显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:21093723 阅读:31 留言:0更新日期:2019-05-11 11:32
本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,包括:衬底基板,设置在衬底基板上的多个像素单元,各像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件;在沿垂直于衬底基板所在平面的方向,开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧,重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧;开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极电连接,重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极电连接,驱动薄膜晶体管的漏极与有机发光器件耦接。如此方案,有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积,有利于实现高PPI设计。

Display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,更具体地,涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展,带有显示面板的显示装置的用途越来越广泛,使得人们对显示面板的要求越来越多样化,不再只满足于显示面板的大尺寸、高清晰度等常规的性能指标,也对显示面板的PPI(PixelsPerInch)有了较高的要求。显示面板的PPI是图像分辨率的单位,表示的是显示面板的每英寸所拥有的像素(Pixel)数目,当显示面板的PPI达到一定数值时,人眼就分辨不出颗粒感了。现有技术中,为配合像素正常发光,会在显示面板上引入一系列的电路结构,电路结构所占用的空间对PPI有直接的影响,因此,如何实现显示面板的高PPI设计成为现阶段亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种显示面板及显示装置,将开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管的源漏极设置在栅极的两侧,有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积,节约的空间使显示面板能够设置更多的像素单元,因而有利于实现显示面板及显示装置的高PPI设计。第一方面,本申请提供了一种显示面板,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的多个像素单元,各所述像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件;在沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向,所述开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧,所述重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧;所述开关薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接,所述重置薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接,所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述有机发光器件耦接。第二方面,本申请提供了一种显示装置,包括显示面板,该显示面板为本申请实所提供的任意显示面板。与现有技术相比,本专利技术提供的显示面板及显示装置,至少实现了如下的有益效果:本申请所提供的显示面板及显示装置,在每个像素单元中设置有驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管,由于开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极电连接,重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极电连接,本申请将开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于其栅极的两侧,并将重置薄膜晶体管的源极和漏极也分别位于其栅极的两侧时,开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极之间无需通过跨桥进行连接,重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极之间也无需通过跨桥进行连接,如此有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积,节约的空间使显示面板能够设置更多的像素单元,因而有利于实现显示面板及显示装置的高PPI设计,进而有利于提升显示面板及显示装置的分辨率,使显示图像更加精细、清晰。当然,实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述,本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例,并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图;图2所示为图1实施例所提供的显示面板的一种AA’截面图;图3所示为本申请实施例所提供显示面板中像素单元内的一种电路示意图;图4所示为本申请实施例所提供的显示面板中1个像素单元的一种电路结构图;图5所示为图1实施例所提供的显示面板的另一种AA’截面图;图6所示为图1实施例所提供的显示面板的另一种AA’截面图;图7所示为图1实施例所提供的显示面板的另一种AA’截面图;图8所示为图1实施例所提供的显示面板的另一种AA’截面图;图9所示为本申请实施例所提供的显示面板中部分像素单元的一种排布示意图;图10所示为与图9中的像素单元对应的一种电路结构图;图11所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种工作时序图;图12所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种俯视图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。显示面板的PPI是图像分辨率的单位,表示的是显示面板的每英寸所拥有的像素(Pixel)数目,当显示面板的PPI达到一定数值时,人眼就分辨不出颗粒感了。现有技术中,为配合像素正常发光,会在显示面板上引入一系列的电路结构,电路结构所占用的空间对PPI有直接的影响,因此,如何实现显示面板的高PPI设计成为现阶段亟待解决的技术问题之一。有鉴于此,本专利技术提供了一种显示面板及显示装置,将开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管的源漏极设置在栅极的两侧,有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积,节约的空间使显示面板能够设置更多的像素单元,因而有利于实现显示面板及显示装置的高PPI设计。本申请提供一种显示面板,包括:衬底基板,设置在衬底基板上的多个像素单元,各像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件;在沿垂直于衬底基板所在平面的方向,开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧,重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧;开关薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的栅极电连接,重置薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的漏极电连接,驱动薄膜晶体管的漏极与有机发光器件耦接。以下将结合附图和具体实施例进行详细说明。图1所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种俯视图,图2所示为图1实施例所提供的显示面板的一种AA’截面图,图3所示为本申请实施例所提供显示面板中像素单元内的一种电路示意图,请结合图1-图3,本申请实施例所提供的显示面板100中,设置有多个像素单元20,各像素单元20包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、重置薄膜晶体管T3和有机发光器件L1,对于单个像素单元20而言,在工作时,请参见图3,首先将重置薄膜晶体管T3开启、开关薄膜晶体管T2和驱动薄膜晶体管T1关闭,使得有机发光器件L1上阳极的信号复位;其次,将重置薄膜晶体管T3关闭,开关薄膜晶体管T2开启,数据信号Vdata通过开关薄膜晶体管T2传输至驱动薄膜晶体管T1的栅极,使驱动薄膜晶体管T1开启,驱动像素单元20中的有机发光器件L1发光。特别是,请参见图2和图3,由于开关薄膜晶体管T2的漏极P6与驱动薄膜晶体管T1的栅极P1电连接,重置薄膜晶体管T3的漏极P9与驱动薄膜晶体管T1的漏极P3电连接,本申请将开关薄膜晶体管T2的源极P5和漏极P6分别位于其栅极P4的两侧,并将重置薄膜晶体管T3的源极P8和漏极P9也分别位于其栅极P7的两侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的多个像素单元,各所述像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件;在沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向,所述开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧,所述重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧;所述开关薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接,所述重置薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接,所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述有机发光器件耦接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板,设置在所述衬底基板上的多个像素单元,各所述像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件;在沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向,所述开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧,所述重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧;所述开关薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接,所述重置薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接,所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述有机发光器件耦接。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述开关薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括相互绝缘的多条栅极线、多条数据线、多条重置信号线和多条电源信号线;各所述开关薄膜晶体管的栅极连接所述栅极线,各所述开关薄膜晶体管的源极连接所述数据线;各所述驱动薄膜晶体管的源极连接所述电源信号线;各所述重置薄膜晶体管的栅极连接所述重置信号线,各所述重置薄膜晶体管的源极连接重置电压信号。4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,还包括沿垂直于所述衬底基板的方向依次设置于所述衬底基板上的第一金属层、第二金属层、第三金属层、氧化物沟道层、第四金属层和第五金属层;所述驱动薄膜晶体管的栅极位于所述第一金属层,源极和漏极位于所述第二金属层;所述开关薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管的栅极位于所述第三金属层,所述开关薄膜晶体管的源极位于所述第四金属层,所述重置薄膜晶体管的源极位于所述第五金属层;所述开关薄膜晶体管的漏极位于所述氧化物沟道层与所述衬底基板之间,所述重置薄膜晶体管的漏极位于所述氧化物沟道层与所述第一金属层之间。5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,还包括第一金属线,所述第一金属线位于所述开关薄膜晶体管的氧化物沟道层远离所述衬底基板的一侧;所述第一金属线通过第一过孔与所述开关薄膜晶体管的氧化物沟道层电连接,所述第一金属线与所述开关薄膜晶体管的栅极和漏极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠,所述开关薄膜晶体管的源极和栅极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠。6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属线在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述开关薄膜晶体管的漏极。7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属线与所述开关薄膜晶体管的源极位于不同膜层。8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属线位于所述第五金属层。9...

【专利技术属性】
技术研发人员:张卿姚绮君苏晓越
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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