一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器及探测系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器及探测系统，包括绝缘层、金属电极层、二维材料薄膜层和二维材料薄膜层；金属电极层包括漏电极层，源电极层和栅电极层；二维材料薄膜层和二维材料薄膜层铺设在绝缘层上，两者部分堆叠，源电极层覆盖在二维材料薄膜层的非堆叠部位，漏电极层覆盖在堆叠部位上方或二维材料薄膜层的非堆叠部位，栅电极层与绝缘层连接。所述雪崩探测系统包括前述的探测器，电压源及电流表。本发明专利技术的探测器具有宽带隙的异质结、尺寸小、噪声小、偏压低等优良性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器及探测系统
本专利技术涉及探测器及探测系统，特别涉及一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器及探测系统。
技术介绍
可以对极弱光进行探测的高性能中红外光电探测器一直是研究的热点。但是受到传统材料异质结界面不好的影响，一直无法制作出较好的窄带隙pn异质结。另外，传统的雪崩探测器的工作原理也导致了传统雪崩探测器的器件尺寸大，偏压高，噪声大等问题。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术目的是提供一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器，该探测器具有宽带隙的异质结、尺寸小、噪声小、偏压低等优良性能。本专利技术的另一目的是提供一种基于二维层状材料的探测系统。技术方案：本专利技术的所述基于二维层状材料的雪崩光电探测器，包括绝缘层、金属电极层、第一二维材料薄膜层和第二二维材料薄膜层；金属电极层包括漏电极层、源电极层和栅电极层；第一二维材料薄膜层和第二二维材料薄膜层铺设在绝缘层上，两者部分堆叠，源电极层覆盖在第一二维材料薄膜层的非堆叠部位，漏电极层覆盖在堆叠部位上方或第二二维材料薄膜层的非堆叠部位，栅电极层与绝缘层连接。所述第一二维材料薄膜层用作电极材料，第二二维材料薄膜层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：包括绝缘层(2)、金属电极层、第一二维材料薄膜层(4)和第二二维材料薄膜层(5)；金属电极层包括漏电极层(32)、源电极层(31)和栅电极层(33)；第一二维材料薄膜层(4)和第二二维材料薄膜层(5)铺设在绝缘层(2)上，两者部分堆叠，源电极层(31)覆盖在第一二维材料薄膜层(4)的非堆叠部位，漏电极层(32)覆盖在堆叠部位上方或第二二维材料薄膜层(5)的非堆叠部位，栅电极层(33)与绝缘层(2)连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：包括绝缘层(2)、金属电极层、第一二维材料薄膜层(4)和第二二维材料薄膜层(5)；金属电极层包括漏电极层(32)、源电极层(31)和栅电极层(33)；第一二维材料薄膜层(4)和第二二维材料薄膜层(5)铺设在绝缘层(2)上，两者部分堆叠，源电极层(31)覆盖在第一二维材料薄膜层(4)的非堆叠部位，漏电极层(32)覆盖在堆叠部位上方或第二二维材料薄膜层(5)的非堆叠部位，栅电极层(33)与绝缘层(2)连接。2.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述栅电极层(33)位于绝缘层(2)下方。3.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述栅电极层(33)位于绝缘层(2)上方，并通过另一绝缘层(2)与所述漏电极层(32)、源电极层(31)和第二二维材料薄膜层(5)连接。4.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述栅电极层(33)为两个，一个位于绝缘层(2)下方，另一个位于绝缘层(2)上方，并通过另一绝缘层(2)与所述漏电极层(32)、源电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王肖沐，缪峰，高安远，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32