磷烯电子迁移率可达104cm2/(V·s)。与其他二维材料如石墨烯相比，黑磷烯具有直接带隙和高电子迁移率，使其在电子传输和光电性能等方面具有更大的优势，在太阳能电池领域具有更好的应用前景。硫化锑由于具有较高的光吸收系数、覆盖大部分可见光光谱、带隙宽度适中且易于调控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的结构从下至上依次为：透明导电衬底、黑磷烯薄膜、硫化锑薄膜、有机半导体薄膜、CuI/PbPc薄膜、金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的结构从下至上依次为：透明导电衬底、黑磷烯薄膜、硫化锑薄膜、有机半导体薄膜、CuI/PbPc薄膜、金属电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电衬底为ITO导电玻璃或FTO导电玻璃或AZO导电玻璃。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亚姣，罗云荣，王艺蓉，何林峡，李欣，龙胜，
申请(专利权)人：湖南师范大学，
类型：新型
国别省市：湖南,43