【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
随着科学技术的发展，带有显示面板的显示装置的用途越来越广泛，使得人们对显示面板的要求越来越多样化，不再只满足于显示面板的大尺寸、高清晰度等常规的性能指标，也对显示面板的PPI(PixelsPerInch)有了较高的要求。显示面板的PPI是图像分辨率的单位，表示的是显示面板的每英寸所拥有的像素(Pixel)数目，当显示面板的PPI达到一定数值时，人眼就分辨不出颗粒感了。现有技术中，为配合像素正常发光，会在显示面板上引入一系列的电路结构，电路结构所占用的空间对PPI有直接的影响，因此，如何实现显示面板的高PPI设计成为现阶段亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种显示面板及显示装置，将开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管的源漏极设置在栅极的两侧，有利于减小开关薄膜晶体管和重置薄膜晶体管在显示面板上所占用的面积，节约的空间使显示面板能够设置更多的像素单元，因而有利于实现显示面板及显示装置的高PPI设计。第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括：衬底基板，...
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多个像素单元，各所述像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件；在沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向，所述开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧，所述重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧；所述开关薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接，所述重置薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接，所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述有机发光器件耦接。
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的多个像素单元，各所述像素单元包括驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、重置薄膜晶体管和有机发光器件；在沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向，所述开关薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该开关薄膜晶体管的栅极的两侧，所述重置薄膜晶体管的源极和漏极分别位于该重置薄膜晶体管的栅极的两侧；所述开关薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接，所述重置薄膜晶体管的漏极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接，所述驱动薄膜晶体管的漏极与所述有机发光器件耦接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括相互绝缘的多条栅极线、多条数据线、多条重置信号线和多条电源信号线；各所述开关薄膜晶体管的栅极连接所述栅极线，各所述开关薄膜晶体管的源极连接所述数据线；各所述驱动薄膜晶体管的源极连接所述电源信号线；各所述重置薄膜晶体管的栅极连接所述重置信号线，各所述重置薄膜晶体管的源极连接重置电压信号。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括沿垂直于所述衬底基板的方向依次设置于所述衬底基板上的第一金属层、第二金属层、第三金属层、氧化物沟道层、第四金属层和第五金属层；所述驱动薄膜晶体管的栅极位于所述第一金属层，源极和漏极位于所述第二金属层；所述开关薄膜晶体管和所述重置薄膜晶体管的栅极位于所述第三金属层，所述开关薄膜晶体管的源极位于所述第四金属层，所述重置薄膜晶体管的源极位于所述第五金属层；所述开关薄膜晶体管的漏极位于所述氧化物沟道层与所述衬底基板之间，所述重置薄膜晶体管的漏极位于所述氧化物沟道层与所述第一金属层之间。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括第一金属线，所述第一金属线位于所述开关薄膜晶体管的氧化物沟道层远离所述衬底基板的一侧；所述第一金属线通过第一过孔与所述开关薄膜晶体管的氧化物沟道层电连接，所述第一金属线与所述开关薄膜晶体管的栅极和漏极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠，所述开关薄膜晶体管的源极和栅极在所述衬底基板所在平面的正投影交叠。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属线在所述衬底基板所在平面的正投影覆盖所述开关薄膜晶体管的漏极。7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属线与所述开关薄膜晶体管的源极位于不同膜层。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属线位于所述第五金属层。9...
【专利技术属性】
技术研发人员：张卿，姚绮君，苏晓越，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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