一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法。所述晶硅异质结太阳电池的结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。所述含钼氧硫的空穴引出层可以为MoO3‑xSx单层薄膜结构，也可以为MoO3‑xSx/MoO3双层薄膜结构，对于后者，MoO3层应与第一隧穿层接触。本发明专利技术所制备出来的基于含钼氧硫的空穴引出层的晶硅异质结太阳电池，能有效降低材料的缺陷态密度和载流子表面复合速率，提高电池短路电流和内建电场。含钼氧硫的空穴引出层对空穴的选择性可调，且制作工艺简单，具有较高的产业化推广应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体地说是一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
近年来，光伏产业一直致力于寻找具有低成本制造优势的晶体硅（c-Si）太阳电池技术。降低成本的策略包括使用超薄晶圆或质量较低的衬底，但无论如何都需要较低的材料消耗以及简化的制造工艺。过渡金属氧化物（TMO）作为电子或空穴的选择性接触层在高效晶硅电池研究中受到人们的广泛关注。TMO是具有功函数范围宽（ΦTMO=3~7eV）和电导率可调（从绝缘性到金属导电性）等特性的宽带隙（Eg>3eV）半导体材料，当用作电子或空穴选择性接触材料时可提供极大的灵活性。高功函数的V2O5、WO3、MoO3可作为空穴引出层材料，低功函数的TiO2、SnO2可作为电子引出层。同时，TMO较低的沉积温度（T<200℃）可使制备工艺简化并大幅降低生产成本。非化学计量比的氧化钼（MoOx）通常通过热蒸发法应用于制备晶体硅太阳电池的空穴引出层。该方法需要高真空设备而且对氧化物化学计量比的调控非常有限，这在一定程度上限制了薄膜传输空穴的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的就是提供一种晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶硅异质结太阳电池，其特征是，其结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅异质结太阳电池，其特征是，其结构为：金属栅线/透明导电电极/含钼氧硫的空穴引出层/第一隧穿层/硅片/第二隧穿层/电子引出层/金属背电极。2.根据权利要求1所述的晶硅异质结太阳电池，其特征是，所述含钼氧硫的空穴引出层为MoO3-xSx单层薄膜结构；所述MoO3-xSx单层薄膜的厚度为3nm-8nm。3.根据权利要求2所述的晶硅异质结太阳电池，其特征是，所述MoO3-xSx单层薄膜中钼的组分比为29%-45%，硫的组分比为1.5%-15%，氧的组分比为53%-67%。4.根据权利要求1所述的晶硅异质结太阳电池，其特征是，所述含钼氧硫的空穴引出层为MoO3-xSx/MoO3双层结构，且MoO3层与所述第一隧穿层接触；所述MoO3层的厚度为0.5nm-5nm，MoO3-xSx层的厚度为3nm-8nm。5.根据权利要求4所述的晶硅异质结太阳电池，其特征是，所述MoO3-xSx层中钼的组分比为29%-45%，硫的组分比为1.5%-15%，氧的组分比为53%-67%。6.根据权利要求1所述的晶硅异质结太阳电池，其特征是，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：于威，刘海旭，路万兵，焦玉骁，辛利桃，许贺菊，傅广生，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：河北,13