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一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池制造技术
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下载一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池的技术资料
文档序号:21094738
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本实用新型公开了一种以CuI/PbPc薄膜作为空穴传输层的硫化锑太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池的结构从下至上依次为透明导电衬底、黑磷烯薄膜、硫化锑薄膜、有机半导体薄膜、CuI/PbPc薄膜、金属电极。其优点在于:(1)利用硫化锑具有...
该专利属于湖南师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过湖南师范大学授权不得商用。
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