一种慢提拉红外干燥系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种慢提拉红外干燥系统，包括慢提拉装置和红外干燥装置，所述慢提拉装置包括可上下活动的抬升装置，所述抬升装置包括水平的抬升支架，所述抬升支架上方设有可拆卸的承载花篮，所述红外干燥装置包括干燥箱，所述干燥箱包括箱体和可活动设于箱体顶端的箱盖，所述箱盖下表面固定有至少一根红外加热管，所述红外加热管发出的红外线波长范围为1000‑5000nm。本实用新型专利技术采用慢提拉装置和红外干燥装置相结合，显著减少了晶元承载花篮对红外线的吸收，从而有效延长了晶元承载花篮的使用寿命，在一定程度上降低了晶元的生产成本；采用气缸推动装置，使晶元在慢提拉脱水的同时实现倾斜出水，有效增强了晶元的脱水效果，进一步提升晶元干燥效率。

A Slow-lift Infrared Drying System

【技术实现步骤摘要】
一种慢提拉红外干燥系统
本技术涉及半导体晶元清洗
，尤其涉及一种慢提拉红外干燥系统。
技术介绍
晶元表面存在的杂质往往会影响产品的质量及转换效率，因此在晶元的制造过程中，通常需要采用各种化学液和纯水进行多次清洗，之后利用纯水进行最终清洗，以去除晶元表面残留的化学液及杂质，最后再依次经过干燥工艺，得到清洗干净、表面干燥的晶元。现有的干燥工艺通常分为离心甩干法、IPA干燥法、慢提拉脱水干燥法等方式。传统的离心甩干法是利用晶元旋转时产生的离心力使水被甩离晶元表面，达到脱水干燥的目的，然而采用该方式容易产生静电、增加晶元表面的颗粒度，因此存在晶元表面二次污染的风险；IPA干燥法则是利用IPA(异丙醇)的低表面张力和易挥发的特性，取代晶元表面的具有较高表面张力的水分，然后用热氮气吹干，达到彻底干燥晶元表面的目的，然而采用该干燥工艺，也存在异丙醇导致的二次污染的问题，且采用该工艺的成本较高；慢提拉脱水干燥法则首先使用抬升装置将晶元从热纯水中缓慢抬升进行预脱水，由于水的表面张力作用，晶元表面的水分子不断从上往下拉，从而带走晶元表面大部分的水分及清洗后残余的少许杂质，又因为热水张力小于冷水，采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种慢提拉红外干燥系统，其特征在于：包括慢提拉装置和红外干燥装置，所述慢提拉装置包括可上下活动的抬升装置，所述抬升装置包括水平的抬升支架，所述抬升支架上方设有可拆卸的承载花篮；所述红外干燥装置包括干燥箱，所述干燥箱包括箱体和可活动设于箱体顶端的箱盖，所述箱盖下表面固定有至少一根红外加热管，所述红外加热管发出的红外线波长范围为1000‑5000nm。

【技术特征摘要】
1.一种慢提拉红外干燥系统，其特征在于：包括慢提拉装置和红外干燥装置，所述慢提拉装置包括可上下活动的抬升装置，所述抬升装置包括水平的抬升支架，所述抬升支架上方设有可拆卸的承载花篮；所述红外干燥装置包括干燥箱，所述干燥箱包括箱体和可活动设于箱体顶端的箱盖，所述箱盖下表面固定有至少一根红外加热管，所述红外加热管发出的红外线波长范围为1000-5000nm。2.如权利要求1所述的一种慢提拉红外干燥系统，其特征在于：所述抬升装置还包括竖臂，所述竖臂底端与抬升支架一端固定连接，竖臂顶端固定连接有连接横臂，所述连接横臂另一端连接有丝杆座，所述丝杆座内部可活动穿设有竖直丝杆，所述竖...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·罗伯特·休斯特，
申请(专利权)人：硅密常州电子设备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32